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FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：VOIH72AT 编号：C27909809

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是单通道 25 MBd 高速光耦合器，采用 CMOS 技术。利用输入 LED 驱动器与高速红外发射二极管 (IRED) 以及集成光探测器 IC 相结合。具有真正的数字输入和输出接口，最大脉冲宽度失真极低，仅为 6 ns，且抗噪性高，最低为 20 kV/μs，便于集成到数字逻辑系统中。

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型号：SI8271BBD-IS 编号：C17316026

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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型号：HCPL-2200-500E 编号：C6955731

封装：DIP-8

是光耦合逻辑门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器具有三态输出级，且探测器阈值具有滞后特性。三态输出无需上拉电阻，可直接驱动数据总线。滞后特性提供差模抗噪能力，消除输出信号抖动的可能性

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型号：FOD3182SV 编号：C899266

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FDA215S 编号：C5373318

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

FDA215 是一款双光伏 MOSFET 驱动器，它采用一对光耦合 LED 来驱动两个光电二极管阵列。当向 LED 施加输入电流时，发出的光会激活光电二极管阵列，并在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生足以驱动高功率 MOSFET 晶体管的浮动源电压和电流

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型号：HCNW3120-000E 编号：C692002

封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：HCPL-3700-500E 编号：C2927820

封装：DIP-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：HCPL-3760-500E 编号：C692044

封装：SOP-8-2.54mm

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：ACPL-074L-500E 编号：C6458522

封装：SOP-8

是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以实现极低功耗的出色性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都包含一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：FOD8320R2V 编号：C899341

封装：SOIC-5-9.2mm

FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。

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型号：HCPL-2430-500E 编号：C43019

封装：SOP-8-2.54mm

高速光耦合器将 820nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL2400 和 HCPL-2430 的电气和开关特性在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：MPC3023-GV 编号：C34373706

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：MPC3053-GV 编号：C34373708

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：MT7938 编号：C2979269

封装：SOT-23-6

品牌：MAXIC(美芯晟)

一个单级、高功率因数，原边控制交流转直流LED驱动芯片。集成片上功率因数校正（PFC）功能，在临界导通模式（CriticalConductionMode，CRM）下运行，实现了高功率因数并减少功率MOS管开关损耗。利用创新的控制技术，无需光耦及副边感应器件就可以精确地调制LED电流。内置保护功能，包括过流保护（OCP）、输出过压保护（OVP）、输出短路保护（SCP）和过温调节（OTR）等，以确保系统可靠的工作。同时，过温调节设置引脚TADJ，可以通过连接外部电阻来灵活设置温度调节的阀值。

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型号：MOC3052M-A 编号：C5175312

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

5引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高输入输出隔离电压Viso = 5000Vrms。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。高断态电压临界上升率dV/dt：最小1000V/μs。多种封装形式，包括双列直插式、宽引脚间距式、表面贴装式和卷带封装。通过多项安全认证，如UL、TUV、CSA、FIMKO、VDE、CQC。符合RoHS指令。 ESD通过HBM 8000V/MM 2000V。 MSL等级1

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型号：ISOM8116DFHR 编号：C42673660

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：MP4800-G(B) 编号：C47361130

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4800 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：MOC3043SM 编号：C899815

封装：SMD-6P

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C3008605

封装：SOP-4

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：VO2223A-X001 编号：C3151702

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一款光耦合光电三端双向可控硅，采用 DIP-8 封装驱动功率三端双向可控硅。它提供 5300V 的输入到输出隔离。

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型号：MOC3063TVM 编号：C899843

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP5702H(D4-TP,E 编号：C5798537

封装：SOIC-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达125℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±50kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于中小型IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP292-4(GB,E 编号：C5381899

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：MOC3163SR2M 编号：C899874

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP3910(TP,E 编号：C7124375

封装：SO-6