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博通ASSR - 14XX系列包含一个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级，该输入级与高压输出检测电路进行光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于控制两个分立高压MOSFET的开关。当输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）

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￥66.48
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￥64.31

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型号：4N35TVM 编号：C898967

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥2.24
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型号：4N26M 编号：C89367

封装：DIP-6

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥2.74
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￥2.16
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型号：4N26SM 编号：C898944

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥3.59
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￥2.89
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型号：4N27SR2M 编号：C898948

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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￥3.81
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型号：IL223AT 编号：C17604793

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

IL221AT、IL222AT、IL223AT 是高电流传输比（CTR）光耦合器，采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 的 LED 电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口连接

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￥5.08
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￥4.97
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￥4.9

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型号：H11A1SR2M 编号：C899423

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥5.06
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型号：H11A1SR2VM 编号：C899424

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：MOC3082SR2VM 编号：C463093

封装：SOP-6-2.54mm

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥6.37
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型号：4N36SM 编号：C898970

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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￥7.93
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￥6.62
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型号：MOC3061SVM 编号：C899833

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥8.06
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型号：MOC3083SR2VM 编号：C899867

封装：SMD-6P

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP3906(E 编号：C6333153

封装：SOIC-4-175mil

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：UCC23514VDWVR 编号：C2878296

封装：SOIC-8-300mil

品牌：TI(德州仪器)

适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道隔离栅极驱动器，具有4.5A源电流和5.3A灌电流峰值输出电流，5.0kV_RMS加强绝缘等级。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可驱动低端和高端功率FET。与标准光耦合器基栅极驱动器相比，关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制导致小的器件间偏差

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￥10.92
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型号：ACPL-P481-500E 编号：C691962

封装：SO-6-4.6mm

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块、功率MOSFET或IGBT。最小化了器件之间的传播延迟差异，通过减少开关死区时间来最大化逆变器效率。

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￥11.13
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型号：NCL30186BDR2G 编号：C464034

封装：SOP-10

NCL30186 是一款 AC-DC 功率因数校正的反激控制器，用于隔离和非隔离“可智能调光”恒定电流 LED 驱动器。该控制器以准谐振模式运行，可提供最佳能效。该电流控制算法支持反激、降压-升压和 SEPIC 拓扑结构。由于新型控制方法，该器件能够严格调节初级侧的恒定 LED 电流。因此无需辅助侧反馈电路、偏置和光耦合器。该器件与极少数量的外部部件进行高度集成。内置了一组丰富的安全保护功能，简化了设计。该器件特别适用于非常紧凑的空间效率设计，通过专门的调光输入支持模拟和 PWM 调光，用于控制平均 LED 电流。为了确保在高温下可靠的运行，还提供了用户可配置的电流折回电路。NCL30086 采用 SOIC10 封装，与标准 SOIC8 具有相同的本体尺寸。

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型号：TLP292-4(V4LATRE 编号：C17695540

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：UCC23511QDWYRQ1 编号：C2878389

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (ediode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于汽车电机驱动器，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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型号：HCPL-3150-560E 编号：C2685453

封装：SMD-8P

该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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￥14.79
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￥12.41
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型号：UCC23313QDWYRQ1 编号：C2871881

封装：SOIC-6

品牌：TI(德州仪器)

是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性

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￥16.25
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￥15.87
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型号：TLP292-4(V4LATPE 编号：C5351376

封装：SOIC-16-4.6mm

由与两个反向并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证宽工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥16.43
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￥14.02
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￥5.1559 ￥10.97
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￥4.6859 ￥9.97

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型号：TLP292-4(LA-TR,E 编号：C5348964

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥16.43
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￥14.02
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￥12.51

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型号：FOD3180SDV 编号：C899259

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥20.18
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￥19.72
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￥19.4

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型号：FOD3182SV 编号：C899266

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥22.72
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￥22.19
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￥21.84

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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￥25.76
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￥21.87
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￥19.56

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型号：FDA215S 编号：C5373318

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

FDA215 是一款双光伏 MOSFET 驱动器，它采用一对光耦合 LED 来驱动两个光电二极管阵列。当向 LED 施加输入电流时，发出的光会激活光电二极管阵列，并在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生足以驱动高功率 MOSFET 晶体管的浮动源电压和电流

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￥27
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￥23.36
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￥21.2

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型号：HCNW3120-000E 编号：C692002

封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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￥27.31
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￥23.38
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￥21.04

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型号：HCPL-3700-500E 编号：C2927820

封装：DIP-8