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首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
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4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管,该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻,该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流,并将多余的基极驱动电流泄放到地,因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比,第二级基极可外接,从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容,以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。
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    ¥9.78
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    ¥8.9
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    ¥7.6342 ¥7.79
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    ¥7.2716 ¥7.42
  • 有货
  • 高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。
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      ¥6.0368 ¥6.16
  • 有货
  • 适用于LED深度调光应用,可在1%至100%的宽调光范围内调节LED负载的恒定电流,无闪烁或微光。是一种初级侧控制器,无需任何次级侧反馈组件或光耦合器,显著简化了LED驱动器设计。集成了功率因数校正功能,工作在谷底开关模式以实现高效率。实现超低功耗,可在待机模式下关闭LED,适用于智能照明应用。具有多种保护功能,可大大提高系统的可靠性和安全性,保护功能包括过压保护(OVP)、短路保护(SCP)、初级侧过流保护(OCP)、欠压保护、逐周期电流限制保护、欠压锁定(UVLO)和自动重启过温保护(OTP)。采用SOIC-8封装。
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      ¥14.5827
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      ¥13.9038
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      ¥12.2068
  • 有货
  • 快速速度光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器,以提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,并允许直接驱动智能功率模块或作为栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。
    • 1+

      ¥25.58
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      ¥15.56
  • 有货
  • 小型扁平耦合器适用于表面贴装组装,由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成,适用于MOS FET栅极驱动
    数据手册
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      ¥32.55
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      ¥27.81
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      ¥24.93
  • 有货
  • FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计,可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成,采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED,由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合,实现了低能耗以及极高速(60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真)。
    数据手册
    • 1+

      ¥50.12
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      ¥43.33
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      ¥39.19
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 1+

      ¥0.556985 ¥0.5863
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      ¥0.488015 ¥0.5137
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      ¥0.45353 ¥0.4774
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      ¥0.42769 ¥0.4502
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      ¥0.40698 ¥0.4284
    • 1000+

      ¥0.396625 ¥0.4175
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 1+

      ¥0.78147 ¥0.8226
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    • 500+

      ¥0.42142 ¥0.4436
    • 1000+

      ¥0.396625 ¥0.4175
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.837995 ¥0.8821
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      ¥0.50882 ¥0.5356
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      ¥0.456095 ¥0.4801
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      ¥0.42978 ¥0.4524
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 1+

      ¥0.840465 ¥0.8847
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      ¥0.664905 ¥0.6999
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      ¥0.577125 ¥0.6075
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  • 有货
  • 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端
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      ¥0.9073
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      ¥0.7172
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      ¥0.6222
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.92587 ¥0.9746
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      ¥0.640015 ¥0.6737
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      ¥0.53295 ¥0.561
    • 2000+

      ¥0.485355 ¥0.5109
    • 5000+

      ¥0.456665 ¥0.4807
  • 有货
  • 光耦 光耦:控制可控硅触发,电吹风发热控制,低触发电流:≤5mA,可直接替代:M3052(触发电流≤10mA),该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成,采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装,引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电,通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载。
    • 5+

      ¥0.9301
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      ¥0.7228
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      ¥0.6192
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      ¥0.5415
  • 有货
  • 静态dv/dt:1000V/us 三路驱动光耦合器,随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻
    • 5+

      ¥0.9667
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      ¥0.7766
    • 150+

      ¥0.6816
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.9746
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      ¥0.6737
    • 1000+

      ¥0.561
    • 2000+

      ¥0.5109
    • 5000+

      ¥0.4807
  • 有货
  • 光耦 光耦:控制可控硅触发,电吹风发热控制,低触发电流:≤5mA,可直接替代:M3062(触发电流≤10mA),该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成,采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装,引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电,通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载,如固态继电器,电机,电磁阀等。
    • 5+

      ¥1.0732
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      ¥0.8188
    • 150+

      ¥0.7097
    • 500+

      ¥0.5737
  • 有货
  • 三端双向可控硅元件驱动器输出光耦合器,400V 随机相 MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双
    • 5+

      ¥1.0982
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      ¥0.8623
    • 150+

      ¥0.7613
    • 1000+

      ¥0.6351
  • 有货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。 高重复峰值断态电压VDRM:最小600V。应用:交流电机驱动
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2973
    • 50+

      ¥1.0952
    • 130+

      ¥0.9183
  • 有货
  • 静态dv/dt:2000V/us 三路驱动器输出光耦合器,400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此
    • 5+

      ¥1.7388
    • 50+

      ¥1.386
    • 130+

      ¥1.2348
  • 有货
  • ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器,也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件,无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。 与光耦合器相比,ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化,因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装,支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7766
    • 50+

      ¥1.3876
    • 150+

      ¥1.2209
    • 500+

      ¥1.0128
  • 有货
  • AT6N138 是一种用于单通道的高速光耦合器, 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组 成。广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。
    • 5+

      ¥1.9485 ¥2.165
    • 50+

      ¥1.54026 ¥1.7114
    • 135+

      ¥1.3653 ¥1.517
    • 495+

      ¥1.14705 ¥1.2745
    • 2250+

      ¥1.04985 ¥1.1665
    • 4500+

      ¥0.99144 ¥1.1016
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥2.07
    • 1500+

      ¥2.02
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.38
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥2.11
    • 1500+

      ¥2.06
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品,它在物理尺寸上更小/更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动
    数据手册
    • 1500+

      ¥1.8315
    • 3000+

      ¥1.815
    • 4500+

      ¥1.782
    高速ACPL-P480,ACPL-W480,ACPL-4800光耦合器包含一个GaAsP LED,一个光电探测器和一个施密特触发器,提供逻辑电平兼容输出,可节省额外波形整型需求。光耦采用图腾柱输出,不需要上拉电阻,可直接用于智能电源模块或栅极的驱动。器件间最低的传播延迟差使这些光电耦合器成为通过降低开关死区时间改善变频器效率的理想方案。
    • 1+

      ¥3.66
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.59
    • 100+

      ¥2.24
    • 500+

      ¥2.03
  • 有货
  • OR - 3120/OR - 3150由一个LED和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.3
  • 有货
  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥3.94
    • 50+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.85
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的IDD电流最大为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.19
    • 10+

      ¥4.22
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.25
  • 有货
  • VOD3120A由一个砷铝化镓(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.88
    • 30+

      ¥5.58
    • 100+

      ¥5.23
    • 500+

      ¥4.55
  • 有货
  • HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管,而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥7.09
    • 10+

      ¥5.85
    • 30+

      ¥5.17
    • 100+

      ¥4.4
    • 500+

      ¥3.82
    • 1000+

      ¥3.66
  • 有货
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