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是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：MOC3021S-TA1-A 编号：C19188063

封装：SMD-5P

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出间隔离电压 Viso: 5,000 Vrms。 5 引脚 DIP 光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM: 最小 400 V。应用：电机控制

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型号：KMOC3082 编号：C136438

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：KMOC3083S 编号：C136430

封装：SMD-6P

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：MOC3062 编号：C115473

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口，与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。

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型号：AP1682EMTR-G1 编号：C444422

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AP1682E是一款高性能的AC/DC通用输入初级侧调节功率因数控制器，适用于LED驱动应用。该器件采用脉冲频率调制（PFM）技术来调节输出电流，同时实现高功率因数和低THD。AP1682E在移除光耦合器和次级控制电路的情况下提供精确的恒流（CC）调节。它还消除了环路补偿电路的需求，同时保持稳定性。AP1682E实现了优异的调节性能和高效率，并满足IEC61000-3-2谐波标准的要求。AP1682E具有低启动电流、低工作电流和高效率的特点。此外，它还具备丰富的保护功能，包括过压保护、短路保护和过流保护。

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型号：ISOM8115DFHR 编号：C42673658

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8118DFGR 编号：C42208076

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8117DFGR 编号：C42227958

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8112DFHR 编号：C44187124

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8117DFHR 编号：C42673661

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：SLM346CK-DG 编号：C881770

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM346 是一款光兼容的单通道隔离式栅极驱动器，适用于 IGBT 和 MOSFET，源极和漏极峰值输出电流均为 2.5A，具备 5kVRMS 的加强绝缘等级。SLM346 可驱动低端和高端功率 FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚的兼容性

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型号：4N25SR2M 编号：C44165

封装：SOP-6-2.54mm

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.2684 / 个

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型号：4N26SR2M 编号：C898945

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C5960938

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥4.15
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型号：NCL30488B4DR2G 编号：C5206946

封装：SOIC-7

NCL30488B是一款针对隔离恒流LED驱动器的功率因数校正反激控制器。该控制器以准谐振模式工作，以提供高效率。得益于一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧紧密调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置和光耦合器的需求。该器件高度集成，所需的外部组件数量最少。内置了一整套强大的安全保护功能，简化了设计。

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￥4.71
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型号：MOC3043SM 编号：C899815

封装：SMD-6P

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥6.25
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￥5.02
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型号：NCL30488B1DR2G 编号：C5206944

封装：SOIC-7

是一款功率因数校正反激式控制器，适用于隔离式恒流LED驱动器。该控制器以准谐振模式运行，可提供高效率。由于采用了一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧严格调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置和光耦合器的需求。该器件高度集成，外部组件数量最少。内置了一套强大的安全保护功能，以简化设计。

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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥7.45
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￥6.19
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￥5.49
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型号：HCPL-3140-000E 编号：C692035

封装：DIP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥9.67
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￥8.11
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￥7.14
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型号：FODM3063R2 编号：C258233

封装：SOP-4-2.54mm

FODM306X 和 FODM308X 包含一个红外发光二极管，该二极管与执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器功能的单片硅检测器进行光耦合并采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥11.42
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￥9.72
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型号：ACPL-M417T-000E 编号：C39070291

封装：SO-4

是单通道低速光耦合器，具有晶体管输出。采用紧凑的表面贴装 SO4 封装，节省空间。输入和输出通道之间提供 4kV RMS 的隔离电压。主要为低功耗运行而设计，用于低速信号传输的工作 LED 驱动电流低至 0.3mA。低集电极暗电流，在不使用时几乎不消耗电流。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥13.31
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￥12.98
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型号：MOC3163SR2M 编号：C899874

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥14.94
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型号：ACPL-071L-000E 编号：C19077903

封装：SO-8

ACPL-071L (单通道) 和 ACPL-074L (双通道) 是采用 SOIC-8 封装的 15-MBd CMOS 光耦合器。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术，以极低的功耗实现出色的性能。ACPL-071L 和 ACPL-074L 的基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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￥17.59
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￥17.2
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型号：ACPL-M61L-000E 编号：C6114664

封装：SOIC-5-175mil

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs，在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥19.93
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￥16.88
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￥15.06

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型号：VOIH72AT 编号：C27909809

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是单通道 25 MBd 高速光耦合器，采用 CMOS 技术。利用输入 LED 驱动器与高速红外发射二极管 (IRED) 以及集成光探测器 IC 相结合。具有真正的数字输入和输出接口，最大脉冲宽度失真极低，仅为 6 ns，且抗噪性高，最低为 20 kV/μs，便于集成到数字逻辑系统中。

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￥20.65
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￥20.12
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￥19.77

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型号：ASSR-4110-003E 编号：C5555234

封装：SOP-4-2.54mm

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）

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￥29.3
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￥25.14
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￥22.67

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型号：ASSR-4128-502E 编号：C2152267

封装：DIP-8

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

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型号：ACPL-074L-500E 编号：C6458522

封装：SOP-8