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低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的IDD电流最大为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：AT480-CuH-W 编号：C20612782

封装：SOP-6-W

品牌：AOTE(奥特)

AT480 高速光耦合器包含一个 GaAsP LED 和一个光电探测器，内置施密特触发器，提供逻辑兼容波形，可节省额外波形整型需求。广泛应用于：IPM 接口隔离、隔离 IGBT/MOSFET 门驱动器、交流和无刷直流电机驱动、工业变频器、通用数字隔离

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型号：HCPL-0314-500E 编号：C545691

封装：SOP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：ASSR-1410-503E 编号：C2686006

封装：SOP-4-2.54mm

该系列由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）

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型号：MOC3022D 编号：C7472398

封装：DIP

三端双向可控硅驱动器输出光耦合器，400V 随机相位 MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端

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型号：HT-3062-S1TA1 编号：C34376233

封装：SMD-6P

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：MOC3021S 编号：C7472382

封装：SMD

三端双向可控硅元件驱动器输出光耦合器，400V 随机相 MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双

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型号：MOC3083D 编号：C7472409

封装：DIP

静态dv/dt：1500V/us 三路驱动器输出光耦合器，800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的

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型号：MOC3043S 编号：C7472387

封装：SMD

静态dv/dt：2000V/us 三路驱动器输出光耦合器，400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此

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型号：HLM3053 编号：C48783756

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为可控硅输出光耦，采用双向可控硅结构，适合用于交流负载的开关控制。其输入端最大正向电流为50mA，正向压降(Vf)为1.2V，可兼容多种常见驱动电路。器件具备3750Vrms的隔离电压，有效实现输入与输出之间的电气隔离，提升整体电路的安全性与抗干扰能力。该光耦广泛应用于家电控制、智能开关、电动工具及照明调节等场景，适用于需要可靠交流控制的电路系统。

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型号：MOC3041S 编号：C7472385

封装：SMD

静态dv/dt：2000V/us 三路驱动器输出光耦合器，400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此

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型号：KTLP161J3 TLD 编号：C920685

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合而成，可实现零电压过零双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 VAC线路供电的设备之间的接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：APY212GEH 编号：C42444438

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

用于从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。通过接收低电平输入电流（< 5mA）来驱动输入红外 LED，该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合。此 IC 进而产生光电压，为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电，从而允许交流和直流输出负载。光继电器通过移动光子来实现开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关性能。

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型号：SiLM5350MDDCM-DG 编号：C22396743

封装：SOP-8W

品牌：Sillumin(数明半导体)

是单通道隔离栅极驱动器，适用于IGBT和MOSFET，具有10A源极和10A灌极峰值输出电流。提供可单独控制上升和下降时间的分离输出，有内部钳位以防止米勒电流引起的误开启。在SOP8W封装中具有5000 VRMS隔离，在SOP8封装中具有3000 VRMS隔离（符合UL1577标准）。相比基于标准光耦合器的栅极驱动器，带来显著的性能和可靠性提升，包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉冲宽度失真和更高的工作温度。适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。

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型号：FOD3120 编号：C119030

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：NSI6801TB-DDBR 编号：C5439826

封装：DUB-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

是单通道隔离栅极驱动器，与流行的光耦合栅极驱动器引脚兼容，可提供和吸收 5A 峰值电流。系统鲁棒性由 150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 支持。驱动器的最大电源电压为 32V。输入电路模仿 LED 的特性，与标准光隔离栅极驱动器相比具有性能优势，包括更好的可靠性和老化性能、更高的工作温度、更短的传播延迟和更小的脉冲宽度失真。适合在高可靠性、功率密度和效率的开关电源系统中替代光隔离驱动器。

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型号：ACPL-W346-500E 编号：C691968

封装：SOP-6-6.8mm

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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型号：FOD3184SDV 编号：C899272

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：HCPL-063N-500E 编号：C692013

封装：SOP-8

光耦合门提供了行业标准6N37系列的所有优点，同时具有与HCMOS兼容的输入电流。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少老化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：HCPL-J312-500E 编号：C692062

封装：SOP-8-2.54mm

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：HTM-3051-TP1 编号：C34376187

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.556985 ￥0.5863
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型号：HTM-3023-TP1 编号：C34376184

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HTLP184GB 编号：C52260341

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入，输入侧正向压降为1.25V，可有效适配多种低电压驱动电路。输出端为光电三极管结构，最大输出电流达50mA，具备基本的开关控制能力。电流传输比（CTR）范围为50%至400%，相较于同类产品具有更高的信号增益和更宽的动态响应范围，有利于提升信号传输的稳定性与可靠性。器件通过光介质实现输入与输出之间的电气隔离，常用于电源隔离反馈、数字逻辑电路间的信号耦合、通信接口电平转换及高噪声环境中的干扰抑制，适用于对电路安全性与信号完整性有要求的电子设备设计。

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型号：HT-3021 编号：C34376222

封装：DIP-6

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.817855 ￥0.8609
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型号：HT-3022 编号：C34376221

封装：DIP-6

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：HTM-3062-TP1 编号：C34376191

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.85253 ￥0.8974
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型号：PC814X1CSZ9F-HXY 编号：C52260338

封装：DIP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入，输出端为光电三极管结构，具备良好的信号转换能力。其正向压降典型值为1.2V，适用于低功耗电路设计。最大输出电流可达50mA，可满足多种负载驱动需求。电流传输比（CTR）范围宽，达到20%至300%，确保在不同工作条件下均有稳定响应。器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离，常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景，是实现电路间安全信号传输的关键元件。

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￥0.447925 ￥0.4715

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型号：MOC3052S 编号：C7472389

封装：SMD