驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：UCC23313BDWYR 编号：C2868027

封装：SOIC-6-4.7mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧电源 FET。此器件与传统基于光耦合的栅极驱动器相比，引脚完全兼容，同时性能得到了进一步升级。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的过程控制可实现较小的部件对部件偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED 相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组 I 的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。较高的操作温度为之前光耦无法支持的应用提供了机会。

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型号：NSi6801B-DSWFR 编号：C3029750

封装：SOW-6

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

是单通道隔离栅极驱动器，与流行的光耦栅极驱动器引脚兼容。它可以提供和吸收 5A 峰值电流。系统鲁棒性由 150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 支持。驱动器的最大电源电压为 32V。虽然输入电路模仿了 LED 的特性，但与标准光隔离栅极驱动器相比，它具有性能优势，包括更高的可靠性和老化性能、更高的工作温度、更短的传播延迟和更小的脉冲宽度失真。因此，适合在高可靠性、功率密度和效率的开关电源系统中替代光隔离驱动器。

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型号：ACPL-T350-560ME 编号：C691965

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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型号：FOD3120 编号：C119030

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：HL3H7B 编号：C48783748

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种常用的光电隔离器件，适用于多种电子设备中的信号传输与隔离需求。该器件输入侧采用直流电压驱动，正向压降为1.2V，确保了较低的功耗和稳定的输入特性。输出端为光电三极管结构，具备良好的线性响应能力，电流传输比（CTR）范围为130-260%，支持高效的信号转换。该参数组合使其适用于各类通用控制电路、电源管理模块、通信接口以及家电设备中的电气隔离与信号耦合场景。

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型号：MOC3022D 编号：C7472398

封装：DIP

品牌：国芯佳品

三端双向可控硅驱动器输出光耦合器，400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端

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型号：HTLP184GB 编号：C52260341

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入，输入侧正向压降为1.25V，可有效适配多种低电压驱动电路。输出端为光电三极管结构，最大输出电流达50mA，具备基本的开关控制能力。电流传输比（CTR）范围为50%至400%，相较于同类产品具有更高的信号增益和更宽的动态响应范围，有利于提升信号传输的稳定性与可靠性。器件通过光介质实现输入与输出之间的电气隔离，常用于电源隔离反馈、数字逻辑电路间的信号耦合、通信接口电平转换及高噪声环境中的干扰抑制，适用于对电路安全性与信号完整性有要求的电子设备设计。

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￥0.760475 ￥0.8005
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型号：HTM-3022-TP1 编号：C34376185

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HTM-3062-TP1 编号：C34376191

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：PC814X1CSZ9F-HXY 编号：C52260338

封装：DIP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入，输出端为光电三极管结构，具备良好的信号转换能力。其正向压降典型值为1.2V，适用于低功耗电路设计。最大输出电流可达50mA，可满足多种负载驱动需求。电流传输比（CTR）范围宽，达到20%至300%，确保在不同工作条件下均有稳定响应。器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离，常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景，是实现电路间安全信号传输的关键元件。

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型号：HL3063S1 编号：C48783755

封装：SMD-6P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为可控硅输出光耦，内置双向可控硅结构，适用于交流负载控制电路。最大正向电流为50mA，正向压降1.2V，可适配多种驱动源。输入与输出之间具备5kVrms的隔离电压，保障电路安全与抗干扰性能。该器件常用于家电控制、智能开关、电机驱动及照明调节等场景，实现对交流电源的可靠切换与控制。

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型号：PC354NJ0000F-HXY 编号：C52260340

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦的输入为直流信号，驱动发光二极管产生光信号，输出端集成光电三极管用于接收并转换光信号为电信号。典型正向压降为1.2V，适用于低电压供电环境。最大允许输出电流达50mA，可支持多数中小功率负载的间接控制。电流传输比（CTR）范围为20%至300%，确保在不同老化阶段和工作条件下具备稳定的信号传递性能。广泛应用于开关电源反馈、微处理器接口隔离、通信模块信号耦合及高噪声环境下的电路隔离设计，实现安全可靠的电平匹配与干扰抑制。

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型号：SY5868FKC 编号：C226248

封装：SOP-14-150mil

品牌：Silergy(矽力杰)

集成调光接口转换器，输入信号可以是 0 / 1~10V 调光信号、电阻或 PWM 信号，能自动识别信号。最终输出为 PWM 信号，用于控制可调光 CC 调节器或驱动光耦实现隔离调光。输出 PWM 信号的频率和驱动无源 0~10V 调光器/电阻的源电流可通过外部电容和电阻设置。集成 LED 电流消除器，可消除低频电流纹波，与调光兼容。采用自适应控制方案，无需额外电气设计。

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型号：HL3053S1 编号：C48783754

封装：SMD-6P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为可控硅输出光耦，采用双向可控硅设计，适用于需要交流负载控制的各类电路应用。其输入端允许最大正向电流为50mA，正向压降(Vf)为1.2V，可稳定驱动多种控制信号源。器件具备高达5kVrms的隔离电压，确保输入与输出侧电气隔离，提升系统安全性。广泛应用于家电、智能开关、电机控制及照明调节等场景，实现对交流电源的精准通断控制。

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￥1.600085 ￥1.6843
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型号：MOC3061 编号：C115472

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口，与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。

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￥1.6914
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￥1.3697
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型号：TLP290(GB-TP,E 编号：C3975022

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。由于 TLP290 保证了较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 110 °C 以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于可编程控制器和混合集成电路等高密度表面贴装应用。

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型号：MOC3041S 编号：C7472385

封装：SMD

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：2000V/us 三路驱动器输出光耦合器，400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此

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￥1.761
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型号：KTLP161J3 TLD 编号：C920685

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合而成，可实现零电压过零双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 VAC线路供电的设备之间的接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C516863

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥2.76 ￥6.9
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型号：TLP290(GB,SE 编号：C5121287

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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￥3.56
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￥2.84
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￥2.48
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型号：SLMi350DB-DG 编号：C2986825

封装：DIP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi350 是一款光兼容的单通道隔离式栅极驱动器，适用于 IGBT 和 MOSFET，源极峰值输出电流为 4A，灌电流峰值输出电流为 7A，具备 3750VRMS 的加强绝缘等级。SLMi350 可驱动低端和高端功率 FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚的兼容性

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￥3.69
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￥2.99
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型号：TPM23513B-SOER 编号：C45073165

封装：WSOP-6

品牌：3PEAK(思瑞浦)

单通道隔离栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。其输入与工业标准宽体WSOP6封装的光耦合器兼容，驱动能力可支持4.5A源电流和5A灌电流。输出级可承受高达40V的高压，支持最新一代基于IGBT和SiC的应用。该设备在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。其隔离通道由双电容二氧化硅（SiO₂）绝缘屏障分隔。专有电流隔离技术支持150 kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI），这对SiC应用尤为关键。输入级模拟具有增强抗噪能力的光电二极管，增强的可靠性可支持高功率工业应用。

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￥3.02
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型号：APY212GEH 编号：C42444438

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

用于从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。通过接收低电平输入电流（< 5mA）来驱动输入红外 LED，该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合。此 IC 进而产生光电压，为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电，从而允许交流和直流输出负载。光继电器通过移动光子来实现开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关性能。

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型号：FOD8342R2V 编号：C899348

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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￥4.92
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￥3.46
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型号：NSi6801C-DSWFR 编号：C5123577

封装：SOW-6

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSi6801是一款单通道隔离式栅极驱动器，与流行的光耦栅极驱动器引脚兼容。该器件可在许多应用中驱动IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET，如电机控制系统、太阳能逆变器和电源。它能够提供和吸收5A的峰值电流

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￥2.72

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型号：HCPL-M454-500E 编号：C692066

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。具有保证的传播延迟差 (tPLH-tPHL)，可解决IPM逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定，并提供了典型性能图，便于应用。该二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。

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型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：HCPL-0314-560E 编号：C545692

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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