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封装：SO-6-4.6mm

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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￥13.72
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￥11.49
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￥10.1
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￥8.68
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￥8.03
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￥7.75

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型号：ACPL-W349-500E 编号：C691969

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P349/W349包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动功率转换应用中使用的碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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￥14.03
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￥7.8596 ￥8.02
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￥7.6048 ￥7.76

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型号：HCPL-J312-500E 编号：C692062

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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￥20.52
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￥17.56
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￥15.8
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￥12.09

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型号：ASSR-1411-501E 编号：C6507629

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。探测器由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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￥22.74
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￥17.27
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￥14.26
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￥13.83

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型号：HCPL-0300-500E 编号：C6796000

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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￥29.59
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￥25.15
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￥22.51
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￥19.84
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￥18.06

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型号：PC814 编号：C52260339

封装：SMD-4P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入驱动，输出端为光电三极管，输入侧正向压降为1.2V，功耗较低，适合对能效有要求的电路设计。输出最大电流为50mA，具备基本的负载驱动能力。电流传输比（CTR）在20%至300%之间，具有较宽的工作范围，适应不同信号强度的传输需求。通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，常用于电源反馈控制、数字信号隔离、通信设备接口及电路级间耦合等应用，有效抑制干扰并保障系统安全性。

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￥0.478135 ￥0.5033
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￥0.331075 ￥0.3485
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型号：HTM-3021-TP1 编号：C34376186

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.556985 ￥0.5863
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￥0.488015 ￥0.5137
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型号：MOC3043D 编号：C7472402

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：2000V/us 三路驱动器输出光耦合器，400V 零交叉 MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此

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￥1.0209
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￥0.8916
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￥0.8361
520+
￥0.767
2470+
￥0.7362

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型号：4N26SR2M 编号：C898945

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥1.3167 ￥3.99
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￥0.7475 ￥3.25
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￥0.3744 ￥2.88
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￥0.2821 ￥2.17

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型号：6N138M 编号：C20612604

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

6N138M 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。

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￥1.84023 ￥2.0447
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￥1.45467 ￥1.6163
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￥1.28943 ￥1.4327
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￥0.99153 ￥1.1017
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￥0.93636 ￥1.0404

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型号：6N136M 编号：C20612602

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

6N136M 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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型号：AT480-CuH-W 编号：C20612782

封装：SOP-6-W

品牌：AOTE(奥特)

AT480 高速光耦合器包含一个 GaAsP LED 和一个光电探测器，内置施密特触发器，提供逻辑兼容波形，可节省额外波形整型需求。广泛应用于：IPM 接口隔离、隔离 IGBT/MOSFET 门驱动器、交流和无刷直流电机驱动、工业变频器、通用数字隔离

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￥2.898 ￥3.22
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￥2.835 ￥3.15
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￥2.745 ￥3.05

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型号：UCC23511DWYR 编号：C2798375

封装：SO-6-6.8mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23511是一款适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有1.5A峰值拉电流和2A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23511可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型SO6封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组I的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23511具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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￥3.73
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￥3.05
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￥2.72
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￥2.38

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型号：HCPL-3140-500E 编号：C692036

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥7.5
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￥6.17
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￥5.43
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￥4.5178 ￥4.61
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￥4.1552 ￥4.24
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￥3.9886 ￥4.07

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型号：HCPL-314J-500E 编号：C545701

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 314J 系列器件由一个 AlGaAs 发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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￥9.11
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￥8.33
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￥7.84
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￥7.056 ￥7.35
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￥6.8352 ￥7.12
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￥6.7392 ￥7.02

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型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

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￥10.76
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￥9.01
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￥7.91
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￥6.79

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型号：FOD3184SDV 编号：C899272

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥11.86
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￥11.02
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￥10.49
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￥7.51
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￥7.27
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￥7.16

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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￥13.14
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￥11.18
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￥8.92
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￥7.5068 ￥7.66
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￥6.9482 ￥7.09
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￥6.7032 ￥6.84

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型号：ACPL-K64L-500E 编号：C691950

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将铝镓砷发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出采用压摆率控制，旨在允许在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃ 至 +105℃ 温度范围内保证交直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥22.47
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￥19.08
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￥17.07
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￥15.03
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￥14.09

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型号：SD6800BC 编号：C403832

封装：SOP-8

品牌：SILAN(士兰微)

是单级初级侧调节 (PSR) 功率因数校正 (PFC) 控制器，专为 LED 驱动器设计。采用恒定导通时间操作以实现高功率因数。提供精确的恒流控制，并在边界传导模式 (BCM) 下高效运行。采用初级侧调节，消除了光耦、次级反馈控制和环路补偿，以降低设计和成本。提供完善的保护，如 LED 短路保护、LED 开路保护和过温保护等。

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￥0.71962 ￥1.3084
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￥0.631895 ￥1.1489
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￥0.59433 ￥1.0806
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￥0.547415 ￥0.9953
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￥0.526515 ￥0.9573
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￥0.513975 ￥0.9345

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型号：MOC3053S 编号：C7472390

封装：SMD

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1000V/us 三路驱动器光耦合器，随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻

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￥0.9667
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￥0.7766
150+
￥0.6816

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型号：HT-3062-S1TA1 编号：C34376233

封装：SMD-6P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.999
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￥0.7883
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￥0.698
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￥0.561

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型号：MOC3052 编号：C115470

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小600V。高关态电压临界上升率 (dV/dt：最小1000V/μs)。应用：AC电机驱动器。 AC电机启动器

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￥1.3512
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￥1.0907
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￥0.9058

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型号：HLM3053 编号：C48783756

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为可控硅输出光耦，采用双向可控硅结构，适合用于交流负载的开关控制。其输入端最大正向电流为50mA，正向压降(Vf)为1.2V，可兼容多种常见驱动电路。器件具备3750Vrms的隔离电压，有效实现输入与输出之间的电气隔离，提升整体电路的安全性与抗干扰能力。该光耦广泛应用于家电控制、智能开关、电动工具及照明调节等场景，适用于需要可靠交流控制的电路系统。