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首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
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低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
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    ¥9.1
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    ¥7.68
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  • UCC23513-Q1 驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23513-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的栅极驱动器相比,此器件可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。由于具有高性能和高可靠性,因此该类器件非常适合用于汽车电机驱动器,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器无法支持的应用开辟了机会。
    数据手册
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      ¥9.64
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      ¥7.2
  • 有货
  • 是一款采用SO6封装的光耦合器,由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接,适用于MOS栅极驱动应用。
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      ¥18.92
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      ¥16.14
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      ¥14.41
  • 有货
  • FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器,带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,可将 IGBT 在轨之间驱动,还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装,满足 8 毫米漏电和间距要求。
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      ¥20.37
  • 有货
  • 专为大电流应用而设计,常见于工业应用中。由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时,继电器导通(触点闭合)
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      ¥43.95
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      ¥38.19
    • 30+

      ¥34.67
  • 有货
  • TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器,与外部功率开关结合使用时,可构成一个完整的隔离式固态继电器(SSR)。其标称栅极驱动电压为15 V,峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A,可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源,因此无需隔离的次级电源偏置。此外,TPSI3052可根据各种应用需求,选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下(通常用于驱动机械继电器),控制开关仅需两个引脚,且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下,3 V至5.5 V的初级电源由外部提供,开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器(SCR)非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨,用于驱动各种功率开关,无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关,或用于交流应用的双背对背功率开关,以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比,TPSI3052集成的隔离保护极为可靠,具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一,可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求,这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。
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      ¥44.98
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      ¥38.29
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      ¥34.2
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
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      ¥0.556985 ¥0.5863
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      ¥0.396625 ¥0.4175
  • 有货
  • 静态dv/dt:1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些
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      ¥0.8623
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      ¥0.7613
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  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
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      ¥1.10751 ¥1.1658
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      ¥0.637545 ¥0.6711
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    • 5000+

      ¥0.54625 ¥0.575
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
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  • 有货
  • 静态dv/dt:2000V/us 三路驱动器输出光耦合器,400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此
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      ¥1.5946
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      ¥1.2675
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      ¥1.1273
  • 有货
  • 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供
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      ¥1.7294
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      ¥1.358
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      ¥1.1988
  • 有货
  • 该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5
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      ¥2.84
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      ¥2.38
  • 有货
  • IL221AT/IL222AT/IL223AT 是一款高电流传输比(CTR)光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 发光二极管电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流允许从 CMOS 轻松连接到 LSTTL 或 TTL
    数据手册
    • 1+

      ¥3.66
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      ¥2.76
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET,实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。
    数据手册
    • 1+

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      ¥13.93
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  • 是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器,采用CMOS IC技术和专利封装技术,在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化,如现场总线(PROFIBUS)和串行外设接口(SPI)应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真
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      ¥33.78
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      ¥25.79
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      ¥22.785 ¥23.25
  • 有货
  • 电压/电流阈值检测光耦合器。低电流版本采用高效AlGaAs LED,可在低驱动电流下提供更高光输出。器件采用阈值感应输入缓冲IC,允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上控制阈值水平。输入缓冲器具有滞后功能,可增强抗噪声和抗开关干扰能力;配备二极管桥,便于与交流输入信号配合使用; 内置钳位二极管,可保护缓冲器和LED免受各种过电压和过电流瞬变的影响。由于在驱动LED之前进行阈值感应, 因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。
    • 1+

      ¥38.92
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      ¥38.04
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      ¥37.44
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.45144 ¥0.5016
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      ¥0.44082 ¥0.4898
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      ¥0.4338 ¥0.482
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      ¥0.42678 ¥0.4742
  • 有货
  • 静态dv/dt:1500V/us 三路驱动器输出光耦合器,600V 零交叉 MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类
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      ¥0.8588
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      ¥0.8387
    • 130+

      ¥0.8253
  • 有货
  • 静态dv/dt:1000V/us 三路驱动光耦合器,随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻
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      ¥0.9073
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      ¥0.7172
    • 130+

      ¥0.6222
  • 有货
  • 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端
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      ¥1.0982
    • 50+

      ¥0.8623
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      ¥0.7613
  • 有货
  • 静态dv/dt:1500V/us 三路驱动器输出光耦合器,600V 零交叉 MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类
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      ¥1.4971
    • 50+

      ¥1.1756
    • 130+

      ¥1.0378
  • 有货
  • 静态dv/dt:1500V/us 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双
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      ¥1.652
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      ¥1.2972
    • 130+

      ¥1.1451
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合,可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装,保证了 -55℃至110℃的宽工作温度范围和3750Vrms的高隔离电压,适用于高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.06
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      ¥1.78
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      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
  • MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
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      ¥3.97
    • 30+

      ¥3.5
    • 100+

      ¥3.03
    • 500+

      ¥2.76
    • 1000+

      ¥2.61
  • 有货
  • LTP1G4是一款采用微型SOP封装的光电隔离器,其输出由高效的GaAlAs红外LED控制,通过光耦驱动一个适用于MOS FET栅极的串联光电二极管阵列。
    • 1+

      ¥5.0313 ¥5.41
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      ¥4.2873 ¥4.61
    • 30+

      ¥3.9246 ¥4.22
    • 100+

      ¥3.5526 ¥3.82
  • 有货
  • CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中,其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物(AlGaAs)的发光二极管组成,通过红外光耦合到光敏集成电路,该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.6
    • 50+

      ¥3.92
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥6.93
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      ¥5.84
    • 30+

      ¥5.3
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      ¥4.76
    • 500+

      ¥4.44
  • 有货
  • FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器,能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。 它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管,该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.0464 ¥22.02
    • 10+

      ¥4.1712 ¥18.96
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      ¥2.0568 ¥17.14
    • 100+

      ¥1.8372 ¥15.31
    • 500+

      ¥1.7352 ¥14.46
    • 1000+

      ¥1.6896 ¥14.08
  • 有货
  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.88
    • 10+

      ¥9.69
    • 30+

      ¥9.56
    • 100+

      ¥9.43
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