驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：4N25VM 编号：C898943

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1000+
￥0.588
2000+
￥0.5782
4000+
￥0.5635
8000+
￥0.539

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型号：MOC3032M 编号：C463338

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.15568 / 个

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型号：4N35SVM 编号：C898966

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.34256 / 个

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型号：4N27SM 编号：C898947

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.2396 / 个

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型号：MOC3033M 编号：C463092

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.20224 / 个

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型号：H11A1M 编号：C457684

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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单价：
￥1.28436 / 个

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型号：4N35SR2VM 编号：C898965

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.4544 / 个

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型号：TIL111M 编号：C900041

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8100、TIL111 和 TIL117 光耦合器在 6 引脚双线内封装内包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥3.343633 / 个

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型号：FOD3184S 编号：C457717

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.47176 / 个

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型号：LTV-5341-TP1-L 编号：C2944036

封装：SOP-5-300mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证

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1+
￥5.2
10+
￥4.19
30+
￥3.68
100+
￥3.18
500+
￥2.74
1000+
￥2.58

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型号：SFH6345-X016 编号：C3009211

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一款光耦合器，采用 GaAlAs 红外发射二极管，通过光学方式与集成光电探测器耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。该器件与 6N135 类似，但在探测器上增加了一个法拉第屏蔽层，增强了输入-输出 dV/dt 抗扰度。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。这是工业通信总线隔离以及 IPM（智能功率模块）驱动器等隔离驱动电路应用的理想解决方案。

1+
￥7.62
10+
￥7.34
50+
￥7.15
100+
￥6.96

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型号：IRS2982STRPBF 编号：C538356

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2982是一款多功能开关电源（SMPS）控制IC，专为驱动LED驱动器和电源的开关转换器而设计。其特性包括：集成高压启动功能、精确的温度补偿内部基准、跨导型误差放大器、原边检测开路保护以及逐周期原边电流限制。IRS2982与降压、升压、反激等SMPS电路拓扑兼容，能够直接调节电压或电流，也可通过光耦进行副边反馈调节。高压启动单元使VCC电源最初可从直流母线获取，直到辅助电感绕组或其他电源能够接管，从而确保在所有线路输入电压条件下实现快速启动。IRS2982采用电压模式控制，工作在临界导通模式（CrCM），具有最小关断时间限制，因此在轻载时会进入不连续导通模式（DCM）。在极轻负载时还支持突发模式工作。IRS2982非常适合具有未平滑直流母线的单级转换器，以实现高功率因数和低线路电流总谐波失真（THD）。

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1+
￥9.52
10+
￥9.31
30+
￥9.17
100+
￥9.03

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型号：LOC110P 编号：C2936121

封装：Flatpack-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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￥15.74
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￥13.43
50+
￥11.53
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￥10.05
500+
￥9.38
1000+
￥9.09

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型号：ACPL-077L-500E 编号：C691926

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 077L光耦合器采用最新的CMOS IC技术，实现了出色的速度和低功耗性能，最低数据速率达25 MBd，最大脉冲宽度失真为6 ns，并且在系统级IEC 61000 - 4 - X测试（静电放电/电快速瞬变脉冲群/浪涌）中具有更高的可靠性。ACPL - 077L采用SO - 8封装，其基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，该驱动IC为LED提供电流

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1+
￥19.06875
20+
￥18.306
100+
￥17.54325
200+
￥17.0856
500+
￥16.7805

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型号：SI8751AB-IS 编号：C430294

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si875x为创建定制固态继电器（SSR）配置开辟了新途径。Si875x将强大的隔离技术与SSR FET驱动器集成在一起。由于该产品可自行产生独立的栅极驱动输出电压，因此无需浮动次级侧直流电源。当与客户选择的外部FET结合使用时，可形成一个完整的固态继电器，使客户能够在成本、PCB面积、功率、导通电阻和热性能等方面对其系统进行优化。客户可以选择数字输入控制（Si8751）或二极管仿真控制（Si8752），以最适合其应用。Si875x集成了通用输出，支持驱动交流或直流负载配置。Si875x无需使用体积庞大的机械继电器，这类继电器难以安装到PCB上，还会给系统增加开关噪声。传统的SSR集成了光耦式LED输入，这限制了解决方案的工作温度范围。而Si875x没有此类限制，能够在整个工业和汽车温度范围内工作，且稳定性更高、寿命更长。Si875x仅需1 mA的输入电流，就能以标称10 V的电压驱动FET栅极。将输入电流增加到10 mA时，导通时间最快可达94 μs。Si8751的输入侧电压范围灵活，为2.25 V至5.5 V，支持与低功耗控制器无缝连接。Si875x器件提供有源密勒钳位功能，可防止当FET漏极出现高dV/dt时外部FET意外导通。Si875x符合AEC - Q100标准，适用于汽车应用。此外，其2.5 KVrms的隔离额定值是获得UL、CSA、VDE和CQC完整认证的基础。

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1+
￥32.43
10+
￥31.71
30+
￥31.23
100+
￥29.25

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型号：FOD8332V 编号：C899343

封装：SOP-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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单价：
￥21.28956 / 个

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型号：MPC3083(SL)(T1)-GV 编号：C47361217

封装：SMD-6P

品牌：MP(美禄科技)

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3081(触发电流≤15mA)，3082(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥0.6942
50+
￥0.6787
150+
￥0.6684
500+
￥0.6581

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型号：MPC3053(SL)(T1)-GV 编号：C34373709

封装：SOP-6

品牌：MP(美禄科技)

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥1.1619
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￥0.9185
150+
￥0.8142
1000+
￥0.684
2000+
￥0.626
5000+
￥0.5912

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型号：MOC3052-A 编号：C133136

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 5 引脚 DIP 光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小值 600V。应用：白炽灯调光器

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50+
￥0.6885
500+
￥0.6375
1000+
￥0.612
5000+
￥0.5865
10000+
￥0.561

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型号：MOC3052S-V 编号：C343984

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6 引脚 DIP 光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小 600V。应用：AC 电机驱动器

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1+
￥2.52
10+
￥2
65+
￥1.78
130+
￥1.5
520+
￥1.38
975+
￥1.3

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型号：MOC3063VM 编号：C899844

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.24196 / 个

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型号：MOC3162SM 编号：C899872

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.3592 / 个

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型号：MOC3041TVM 编号：C899808

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.20224 / 个

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型号：MOC3083SM 编号：C899866

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.20452 / 个

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型号：MOC3033SM 编号：C899802

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.24196 / 个

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型号：MOC3162M 编号：C899871

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.24196 / 个

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型号：MOC3032SM 编号：C899799

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.3382 / 个

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型号：MOC3043TVM 编号：C899818

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.24196 / 个

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型号：FOD0720 编号：C463016

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710 系列利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此类高速逻辑门极光耦合器由与 CMOS 检测器集成电路耦合的 CMOS 集成电路驱动的高速 AlGaAs LED 组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。此类器件采用紧凑型 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥4.90836 / 个

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型号：FOD8342T 编号：C900921

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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