驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：HCPL-073A-500E 编号：C17614719

封装：SO-8

这些是低功耗、高增益、单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容，双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可由低至40μA的输入电流驱动，典型电流传输比为3500%

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型号：ACPL-K73L-500E 编号：C6854560

封装：SOIC-8-6.8mm

是 15 MBd CMOS 光耦合器，分别采用 SSOIC-6 和 SSOIC-8 封装。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器以及一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：TLP290(GB-TP,E 编号：C3975022

封装：SOP-4-1.27mm

TLP290 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。由于 TLP290 保证了较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 110 °C 以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于可编程控制器和混合集成电路等高密度表面贴装应用。

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型号：S2S5A00F 编号：C3015396

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

Phototriac Coupler 包含一个红外发射二极管 (IRED)，光耦合到一个输出光电双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流双向可控硅的理想隔离驱动器。SOP 封装提供 3.75kV 的输入到输出隔离，具有出色的换向抗噪性。

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型号：LTV-T350S-TA1 编号：C721584

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - T350光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动额定值高达1200 V/100 A的大多数IGBT

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型号：MOC3082SR2M 编号：C899862

封装：SMD-6P

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：QCPL-341H-500E 编号：C692110

封装：SOP-8-2.54mm

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有630V峰值的最高绝缘电压。

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型号：FOD3150ASD 编号：C411200

封装：SOP-8-2.54mm

能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

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型号：SD6800BC 编号：C403832

封装：SOP-8

品牌：SILAN(士兰微)

是单级初级侧调节 (PSR) 功率因数校正 (PFC) 控制器，专为 LED 驱动器设计。采用恒定导通时间操作以实现高功率因数。提供精确的恒流控制，并在边界传导模式 (BCM) 下高效运行。采用初级侧调节，消除了光耦、次级反馈控制和环路补偿，以降低设计和成本。提供完善的保护，如 LED 短路保护、LED 开路保护和过温保护等。

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型号：6N136S 编号：C20612603

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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型号：CCi8331SWA-1DX 编号：C47817652

封装：SOP-6W

品牌：CrossChip(成都芯进)

CCi8331 是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流。33V 的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET 和SiC，具有60ns 典型传播延迟和25ns 最大脉宽失真。输入侧通过一个5.7kVRMS 增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制（CMTI）典型值为±250V/ns。

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型号：PC3SD12NTZAH 编号：C908103

封装：DIP-5

品牌：SHARP(夏普)

光控三端双向可控硅耦合器包括一个红外发射二极管 (IRED)，该二极管通过光耦合到一个输出光控三端双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流三端双向可控硅的理想隔离驱动器。DIP 封装提供 5.0kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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型号：NCL30488A2DR2G 编号：C904364

封装：SOIC-7

NCL30488 是一款针对隔离恒流LED驱动器的功率因数校正反激控制器。该控制器采用准谐振模式工作，以提供高效率。得益于一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧紧密调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置和光耦合器的需求。该器件高度集成，所需外部元件最少。内置了一整套强大的安全保护机制，简化了设计。它支持高压启动、准谐振峰值电流模式控制操作和初级侧反馈。NCL30488 提供精确的恒流/恒压控制，Vin 可达 320 Vrms，并具有典型的 ±2% 的 LED 恒流调节精度。它包括数字功率因数校正、逐周期峰值电流限制和宽范围的 VCC 工作电压。该器件还具备多种强大的保护机制，如欠压保护、VCC 过压保护、恒压/LED 开路保护、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、热关断和线路过压保护。

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型号：TLP352(F) 编号：C73968

封装：DIP-8

场效应管驱动光耦

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型号：TLP3905(V4-TPL,E 编号：C23067473

封装：SO-4

是一款采用SO6封装的光耦合器，由红外LED与光电二极管阵列光耦合组成。光电二极管串联，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：HCPL-070A-500E 编号：C692015

封装：SOIC-8

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：ASSR-1411-501E 编号：C6507629

封装：DIP-6

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。探测器由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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型号：ACPL-K64L-560E 编号：C961431

封装：SO-8-6.8mm

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HLTV217BG 编号：C48783749

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种实现电气隔离与信号传输的关键元件，适用于多种电子系统中的隔离控制应用。器件输入侧支持直流电压驱动，正向压降为1.2V，保证了稳定的工作性能和较低的能耗。输出端采用光电三极管结构，具备良好的响应特性，电流传输比（CTR）在130-260%之间，可满足不同电路设计对信号传递效率的需求。该器件常用于通信设备、消费类电子产品、仪器仪表及电源控制系统中，实现输入与输出间的电气隔离与信号连接。

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型号：HL3H7C 编号：C48783750

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种用于电信号隔离与转换的常用电子元件，适用于多种电路隔离和信号传输场景。该器件输入端采用直流电压供电，正向压降为1.2V，具备良好的电气稳定性与低功耗特性。输出端为光电三极管结构，电流传输比（CTR）范围为200-400%，提供较强的信号驱动能力与线性响应表现。其性能特点使其广泛应用于通信设备、家用电器、测量仪器及数字控制系统中，实现输入与输出之间的电气隔离与信号有效传递。

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型号：MOC3063S 编号：C7472393

封装：SMD

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 三路驱动器输出光耦合器，600V 零交叉 MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类

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型号：4N35M 编号：C4069

封装：DIP-6