驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：OB3330XCPA 编号：C97315

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB3330X是一款采用原边反馈控制技术并实现高功率因数校正的LED恒流驱动控制器，应用于反激隔离LED照明。无需TL431和光耦等二次侧元器件。芯片工作于临界模式，最大化的减小开关损耗，提高效率。

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￥3.12
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型号：UCC23511DWYR 编号：C2798375

封装：SO-6-6.8mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23511是一款适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有1.5A峰值拉电流和2A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23511可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型SO6封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组I的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23511具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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￥3.68
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型号：LTV-3120S-TA1 编号：C2944025

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 3120系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。3.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V / 100 A的IGBT

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型号：MOC3043SR2M 编号：C41809

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：MOC3163M 编号：C463825

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：OR-341W-TA1 编号：C3031118

封装：SOP-6

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 341包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压

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￥2.97
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型号：NSi6801C-DSWFR 编号：C5123577

封装：SOW-6

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSi6801是一款单通道隔离式栅极驱动器，与流行的光耦栅极驱动器引脚兼容。该器件可在许多应用中驱动IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET，如电机控制系统、太阳能逆变器和电源。它能够提供和吸收5A的峰值电流

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型号：ACPL-P480-560E 编号：C691961

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。通过减少开关死区时间，将器件之间的传播延迟差异降至最低，以最大化逆变器效率。

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型号：LTV-316J-TP1 编号：C2944028

封装：-

品牌：LITEON(光宝)

包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，其提供的电压和电流适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT，对于更高额定值的IGBT，可用于驱动分立功率级来驱动IGBT栅极。绝缘电压为V_IOM = 1414V_peak，光耦合器的工作参数在-40°C至 + 100°C的温度范围内得到保证。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将具有故障保护和反馈功能的完整隔离IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中

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￥12.33
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￥9.1
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￥7.25

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型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

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￥13.01
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型号：HCPL-0300-500E 编号：C6796000

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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型号：TPSI3052DWZR 编号：C20346001

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

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￥32.66
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￥25.23

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型号：ACSL-7210-56RE 编号：C6733685

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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￥34.64
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￥21.72

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型号：HTM-3021-TP1 编号：C34376186

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.56563 ￥0.5954
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￥0.462175 ￥0.4865
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￥0.40527 ￥0.4266

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型号：MOC3043D 编号：C7472402

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：2000V/us 三路驱动器输出光耦合器，400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此

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￥1.0209
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2470+
￥0.7362

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型号：SY5867FAC 编号：C178238

封装：SO-8

品牌：Silergy(矽力杰)

SY5867 是一种调光接口转换器，其输入信号可以是 0/1~10V 调光信号、电阻或脉冲宽度调制信号。它能够自动识别信号。SY5867 的最终输出是一个脉冲宽度调制信号，用于控制可调光的恒流调节器或驱动光耦合器以实现隔离调光。输出脉冲宽度调制信号的频率以及驱动无源 0~10V 调光器/电阻的源电流可以通过外部电容和电阻设置。

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￥1.28212 ￥1.687
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￥0.999306 ￥1.5141
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￥0.79365 ￥1.2025
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￥0.755568 ￥1.1448

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型号：4N25M 编号：C5241

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥2.3922
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￥1.3084
2000+
￥1.183
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￥1.1077

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型号：APY211G2HS 编号：C42444433

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

是逻辑到功率的接口设备，基本功能是从微处理器获取低电流信号以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，具有长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高速度和高频开关、更高灵敏度（更低功耗）、抗 EMI 或 RF、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小等优势。通过接收低电平输入电流（< 5mA）来驱动输入红外 LED，该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合，进而产生光电压为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电，允许交流和直流输出负载。通过移动光子来实现开关功能，无机械磨损，提供一致可靠的开关。

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￥3.97
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￥3.49
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￥3.26
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￥3.02
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￥2.88
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￥2.81

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型号：MOC3061SR2M 编号：C41647

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.42
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￥2.7
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￥2.24
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型号：NSi6801TC-DDBR 编号：C3975233

封装：DUB-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSi6801 是一款单通道隔离式栅极驱动器，与常见的光耦栅极驱动器引脚兼容。它能够提供和吸收 5A 的峰值电流。150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度（CMTI）可确保系统的稳健性

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￥6.91
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￥4.91
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￥3.59

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥7.46
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￥6.79
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￥6.38
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￥5.95
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￥5.76
1000+
￥5.68

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型号：HCPL-0370-500E 编号：C692007

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

数据手册

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￥14.2
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￥12.13
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￥10.84
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￥8.49
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￥7.89

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型号：HCPL-3700-000E 编号：C692043

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

数据手册

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￥25.34
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￥21.87
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￥19.81
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￥17.72

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型号：ASSR-1510-003E 编号：C22379959

封装：SOP-4

品牌：Broadcom(博通)

专为大电流应用而设计，常见于工业应用中。由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）

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￥44.01
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￥38.24
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￥34.72
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￥31.78

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型号：HL3H7B 编号：C48783748

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种常用的光电隔离器件，适用于多种电子设备中的信号传输与隔离需求。该器件输入侧采用直流电压驱动，正向压降为1.2V，确保了较低的功耗和稳定的输入特性。输出端为光电三极管结构，具备良好的线性响应能力，电流传输比（CTR）范围为130-260%，支持高效的信号转换。该参数组合使其适用于各类通用控制电路、电源管理模块、通信接口以及家电设备中的电气隔离与信号耦合场景。

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型号：PC814 编号：C52260339

封装：SMD-4P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入驱动，输出端为光电三极管，输入侧正向压降为1.2V，功耗较低，适合对能效有要求的电路设计。输出最大电流为50mA，具备基本的负载驱动能力。电流传输比（CTR）在20%至300%之间，具有较宽的工作范围，适应不同信号强度的传输需求。通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，常用于电源反馈控制、数字信号隔离、通信设备接口及电路级间耦合等应用，有效抑制干扰并保障系统安全性。