驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-6-6.8mm

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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型号：MOC3083SR2VM 编号：C899867

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP3906(C20TL,E 编号：C7528661

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：MOC3082SVM 编号：C899863

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：SI8261BBC-C-ISR 编号：C2836038

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替换升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光耦驱动器。该器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了 Skyworks Solutions 专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准可承受高达 5.0 kV RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准具备 10 kV 的浪涌保护能力。与光耦栅极驱动器相比，这项技术可实现更高的性能，减少温度和老化带来的变化，实现更紧密的器件间匹配，以及卓越的共模抑制能力。虽然输入电路模拟了 LED 的特性，但所需的驱动电流更小，从而提高了效率。传播延迟时间与输入驱动电流无关，因此传播时间始终较短，器件间的差异更小，输入电路设计的灵活性更高。因此，与光耦栅极驱动器相比，Si826x 系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。部分产品型号提供汽车级版本。这些产品在制造过程的所有环节均采用汽车专用流程，以确保满足汽车应用所需的坚固性和低缺陷率。

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型号：UCC23514SDWVR 编号：C2871857

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC23514是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，源极峰值输出电流为4.5 A，漏极峰值输出电流为5.3 A，具备5.0 kV RMS的增强隔离等级。33 V的高电源电压范围允许使用双极性电源，以有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23514可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制使器件间的偏差极小。输入级采用仿真二极管（e-二极管），与传统LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用8引脚表面贴装7.5 mm×5.85 mm（典型值）SOIC封装，爬电距离和电气间隙≥8.5 mm，模塑料属于材料组I，相比漏电起痕指数（CTI）> 600 V。UCC23514的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。更高的工作温度为传统光耦以前无法支持的应用开辟了新机会。UCC23514V选项在单个端子上提供栅极驱动输出。对于需要分开的栅极驱动输出的应用，UCC23514S版本提供两个独立的输出引脚OUTH和OUTL。UCC23514E版本适用于需要以独立COM引脚为参考的欠压锁定（UVLO）的应用，这有助于双极性栅极驱动电源应用。UCC23514M选项将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流导致的误开启。

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型号：HCPL-3180-500E 编号：C692042

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：1EDB6275FXUMA1 编号：C6984476

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4 mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

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型号：TLP190B(TPL,U,C,F) 编号：C4153841

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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型号：ACPL-P484-000E 编号：C22380071

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M484/P484/W484高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的绝佳解决方案

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型号：TLP3910(D4C20TPE 编号：C5960932

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

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型号：LOC110 编号：C5440420

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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型号：SI8271ABD-IS 编号：C17627698

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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型号：ASSR-1611-301E 编号：C22379958

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

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型号：HT-3051 编号：C34376219

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3023 编号：C34376220

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3041 编号：C34376216

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3042 编号：C34376215

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3043 编号：C34376214

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.4705
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型号：HT-3062 编号：C34376212

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3052-S1TA1 编号：C34376227

封装：SMD-6P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.907345 ￥0.9551
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￥0.478325 ￥0.5035
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￥0.45049 ￥0.4742

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型号：AL17150-10BS7-13 编号：C1852099

封装：SOIC-7-150mil

品牌：DIODES(美台)

是通用高压输入降压调节器产品系列，无需光耦合器即可提供精确的恒压 (CV) 和出色的动态性能，适用于离线低功耗应用，包括用于微控制器的连接式 LED 照明电源和其他物联网应用。集成了 500V/1A MOSFET，可减少外部组件数量，降低物料清单 (BOM) 成本。可提供高达 300mA 的输出电流，待机功耗低于 50mW，非常适合物联网连接照明设备。实现了出色的调节和高功率效率，最大峰值电流和驱动频率随负载变化而变化，可在轻载时获得出色的效率性能，提高整体平均效率

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型号：HT-3081 编号：C34376223

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3082 编号：C34376224

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3083 编号：C34376225

封装：DIP-6L

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：KMOC3043S TL 编号：C920679

封装：SMD-5P

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压过零双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由115V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥0.967518 ￥1.1799
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￥0.743986 ￥0.9073
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型号：ISOM8118DFGR 编号：C42208076

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：TPM23513-SOER 编号：C43695004

封装：WSOP-6

品牌：3PEAK(思瑞浦)

单通道隔离栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。其输入与工业标准宽体WSOP6封装的光耦合器兼容，驱动能力可支持4.5A源电流和5A灌电流。输出级可承受高达40V的高压，支持最新一代基于IGBT和SiC的应用。该设备在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。其隔离通道由双电容二氧化硅（SiO₂）绝缘屏障分隔。专有电流隔离技术支持150 kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI），这对SiC应用尤为关键。输入级模拟具有增强抗噪能力的光电二极管，增强的可靠性可支持高功率工业应用。

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