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低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs，在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：ACPL-P349-060E 编号：C6800667

封装：SO-6

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于功率转换应用的SiC/GaN（碳化硅/氮化镓）MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。

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型号：FOD3180S 编号：C899258

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：ACPL-M72T-000E 编号：C6795942

封装：SOIC-5

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

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型号：KMOC3061 编号：C920676

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用，应用于由115/240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：KMOC3082 编号：C136438

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥1.6218 ￥3.18
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型号：MOC3062 编号：C115473

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口，与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。

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型号：AP1682EMTR-G1 编号：C444422

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AP1682E是一款高性能的AC/DC通用输入初级侧调节功率因数控制器，适用于LED驱动应用。该器件采用脉冲频率调制（PFM）技术来调节输出电流，同时实现高功率因数和低THD。AP1682E在移除光耦合器和次级控制电路的情况下提供精确的恒流（CC）调节。它还消除了环路补偿电路的需求，同时保持稳定性。AP1682E实现了优异的调节性能和高效率，并满足IEC61000-3-2谐波标准的要求。AP1682E具有低启动电流、低工作电流和高效率的特点。此外，它还具备丰富的保护功能，包括过压保护、短路保护和过流保护。

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型号：ISOM8111DFGR 编号：C42331823

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8117DFHR 编号：C42673661

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：4N35TVM 编号：C898967

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：SiLM5345TCR-DG 编号：C7421038

封装：SOP6W-T

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM534xT 隔离式驱动器系列是一种光兼容、单通道、隔离式 MOSFET、IGBT 栅极驱动器，具有不同的驱动电流能力和欠压锁定（UVLO）电压电平。峰值输出电流范围为 1.0A 至 4.0A。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性和特点显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚兼容

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型号：NCL30488B4DR2G 编号：C5206946

封装：SOIC-7

NCL30488B是一款针对隔离恒流LED驱动器的功率因数校正反激控制器。该控制器以准谐振模式工作，以提供高效率。得益于一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧紧密调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置和光耦合器的需求。该器件高度集成，所需的外部组件数量最少。内置了一整套强大的安全保护功能，简化了设计。

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型号：IL223AT 编号：C17604793

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

IL221AT、IL222AT、IL223AT 是高电流传输比（CTR）光耦合器，采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 的 LED 电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口连接

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型号：MOC3082SR2VM 编号：C463093

封装：SOP-6-2.54mm

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：4N25SR2VM 编号：C898941

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：NCL30488B1DR2G 编号：C5206944

封装：SOIC-7

是一款功率因数校正反激式控制器，适用于隔离式恒流LED驱动器。该控制器以准谐振模式运行，可提供高效率。由于采用了一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧严格调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置和光耦合器的需求。该器件高度集成，外部组件数量最少。内置了一套强大的安全保护功能，以简化设计。

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型号：TLP2361(E 编号：C6285467

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：ISOM8111DFHRQ1 编号：C43317179

封装：SOIC-4

ISOM811x-Q1器件是具有LED仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计PCB即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的CTR和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移，由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真LED输入级的功耗比光耦合器低。ISOM811x-Q1器件采用引脚间距为2.54mm和1.27mm的小型SOIC-4封装，支持3750VRMS和5000VRMS隔离额定值以及直流(ISOM811[0-3]-Q1)和双向直流(ISOM811[5-8]-Q1)输入选项。ISOM811x-Q1器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的I/O模块、工厂自动化应用等

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型号：HCPL-3140-000E 编号：C692035

封装：DIP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：NCL30186BDR2G 编号：C464034

封装：SOP-10

NCL30186 是一款 AC-DC 功率因数校正的反激控制器，用于隔离和非隔离“可智能调光”恒定电流 LED 驱动器。该控制器以准谐振模式运行，可提供最佳能效。该电流控制算法支持反激、降压-升压和 SEPIC 拓扑结构。由于新型控制方法，该器件能够严格调节初级侧的恒定 LED 电流。因此无需辅助侧反馈电路、偏置和光耦合器。该器件与极少数量的外部部件进行高度集成。内置了一组丰富的安全保护功能，简化了设计。该器件特别适用于非常紧凑的空间效率设计，通过专门的调光输入支持模拟和 PWM 调光，用于控制平均 LED 电流。为了确保在高温下可靠的运行，还提供了用户可配置的电流折回电路。NCL30086 采用 SOIC10 封装，与标准 SOIC8 具有相同的本体尺寸。

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型号：FODM3063R2 编号：C258233

封装：SOP-4-2.54mm

FODM306X 和 FODM308X 包含一个红外发光二极管，该二极管与执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器功能的单片硅检测器进行光耦合并采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：UCC23511QDWYRQ1 编号：C2878389

封装：SOIC-6-300mil

UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (ediode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于汽车电机驱动器，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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￥12.51
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￥12.2
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型号：SI8261BAC-C-ISR 编号：C22452146

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替换升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光耦驱动器。该器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了 Skyworks Solutions 专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准可承受高达 5.0 kV RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准具备 10 kV 的浪涌保护能力。与光耦栅极驱动器相比，这项技术可实现更高的性能，减少温度和老化带来的变化，实现更紧密的器件间匹配，以及卓越的共模抑制能力。虽然输入电路模拟了 LED 的特性，但所需的驱动电流更小，从而提高了效率。传播延迟时间与输入驱动电流无关，因此传播时间始终较短，器件间的差异更小，输入电路设计的灵活性更高。因此，与光耦栅极驱动器相比，Si826x 系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。部分产品型号提供汽车级版本。这些产品在制造过程的所有环节均采用汽车专用流程，以确保满足汽车应用所需的坚固性和低缺陷率。

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￥19.46
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￥18.7
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￥18.4

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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型号：SI8261BAD-C-IS 编号：C430252

封装：SDIP-6

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，适用于驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。采用专有硅隔离技术，支持高达5.0 kVRMS的耐受电压和10 kV浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，具有更高性能、随温度和时间变化更小、器件间匹配更紧密以及出色的共模抑制能力。输入电路模拟LED特性，但所需驱动电流更小，效率更高。传播延迟时间与输入驱动电流无关，传播时间始终较短，器件间变化更小，输入电路设计更灵活。与光耦合栅极驱动器相比，使用寿命更长，可靠性显著提高。部分产品提供汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用汽车专用流程，以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。

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型号：ACPL-074L-000E 编号：C22379963

封装：SOP-8

是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。该光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：HCPL-2430-300E 编号：C2686012

封装：SOP-8-2.54mm

HCPL - 2400和HCPL - 2430高速光耦合器将820 nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了极高的数据传输速率和低输入电流。图腾柱输出（HCPL - 2430）或三态输出（HCPL - 2400）无需上拉电阻，可直接驱动数据总线

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￥36.01
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￥35.17
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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8