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FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

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￥17.13
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￥16.75
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￥16.5

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型号：TLP3910(D4C20TPE 编号：C5960932

封装：SOIC-6-300mil

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

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￥19.44
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￥14.82

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型号：FOD3180S 编号：C899258

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥30.73
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￥26.33
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型号：QC962-8A 编号：C7329297

封装：SIP-12

品牌：MORNSUN(金升阳)

QC962 8A是一款集成式混合IGBT驱动器。其主要功能是接收来自控制器的方波信号，并将其转换为隔离、放大的栅极信号，以控制IGBT的导通和关断周期。该方波信号通过光耦提供可靠的电气隔离，因此控制系统不会受到IGBT产生的共模干扰影响

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￥32.79
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￥28.17
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￥25.36

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型号：ACSL-7210-00RE 编号：C7466706

封装：SOIC-8

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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￥34.43
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￥26.63

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型号：LH1262CACTR 编号：C7216216

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

光伏MOSFET驱动器由两个与两个光电二极管阵列光耦合的LED组成。光电二极管阵列提供一个具有足够电压和电流的浮动源，以驱动高功率MOSFET晶体管。光耦合提供高输入/输出隔离电压。为了关断MOSFET，需要一个外部电阻（栅极到源极）来进行栅极放电。

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￥38.99
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型号：CA-IS3211CVBJ 编号：C54557216

封装：SOIC-6W

品牌：Chipanalog(川土微)

4A 拉/5A 灌电流、 5.7-kVRMS 光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器

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￥1.043
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￥1.02
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￥1.0047

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型号：HT-3083 编号：C34376225

封装：DIP-6L

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥1.1192
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型号：KMOC3043S TL 编号：C920679

封装：SMD-5P

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压过零双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由115V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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5+
￥1.656275 ￥1.7075
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￥1.178589 ￥1.3547
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￥0.926695 ￥1.2035
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￥0.781396 ￥1.0148
2000+
￥0.716716 ￥0.9308
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￥0.677908 ￥0.8804

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型号：ISOM8111DFGR 编号：C42331823

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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￥1.82
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￥1.78
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￥1.75

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型号：ISOM8118DFHR 编号：C44187125

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：CA-IS3211CVCU 编号：C54557217

封装：DUB-8

品牌：Chipanalog(川土微)

4A 拉/5A 灌电流、 5.7-kVRMS 光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器

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型号：ISOM8116DFGR 编号：C42197924

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：CA-IS3211VBU 编号：C54557218

封装：DUB-8

品牌：Chipanalog(川土微)

5A拉/6A灌、5.7-kVRMS光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器

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￥2.14
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型号：H11A1SM 编号：C899422

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777

封装：SOIC-6-6.8mm

该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥6.42
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￥5.33
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￥4.73
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型号：TLP2361(E 编号：C6285467

封装：SO-6,5LEAD

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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￥6.67
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￥5.43
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型号：HCPL-3140-500E 编号：C692036

封装：DIP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥7.5
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￥6.17
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型号：NCL30086BHDR2G 编号：C512998

封装：SOIC-8

NCL30086BH 是一种为隔离和非隔离“智能调光”恒流LED驱动器设计的控制器。它支持反激、升降压和SEPIC拓扑结构。专有的电流控制算法提供了接近于1的功率因数，并从初级侧严格调节恒定的LED电流，消除了对次级侧反馈电路或光耦合器的需求。NCL30086BH 采用与标准SOIC8具有相同尺寸的SOIC10封装，特别适用于非常紧凑的空间高效设计。该器件高度集成，所需的外部组件数量最少。内置了一套强大的安全保护功能，简化了设计。为了确保在高温下可靠运行，还提供了一个用户可配置的电流折返电路。此外，它支持模拟和PWM调光，带有专门用于控制平均LED电流的调光输入。NCL30086BH 与 NCL30086 引脚兼容，具有相同的优点，并且数字电流控制算法的分辨率更高，减少了75%的LED电流量化纹波。主要特点包括：- 准谐振峰值电流模式控制操作- 谷值锁定以优化整个线路/负载范围内的效率- 带有初级侧反馈的恒流控制- 典型±2%的严格LED恒流调节- 功率因数校正- 模拟或PWM调光- 线路前馈以提高调节精度- 低启动电流（典型值10 μA）- 宽Vcc范围- 300 mA / 500 mA图腾柱驱动器，带12 V栅极钳位- 强大的保护功能，包括掉电检测、Vcc过压保护、可编程过压/LED开路保护、逐周期峰值电流限制、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、电流检测（CS）短路检测以及用户可编程的NTC热折返- -40至125°C结温范围内的热关断- 无铅、无卤素产品典型应用包括整体LED灯泡、LED光源和智能LED照明应用。

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￥8.44
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￥6.94
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￥6.12
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型号：TLP292-4(V4-TP,E 编号：C17588085

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥8.94
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￥7.32
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￥6.43

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：FOD3120SDV 编号：C605156

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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1+
￥9.71
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￥9.48
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￥9.33

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型号：HCPL-3140-560E 编号：C692037

封装：SOP-8-2.54mm

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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1+
￥9.88
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￥9.69
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￥9.56
100+
￥9.43

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型号：MOC3063SVM 编号：C899842

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥10.62
10+
￥8.82
50+
￥7.83

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型号：4N46-300E 编号：C39556289

封装：DIP-6-300mil

4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。

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￥10.73
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￥9.77
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￥9.17
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￥8.55

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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥14.5
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￥12.37
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￥11.04
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￥9.68
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￥9.06
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￥8.8

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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8