驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：UCC23514VDWVR 编号：C2878296

封装：SOIC-8-300mil

适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道隔离栅极驱动器，具有4.5A源电流和5.3A灌电流峰值输出电流，5.0kV_RMS加强绝缘等级。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可驱动低端和高端功率FET。与标准光耦合器基栅极驱动器相比，关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制导致小的器件间偏差

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型号：UCC23511BDWYR 编号：C5216341

封装：SOIC-6-300mil

UCC23511是一款适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有1.5A峰值拉电流和2A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23511可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型SO6封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组I的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23511具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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型号：HCPL-3180-500E 编号：C692042

封装：SOP-8-2.54mm

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：FOD3120SDV 编号：C605156

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：FODM8071 编号：C463484

封装：SOIC-5

FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

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型号：ILD223T 编号：C5224044

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是高电流传输比 (CTR) 光耦合器，具有砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电晶体管探测器。此器件的CTR在1.0 mA的LED电流下进行测试。这种低驱动电流允许从CMOS轻松连接到LSTTL或TTL。采用标准SOIC-8封装，非常适合高密度应用。此外，该封装无需通孔，符合表面贴装器件标准。

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型号：LH1262CACTR 编号：C7216216

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

光伏MOSFET驱动器由两个与两个光电二极管阵列光耦合的LED组成。光电二极管阵列提供一个具有足够电压和电流的浮动源，以驱动高功率MOSFET晶体管。光耦合提供高输入/输出隔离电压。为了关断MOSFET，需要一个外部电阻（栅极到源极）来进行栅极放电。

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型号：FOD8012A 编号：C891163

封装：SOIC-8

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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型号：SI8271AB-IS 编号：C22416591

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

该产品适用于各种电源、逆变器和电机控制应用中驱动功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2500VRMS的耐受电压（UL1577标准），具有业界领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、低温度和老化变化、良好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还具备独立的上拉/下拉输出、欠压锁定故障时驱动器关断和精确的死区时间可编程等独特特性。与光耦栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和更高的可靠性

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型号：HCPL-0300-000E 编号：C6795998

封装：SOT-ALL-8

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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型号：HCPL-2300 编号：C6796003

封装：DIP-8

光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器，由于较低的 IF 和 VF 规格，在给定数据速率下，其可在更长的线路长度上工作。

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型号：SI8275ABD-IS1 编号：C17255906

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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型号：TLP184(Y-TPL,SE 编号：C5331594

封装：SOP-4

东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成，可由交流输入电流直接驱动。

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型号：MOC3021S-TA1-A 编号：C19188063

封装：SMD-5P

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出间隔离电压 Viso: 5,000 Vrms。 5 引脚 DIP 光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM: 最小 400 V。应用：电机控制

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型号：4N36M 编号：C898969

封装：PDIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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型号：ISOM8117DFGR 编号：C42227958

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8115DFHR 编号：C42673658

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：ISOM8118DFHR 编号：C44187125

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：HCPL-814-000E 编号：C6795850

封装：DIP-4

HCPL - 814包含一个光电晶体管，与两个反并联连接的发光二极管光耦合。它可由交流输入电流直接驱动。该器件采用4引脚DIP封装，提供宽引脚间距和引脚弯曲SMD两种选项

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型号：SFH619A-X009T 编号：C145266

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH619A 是光耦合隔离器，采用砷化镓红外 LED 和硅光电达林顿传感器。在驱动电路和负载电路之间保持高度隔离的同时，可实现开关功能。这些光耦合器可用于替代簧片继电器和水银继电器，具有寿命长、开关速度快和无磁场干扰等优点

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型号：HCPL-3120-000E 编号：C14970

封装：DIP-8

IGBT栅极驱动光耦

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型号：4N25SR2VM 编号：C898941

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：NCL30086BHDR2G 编号：C512998

封装：SOIC-8

NCL30086BH 是一种为隔离和非隔离“智能调光”恒流LED驱动器设计的控制器。它支持反激、升降压和SEPIC拓扑结构。专有的电流控制算法提供了接近于1的功率因数，并从初级侧严格调节恒定的LED电流，消除了对次级侧反馈电路或光耦合器的需求。NCL30086BH 采用与标准SOIC8具有相同尺寸的SOIC10封装，特别适用于非常紧凑的空间高效设计。该器件高度集成，所需的外部组件数量最少。内置了一套强大的安全保护功能，简化了设计。为了确保在高温下可靠运行，还提供了一个用户可配置的电流折返电路。此外，它支持模拟和PWM调光，带有专门用于控制平均LED电流的调光输入。NCL30086BH 与 NCL30086 引脚兼容，具有相同的优点，并且数字电流控制算法的分辨率更高，减少了75%的LED电流量化纹波。主要特点包括：- 准谐振峰值电流模式控制操作- 谷值锁定以优化整个线路/负载范围内的效率- 带有初级侧反馈的恒流控制- 典型±2%的严格LED恒流调节- 功率因数校正- 模拟或PWM调光- 线路前馈以提高调节精度- 低启动电流（典型值10 μA）- 宽Vcc范围- 300 mA / 500 mA图腾柱驱动器，带12 V栅极钳位- 强大的保护功能，包括掉电检测、Vcc过压保护、可编程过压/LED开路保护、逐周期峰值电流限制、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、电流检测（CS）短路检测以及用户可编程的NTC热折返- -40至125°C结温范围内的热关断- 无铅、无卤素产品典型应用包括整体LED灯泡、LED光源和智能LED照明应用。

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型号：TLP292-4(V4-TP,E 编号：C17588085

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：MOC3063SVM 编号：C899842

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：ACPL-M417T-000E 编号：C39070291

封装：SO-4

是单通道低速光耦合器，具有晶体管输出。采用紧凑的表面贴装 SO4 封装，节省空间。输入和输出通道之间提供 4kV RMS 的隔离电压。主要为低功耗运行而设计，用于低速信号传输的工作 LED 驱动电流低至 0.3mA。低集电极暗电流，在不使用时几乎不消耗电流。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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型号：TLP3905(TPR,E 编号：C5798529

封装：SOIC-4-175mil