驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-16-300mil

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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￥14.32
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型号：ASSR-1410-503E 编号：C2686006

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）

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￥21.94
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型号：ACPL-K64L-560E 编号：C961431

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：ACPL-K73L-500E 编号：C6854560

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

是 15 MBd CMOS 光耦合器，分别采用 SSOIC-6 和 SSOIC-8 封装。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器以及一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：AP3766K6TR-G1 编号：C176965

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP3766是一款高性能的AC/DC电源控制器，适用于LED驱动、电池充电器和适配器应用。该器件采用脉冲频率调制（PFM）方法构建不连续导通模式（DCM）反激式电源。AP3766提供精确的恒压、恒流（CV/CC）调节，同时去除了光耦合器和次级控制电路。它还消除了环路补偿电路的需求，同时保持稳定性。AP3766实现了优秀的调节性能和高平均效率，同时满足空载功耗小于30mW的要求。AP3766采用SOT26封装。

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￥0.53604 ￥1.489
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型号：HTM-3063-TP1 编号：C34376192

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.6137 ￥0.646
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型号：MOC3083D 编号：C7472409

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 三路驱动器输出光耦合器，800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的

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型号：SY5867FAC 编号：C178238

封装：SO-8

品牌：Silergy(矽力杰)

SY5867 是一种调光接口转换器，其输入信号可以是 0/1~10V 调光信号、电阻或脉冲宽度调制信号。它能够自动识别信号。SY5867 的最终输出是一个脉冲宽度调制信号，用于控制可调光的恒流调节器或驱动光耦合器以实现隔离调光。输出脉冲宽度调制信号的频率以及驱动无源 0~10V 调光器/电阻的源电流可以通过外部电容和电阻设置。

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￥1.73727 ￥1.9303
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型号：MOC3063SR2M 编号：C13411

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：MOC3043SR2M 编号：C41809

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：OR-341W-TA1 编号：C3031118

封装：SOP-6

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 341包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：LTV-316J-TP1 编号：C2944028

封装：-

品牌：LITEON(光宝)

包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，其提供的电压和电流适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT，对于更高额定值的IGBT，可用于驱动分立功率级来驱动IGBT栅极。绝缘电压为V_IOM = 1414V_peak，光耦合器的工作参数在-40°C至 + 100°C的温度范围内得到保证。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将具有故障保护和反馈功能的完整隔离IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中

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￥9.52
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型号：IL420-X009T 编号：C511027

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由与光敏非过零三端双向可控硅网络光耦合的砷化镓红外发光二极管组成。三端双向可控硅由两个反向并联的单片可控硅组成。这三个半导体组装在一个六引脚双列直插式封装中。通过使用射极跟随器光电晶体管和级联可控硅预驱动器实现了高输入灵敏度，从而使LED触发电流小于2 mA（直流）

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￥18.79
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型号：HLTV217BG 编号：C48783749

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种实现电气隔离与信号传输的关键元件，适用于多种电子系统中的隔离控制应用。器件输入侧支持直流电压驱动，正向压降为1.2V，保证了稳定的工作性能和较低的能耗。输出端采用光电三极管结构，具备良好的响应特性，电流传输比（CTR）在130-260%之间，可满足不同电路设计对信号传递效率的需求。该器件常用于通信设备、消费类电子产品、仪器仪表及电源控制系统中，实现输入与输出间的电气隔离与信号连接。

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￥0.4583
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型号：HL3H7C 编号：C48783750

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种用于电信号隔离与转换的常用电子元件，适用于多种电路隔离和信号传输场景。该器件输入端采用直流电压供电，正向压降为1.2V，具备良好的电气稳定性与低功耗特性。输出端为光电三极管结构，电流传输比（CTR）范围为200-400%，提供较强的信号驱动能力与线性响应表现。其性能特点使其广泛应用于通信设备、家用电器、测量仪器及数字控制系统中，实现输入与输出之间的电气隔离与信号有效传递。

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型号：MOC3083 编号：C10797

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入和输出之间的隔离电压 Viso: 5,000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM: Min. 800V。高关态电压临界上升率 (dv/dt : MIN. 800V/μs)。双列直插式封装。宽引脚间距封装。应用：AC 电机驱动器。 AC 电机启动器

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￥1.7047
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￥1.0079

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型号：LD7839GJ 编号：C5124416

封装：SOP-10-150mil

品牌：Leadtrend(通嘉科技)

是一款适用于LED照明应用的单级反激式PFC控制器，具有可调光恒流和原边调节（PSR）控制算法。它驱动转换器在准谐振模式下运行以实现高效率。通过PSR，无需次级侧的并联稳压器和光耦合器，可根据原边电流进行精确反馈。是QR/DCM模式和电压模式PFC控制器，开关导通时间固定，关断时间在稳态下变化，开关频率根据输入电压或输出功率变化而变化，最大开关频率限制在约90kHz，最小开关频率限制在约20kHz。可通过调节DIM引脚电压支持模拟调光，具备过载保护、过压保护、过流保护、欠压锁定和电流检测的LEB等强大保护功能，还通过可编程NTC提供热折返功能。

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￥2.64
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型号：PC3SD12NTZAH 编号：C908103

封装：DIP-5

品牌：SHARP(夏普)

光控三端双向可控硅耦合器包括一个红外发射二极管 (IRED)，该二极管通过光耦合到一个输出光控三端双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流三端双向可控硅的理想隔离驱动器。DIP 封装提供 5.0kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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￥1.95

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型号：MOC3163M 编号：C463825

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥3.95
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型号：LTV-3120S-TA1 编号：C2944025

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 3120系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。3.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V / 100 A的IGBT

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型号：APY211G2HS 编号：C42444433

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

是逻辑到功率的接口设备，基本功能是从微处理器获取低电流信号以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，具有长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高速度和高频开关、更高灵敏度（更低功耗）、抗 EMI 或 RF、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小等优势。通过接收低电平输入电流（< 5mA）来驱动输入红外 LED，该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合，进而产生光电压为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电，允许交流和直流输出负载。通过移动光子来实现开关功能，无机械磨损，提供一致可靠的开关。

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￥4.13
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￥3.19
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￥2.98

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型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.19
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￥2.81
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￥2.41
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￥2.05

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型号：ACPL-W343-560E 编号：C364870

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥6.67
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￥5.64
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￥4.712 ￥4.96

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型号：ACPL-P480-560E 编号：C691961

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。通过减少开关死区时间，将器件之间的传播延迟差异降至最低，以最大化逆变器效率。

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￥3.6848 ￥3.76
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￥3.5476 ￥3.62

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型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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￥8.22
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￥6.75
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￥5.95
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￥5.03
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￥4.53
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￥4.34

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型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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￥6.06

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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