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首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
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静态dv/dt:1000V/us 三路驱动光耦合器,随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻
  • 5+

    ¥0.9667
  • 50+

    ¥0.7766
  • 150+

    ¥0.6816
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
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      ¥1.0299
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      ¥0.7289
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      ¥0.6162
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      ¥0.5661
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      ¥0.536
  • 有货
  • 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端
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      ¥1.1021
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      ¥0.8664
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      ¥0.6393
  • 有货
  • 本产品为可控硅输出光耦,内置双向可控硅结构,适用于交流负载控制电路。最大正向电流为50mA,正向压降1.2V,可适配多种驱动源。输入与输出之间具备5kVrms的隔离电压,保障电路安全与抗干扰性能。该器件常用于家电控制、智能开关、电机驱动及照明调节等场景,实现对交流电源的可靠切换与控制。
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      ¥1.463 ¥1.54
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      ¥1.15653 ¥1.2174
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      ¥1.02524 ¥1.0792
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      ¥0.861365 ¥0.9067
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      ¥0.788405 ¥0.8299
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      ¥0.74461 ¥0.7838
  • 有货
  • 该晶体管输出光耦的输入为直流信号,驱动发光二极管产生光信号,输出端集成光电三极管用于接收并转换光信号为电信号。典型正向压降为1.2V,适用于低电压供电环境。最大允许输出电流达50mA,可支持多数中小功率负载的间接控制。电流传输比(CTR)范围为20%至300%,确保在不同老化阶段和工作条件下具备稳定的信号传递性能。广泛应用于开关电源反馈、微处理器接口隔离、通信模块信号耦合及高噪声环境下的电路隔离设计,实现安全可靠的电平匹配与干扰抑制。
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      ¥1.55439 ¥1.6362
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      ¥1.228825 ¥1.2935
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      ¥1.08927 ¥1.1466
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      ¥0.91523 ¥0.9634
    • 3000+

      ¥0.83771 ¥0.8818
    • 6000+

      ¥0.79116 ¥0.8328
  • 有货
  • 本产品为可控硅输出光耦,采用双向可控硅设计,适用于需要交流负载控制的各类电路应用。其输入端允许最大正向电流为50mA,正向压降(Vf)为1.2V,可稳定驱动多种控制信号源。器件具备高达5kVrms的隔离电压,确保输入与输出侧电气隔离,提升系统安全性。广泛应用于家电、智能开关、电机控制及照明调节等场景,实现对交流电源的精准通断控制。
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      ¥1.600085 ¥1.6843
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      ¥1.264925 ¥1.3315
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      ¥1.121285 ¥1.1803
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      ¥0.942115 ¥0.9917
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      ¥0.862315 ¥0.9077
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      ¥0.814435 ¥0.8573
  • 有货
  • 6N136M 是一种用于单通道的高速光耦合器, 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光 电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接, 可以通过降低基极集电极电容, 使速度比传统 光电晶体管耦合器提高 100 倍。 广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。
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      ¥1.942465 ¥2.0447
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      ¥1.535485 ¥1.6163
    • 150+

      ¥1.361065 ¥1.4327
    • 500+

      ¥1.143515 ¥1.2037
    • 2500+

      ¥1.046615 ¥1.1017
    • 5000+

      ¥0.98838 ¥1.0404
  • 有货
  • 6N138M 是一种用于单通道的高速光耦合器, 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组 成。广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。
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      ¥1.94292 ¥2.1588
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      ¥1.55736 ¥1.7304
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      ¥1.39212 ¥1.5468
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      ¥1.18602 ¥1.3178
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      ¥1.09422 ¥1.2158
    • 4995+

      ¥1.03905 ¥1.1545
  • 有货
  • AT6N138 是一种用于单通道的高速光耦合器, 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组 成。广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。
    • 5+

      ¥1.9485 ¥2.165
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      ¥1.54026 ¥1.7114
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      ¥1.14705 ¥1.2745
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      ¥1.04985 ¥1.1665
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      ¥0.99144 ¥1.1016
  • 有货
  • 是一款光兼容、单通道、隔离栅极驱动器,适用于 IGBT、MCSFET,具有 3.0A 源极和 3.0A 灌极峰值输出电流以及 5kVrms 加强隔离等级。可驱动低端和高端功率 FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比,关键特性和特点显著提升了性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2111
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      ¥1.7205
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      ¥1.5102
  • 有货
  • 博通(Broadcom)HCPL - 354 包含一个光电晶体管,与两个反向并联连接的发光二极管(LED)进行光耦合。它可以由交流输入电流直接驱动。该器件采用 4 引脚迷你扁平表面贴装器件(SMD)封装,具有……(原文此处未完整)
    • 5+

      ¥2.2939
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      ¥1.8504
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      ¥1.6603
    • 500+

      ¥1.2954
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥2.89
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      ¥2.55
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      ¥2.06
  • 有货
  • SLMi350 是一款光兼容的单通道隔离式栅极驱动器,适用于 IGBT 和 MOSFET,源极峰值输出电流为 4A,灌电流峰值输出电流为 7A,具备 3750VRMS 的加强绝缘等级。SLMi350 可驱动低端和高端功率 FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比,其关键特性显著提升了性能和可靠性,同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚的兼容性
    数据手册
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      ¥3.54
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      ¥2.84
    • 30+

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      ¥2.14
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥4.61
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      ¥3.46
  • 有货
  • FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装,可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T),优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体,6 引脚,小外形塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.88
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      ¥3.9
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      ¥3.41
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      ¥2.93
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      ¥2.49
  • 有货
  • 该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.08
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      ¥4.97
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      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.51
  • 有货
  • HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管,而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥8.63
    • 10+

      ¥7.12
    • 30+

      ¥6.29
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      ¥5.35
    • 500+

      ¥4.65
    • 1000+

      ¥4.46
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.1
    • 10+

      ¥7.68
    • 30+

      ¥6.9
  • 有货
  • TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.94
    • 30+

      ¥7
    • 100+

      ¥6.03
  • 有货
  • HCPL - 314J 系列器件由一个 AlGaAs 发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥12.03
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥9
  • 有货
  • ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥13.72
    • 10+

      ¥11.49
    • 30+

      ¥10.1
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      ¥8.68
    • 500+

      ¥8.03
    • 1000+

      ¥7.75
  • 有货
  • ACPL - P349/W349包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED),该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动功率转换应用中使用的碳化硅(SiC)/氮化镓(GaN)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥14.8
    • 10+

      ¥12.68
    • 30+

      ¥11.35
    • 100+

      ¥9.4
    • 500+

      ¥8.79
  • 有货
  • 迷你扁平光耦合器适用于表面贴装组装。由一个红外发光二极管与一个串联的光电二极管阵列光耦合而成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    • 1+

      ¥17.52
    • 10+

      ¥14.87
    • 30+

      ¥13.21
    • 100+

      ¥11.51
  • 有货
  • 单线性光耦合器具有一个红外LED,与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈(输入)光电二极管用于生成控制信号,为LED驱动电流提供伺服机制,从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个(输出)光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.23
    • 10+

      ¥24.53
    • 50+

      ¥22.33
    • 100+

      ¥20.11
  • 有货
  • 光耦 光耦:控制可控硅触发,低触发电流:≤5mA,可直接替代:M3062(触发电流≤10mA),该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成,采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装,引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电,通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载,如固态继电器,电机,电磁阀等。
    • 5+

      ¥0.6514
    • 50+

      ¥0.6369
    • 150+

      ¥0.6272
    • 500+

      ¥0.6175
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 1+

      ¥0.790115 ¥0.8317
    • 10+

      ¥0.62453 ¥0.6574
    • 30+

      ¥0.541785 ¥0.5703
    • 100+

      ¥0.47975 ¥0.505
    • 500+

      ¥0.430065 ¥0.4527
    • 1000+

      ¥0.40527 ¥0.4266
  • 有货
  • 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端
    • 5+

      ¥0.9073
    • 50+

      ¥0.7172
    • 150+

      ¥0.6222
  • 有货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。 高重复峰值断态电压VDRM:最小600V。应用:交流电机驱动
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1486
    • 50+

      ¥0.9696
    • 130+

      ¥0.813
    • 520+

      ¥0.7364
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥1.1508
    • 50+

      ¥0.8988
    • 150+

      ¥0.7908
    • 1000+

      ¥0.6561
    • 2000+

      ¥0.5961
    • 5000+

      ¥0.56
  • 有货
  • 集成调光接口转换器,输入信号可以是 0 / 1~10V 调光信号、电阻或 PWM 信号,能自动识别信号。最终输出为 PWM 信号,用于控制可调光 CC 调节器或驱动光耦实现隔离调光。输出 PWM 信号的频率和驱动无源 0~10V 调光器/电阻的源电流可通过外部电容和电阻设置。集成 LED 电流消除器,可消除低频电流纹波,与调光兼容。采用自适应控制方案,无需额外电气设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4674 ¥3.19
    • 10+

      ¥0.9072 ¥2.52
    • 30+

      ¥0.5824 ¥2.24
    • 100+

      ¥0.4888 ¥1.88
    • 500+

      ¥0.4472 ¥1.72
    • 1000+

      ¥0.4238 ¥1.63
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