驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC3061 编号：C115472

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口，与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。

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型号：MOC3083S 编号：C7472395

封装：SMD

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 三路驱动器输出光耦合器，800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TPM23513-SOER 编号：C43695004

封装：WSOP-6

品牌：3PEAK(思瑞浦)

单通道隔离栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。其输入与工业标准宽体WSOP6封装的光耦合器兼容，驱动能力可支持4.5A源电流和5A灌电流。输出级可承受高达40V的高压，支持最新一代基于IGBT和SiC的应用。该设备在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。其隔离通道由双电容二氧化硅（SiO₂）绝缘屏障分隔。专有电流隔离技术支持150 kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI），这对SiC应用尤为关键。输入级模拟具有增强抗噪能力的光电二极管，增强的可靠性可支持高功率工业应用。

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￥3.93
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型号：UCC23313BDWYR 编号：C2868027

封装：SOIC-6-4.7mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧电源 FET。此器件与传统基于光耦合的栅极驱动器相比，引脚完全兼容，同时性能得到了进一步升级。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的过程控制可实现较小的部件对部件偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED 相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组 I 的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。较高的操作温度为之前光耦无法支持的应用提供了机会。

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￥4.2
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型号：MOC3063SM 编号：C899841

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：MOC3041SR2VM 编号：C899806

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.91
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型号：ACPL-P346-560E 编号：C961432

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。

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￥17.51
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型号：TLP3905(TPL,E 编号：C5985865

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：ACPL-K64L-500E 编号：C691950

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将铝镓砷发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出采用压摆率控制，旨在允许在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃ 至 +105℃ 温度范围内保证交直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥22.47
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￥19.08
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型号：SI8261BCD-C-ISR 编号：C2836039

封装：SDIP-6

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用的光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替代升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光驱动器。这些器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了芯科实验室（Silicon Laboratories）专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准，可承受高达 5.0 kV_RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准，具备 10 kV 的浪涌保护能力

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型号：UCC5350SBQDRQ1 编号：C17560352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC5350-Q1是一款单通道隔离式栅极驱动器，源极和漏极最小峰值电流均为5 A，旨在驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。UCC5350-Q1可选择米勒钳位或分离输出功能。CLAMP引脚用于将晶体管栅极连接到输出端之外的内部FET，以防止米勒电流导致的误开启。分离输出选项允许通过OUTH和OUTL引脚分别控制栅极电压的上升和下降时间。UCC5350-Q1采用4 mm SOIC-8 (D)或8.5 mm宽体SOIC-8 (DWV)封装，分别可支持高达3 kVRMS和5 kVRMS的隔离电压。输入侧与输出侧采用SiO₂电容隔离技术进行隔离，隔离屏障寿命超过40年。UCC5350-Q1非常适合在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动IGBT或MOSFET。与光耦合器相比，UCC5350-Q1器件的器件间偏斜更小、传播延迟更短、工作温度更高且共模瞬态抗扰度(CMTI)更高。

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￥29.68
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型号：FOD8316R2V 编号：C132699

封装：SOP-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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￥33.74
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型号：TPSI3052SQDWZRQ1 编号：C20346003

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

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￥47.89
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￥41.19
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型号：HTM-3022-TP1 编号：C34376185

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HT-3053-S1TA1 编号：C34376226

封装：SMD-6P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：MOC3021D 编号：C7472397

封装：DIP

品牌：国芯佳品

三端双向可控硅元件驱动器输出光耦合器，400V 随机相 MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双

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型号：MOC3051S 编号：C7472388

封装：SMD

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些

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型号：MOC3063D 编号：C7472407

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 三路驱动器输出光耦合器，600V 零交叉 MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类

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￥1.4971
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型号：MOC3061D 编号：C7472405

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 三路驱动器输出光耦合器，600V 零交叉 MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类

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￥1.6353
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型号：MOC3082D 编号：C7472408

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器，800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双

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型号：MOC3082S 编号：C7472394

封装：SMD

品牌：国芯佳品

三端双向可控硅驱动器输出光耦合器，800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供

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型号：MOC3041D 编号：C7472400

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：2000V/us 三路驱动器输出光耦合器，400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此

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型号：TLP290(V4BLTP,SE 编号：C5370550

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装，保证了 -55℃至110℃的宽工作温度范围和3750Vrms的高隔离电压，适用于高密度表面贴装应用。

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￥2.06
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￥1.67
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￥1.52
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型号：SiLM5345TCR-DG 编号：C7421038

封装：SOP6W-T

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM534xT 隔离式驱动器系列是一种光兼容、单通道、隔离式 MOSFET、IGBT 栅极驱动器，具有不同的驱动电流能力和欠压锁定（UVLO）电压电平。峰值输出电流范围为 1.0A 至 4.0A。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性和特点显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚兼容

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￥3.29
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￥2.64
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型号：IL222AT 编号：C5358776

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

IL221AT/IL222AT/IL223AT 是一款高电流传输比（CTR）光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 发光二极管电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流允许从 CMOS 轻松连接到 LSTTL 或 TTL

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￥2.92
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￥2.76

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥4.4
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￥2.52

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型号：LTP-1G4 编号：C19186177

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

LTP1G4是一款采用微型SOP封装的光电隔离器，其输出由高效的GaAlAs红外LED控制，通过光耦合驱动一个适用于MOS FET栅极的串联光电二极管阵列。

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￥5.0313 ￥5.41
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￥4.2873 ￥4.61
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￥3.9246 ￥4.22
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￥3.5526 ￥3.82

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型号：CYHCPL3120 编号：C3018816

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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