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FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：ACPL-W343-560E 编号：C364870

封装：SO-6-6.8mm

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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型号：ACPL-T350-560ME 编号：C691965

封装：SOP-8-2.54mm

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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型号：FOD3184TV 编号：C899275

封装：DIP-8

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：HCPL-3150-500E 编号：C2926379

封装：SMD-8P

由一个与带功率输出级的集成电路光耦合的LED组成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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型号：HCPL-0314-560E 编号：C545692

封装：SO-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：HCPL-3180-500E 编号：C692042

封装：SOP-8-2.54mm

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：HCPL-315J-500E 编号：C692039

封装：SOIC-16-300mil

该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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型号：LT3799IMSE#PBF 编号：C671604

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款带功率因数校正的隔离反激式控制器，专为驱动LED而设计。控制器采用临界导通模式，允许使用小型变压器。采用新颖的电流检测方案，无需光耦合器即可向次级侧提供良好调节的电流。包含一个强大的栅极驱动器，用于驱动外部高压MOSFET。利用片上乘法器，通常可实现0.97的功率因数。FAULT引脚可提供LED开路和短路状态的通知。使用微功耗迟滞启动，可在离线输入电压下高效运行，并有一个第三绕组为器件供电。内部LDO为器件内部电路和栅极驱动器提供良好调节的电源。

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型号：HTM-3061-TP1 编号：C34376190

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：MOC3053D 编号：C7472404

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1000V/us 三路驱动器光耦合器，随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻

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型号：MOC3051D 编号：C7472403

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些

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型号：HT-3023-S1TA1 编号：C34376229

封装：SMD-6P

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3022-S1TA1 编号：C34376230

封装：SMD-6P

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3051-S1TA1 编号：C34376228

封装：SMD-6P

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3021-S1TA1 编号：C34376231

封装：SMD-6P

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：MOC3020D 编号：C7472396

封装：DIP

品牌：国芯佳品

三端双向可控硅驱动器输出光耦合器，400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端

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型号：HT-3083-S1TA1 编号：C34376237

封装：SMD-6P

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.54625 ￥0.575

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型号：ISOM8115DFGR 编号：C41485832

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：4N36M 编号：C898969

封装：PDIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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￥1.5134 ￥1.61
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￥1.3356 ￥1.59
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型号：LTV-3053 编号：C575427

封装：SOP-4

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：3,750Vrms。 4 引脚 MFP 非过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小 600V。应用：电机控制

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￥2.0199
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型号：AP3766K6TR-G1 编号：C176965

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP3766是一款高性能的AC/DC电源控制器，适用于LED驱动、电池充电器和适配器应用。该器件采用脉冲频率调制（PFM）方法构建不连续导通模式（DCM）反激式电源。AP3766提供精确的恒压、恒流（CV/CC）调节，同时去除了光耦合器和次级控制电路。它还消除了环路补偿电路的需求，同时保持稳定性。AP3766实现了优秀的调节性能和高平均效率，同时满足空载功耗小于30mW的要求。AP3766采用SOT26封装。

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型号：TLP184(V4-TPL,SE 编号：C5331593

封装：SOP-4

东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成，可由交流输入电流直接驱动。

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￥1.71

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型号：TLP290(V4-GB,SE) 编号：C3002260

封装：SO-4-175mil

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小且薄的SO4封装，保证在宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750 Vrms）下工作，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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￥1.62
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型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥4.4
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￥2.42
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型号：MOC3061TVM 编号：C899834

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥3.9639 ￥5.43
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￥3.9055 ￥5.35

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil