驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：HCPL-0723-000E 编号：C6795997

封装：SOIC-8

HCPL - 7723 或 HCPL - 0723 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO - 8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，实现了卓越的速度性能，数据速率最低可达 50 MBd，最大脉冲宽度失真为 2 ns。HCPL - 7723/0723 的基本组成部分包括一个 CMOS LED 驱动 IC、一个高速 LED 和一个 CMOS 探测器 IC。CMOS 逻辑输入信号控制 LED 驱动 IC，该驱动 IC 为 LED 提供电流

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型号：VOA300-DEFG-X017T 编号：C7387465

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VOA300线性光耦合器由一个红外发射器、一个隔离反馈光电二极管和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式布局。反馈光电二极管捕获一部分LED光通量，并生成一个控制信号（I_P1），该信号可用于调节LED驱动电流。这种技术可补偿LED的非线性、时间和温度特性

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型号：VOA300-F-X019T 编号：C6325983

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

线性光耦合器由一个红外发射器组成，该发射器以分叉排列方式照射一个隔离反馈和一个输出 PIN 光电二极管。反馈光电二极管捕获 LED 光通量的一部分，并生成一个控制信号 (IP1)，可用于伺服 LED 驱动电流。这种技术可补偿 LED 的非线性、时间和温度特性。

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型号：LT3799IMSE#PBF 编号：C671604

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款带功率因数校正的隔离反激式控制器，专为驱动LED而设计。控制器采用临界导通模式，允许使用小型变压器。采用新颖的电流检测方案，无需光耦合器即可向次级侧提供良好调节的电流。包含一个强大的栅极驱动器，用于驱动外部高压MOSFET。利用片上乘法器，通常可实现0.97的功率因数。FAULT引脚可提供LED开路和短路状态的通知。使用微功耗迟滞启动，可在离线输入电压下高效运行，并有一个第三绕组为器件供电。内部LDO为器件内部电路和栅极驱动器提供良好调节的电源。

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型号：MPC3023(SL)(T1)-GV 编号：C34373707

封装：SOP-6

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：MPC3063-GV 编号：C47361116

封装：DIP-6

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3061(触发电流≤15mA)，3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：MPC3083-GV 编号：C47361117

封装：DIP-6

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3081(触发电流≤15mA)，3082(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：MPC3063-(SL)(T1)-GV 编号：C17701957

封装：SOP-6

光耦光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：KMOC3083S 编号：C136430

封装：SMD-6P

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：MP4810-G(B) 编号：C47361131

封装：DIP-8

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：MP4800(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361237

封装：SMD-8P

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4800 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：MP4810(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361238

封装：SMD-8P

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：4N26M 编号：C89367

封装：DIP-6

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：PC3SD12NTZAF 编号：C79475

封装：DIP-6

品牌：SHARP(夏普)

光控三端双向可控硅耦合器包括一个红外发射二极管 (IRED)，该二极管通过光耦合到一个输出光控三端双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流三端双向可控硅的理想隔离驱动器。DIP 封装提供 5.0kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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型号：4N26SM 编号：C898944

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：4N27SR2M 编号：C898948

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C5960938

封装：SO-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：H11A1SR2M 编号：C899423

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥5.18
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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥6.38
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￥6.28

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型号：4N36SM 编号：C898970

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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￥7.93
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型号：MOC3061SVM 编号：C899833

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥8.06
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￥7.88
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￥7.75

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型号：TLP3906(E 编号：C6333153

封装：SOIC-4-175mil

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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￥9.26
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￥9.1
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￥8.95

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型号：ACPL-P481-500E 编号：C691962

封装：SO-6-4.6mm

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块、功率MOSFET或IGBT。最小化了器件之间的传播延迟差异，通过减少开关死区时间来最大化逆变器效率。

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型号：TLP292-4(V4LATRE 编号：C17695540

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥11.45
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￥9.64
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￥8.51
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￥7.35

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型号：HCPL-3150-560E 编号：C2685453

封装：SMD-8P