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博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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￥36.25
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￥31.18
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￥28.08

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：HCPL-3760-500E 编号：C692044

封装：SOP-8-2.54mm

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：HCPL-0723-000E 编号：C6795997

封装：SOIC-8

HCPL - 7723 或 HCPL - 0723 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO - 8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，实现了卓越的速度性能，数据速率最低可达 50 MBd，最大脉冲宽度失真为 2 ns。HCPL - 7723/0723 的基本组成部分包括一个 CMOS LED 驱动 IC、一个高速 LED 和一个 CMOS 探测器 IC。CMOS 逻辑输入信号控制 LED 驱动 IC，该驱动 IC 为 LED 提供电流

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￥41.08
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型号：VOA300-DEFG-X017T 编号：C7387465

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VOA300线性光耦合器由一个红外发射器、一个隔离反馈光电二极管和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式布局。反馈光电二极管捕获一部分LED光通量，并生成一个控制信号（I_P1），该信号可用于调节LED驱动电流。这种技术可补偿LED的非线性、时间和温度特性

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型号：SI8274BB1-IS1 编号：C17340431

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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￥41.97
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型号：HCPL-2430-500E 编号：C43019

封装：SOP-8-2.54mm

高速光耦合器将 820nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL2400 和 HCPL-2430 的电气和开关特性在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内得到保证。

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￥43.79
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￥42.89
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￥36.51

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型号：KMOC3061 编号：C920676

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用，应用于由115/240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥1.507
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型号：MOC3052M-A 编号：C5175312

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

5引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高输入输出隔离电压Viso = 5000Vrms。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。高断态电压临界上升率dV/dt：最小1000V/μs。多种封装形式，包括双列直插式、宽引脚间距式、表面贴装式和卷带封装。通过多项安全认证，如UL、TUV、CSA、FIMKO、VDE、CQC。符合RoHS指令。 ESD通过HBM 8000V/MM 2000V。 MSL等级1

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￥1.6592
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型号：ISOM8116DFHR 编号：C42673660

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：HCPL-814-000E 编号：C6795850

封装：DIP-4

HCPL - 814包含一个光电晶体管，与两个反并联连接的发光二极管光耦合。它可由交流输入电流直接驱动。该器件采用4引脚DIP封装，提供宽引脚间距和引脚弯曲SMD两种选项

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￥2.48
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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP5772(D4-TP,E 编号：C7361695

封装：SOIC-6-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥5.01
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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C3008605

封装：SOP-4

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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￥7.27
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型号：VO2223A-X001 编号：C3151702

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一款光耦合光电三端双向可控硅，采用 DIP-8 封装驱动功率三端双向可控硅。它提供 5300V 的输入到输出隔离。

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型号：MOC3063TVM 编号：C899843

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP5702H(D4-TP,E 编号：C5798537

封装：SOIC-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达125℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±50kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于中小型IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥13.09
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型号：TLP292-4(GB,E 编号：C5381899

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：ACPL-P343-000E 编号：C19673754

封装：SOP-6

包含一个AlGaAs LED，该LED通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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型号：TLP3910(TP,E 编号：C7124375

封装：SO-6

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

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￥26.39
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型号：ACPL-K370-000E 编号：C17545470

封装：SOIC-8-6.8mm

是电压/电流阈值检测光耦合器。使用高效AlGaAs LED，在低驱动电流下具有更高的光输出。具有阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上设置阈值水平。输入缓冲器具有几个增强性能的特性：额外的噪声抗扰度和开关抗扰度的迟滞、便于与交流输入信号一起使用的二极管电桥，以及保护缓冲器和LED免受过电压和过电流瞬变影响的内部钳位二极管

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￥28.25
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￥27.53
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￥27.05

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型号：HCPL-4701-000E 编号：C692051

封装：DIP-8

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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￥28.08
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￥25.09

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型号：ASSR-V622-502E 编号：C5570511

封装：DIP-8

该系列专为驱动高功率MOSFET而设计，由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍，或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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￥32.52

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型号：HCPL-3700-300E 编号：C17363327

封装：DIP-8

电压/电流阈值检测光耦合器。低电流版本采用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高光输出。器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上控制阈值水平。输入缓冲器具有滞后功能，可增强抗噪声和抗开关干扰能力；配备二极管桥，便于与交流输入信号配合使用；内置钳位二极管，可保护缓冲器和LED免受各种过电压和过电流瞬变的影响。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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￥37.17
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型号：FOD8320R2V 编号：C899341

封装：SOIC-5-9.2mm

FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。

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￥39.5
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￥38.59
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￥37.98

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型号：FOD8012AR2 编号：C903694

封装：SO-8

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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单价：
￥21.19296 / 个

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型号：ISOM8110DFGR 编号：C22431318

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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单价：
￥0.786724 / 个

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型号：KMOC3041S TL 编号：C920680

封装：SMD-5P

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压过零双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于逻辑系统与由115V交流线路供电的设备的接口中，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥1.8042
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型号：HCPL-354-000E 编号：C17699471

封装：Mini-4-FlAt