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首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
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是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此,它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动
  • 1+

    ¥3.17
  • 10+

    ¥2.83
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    ¥2.66
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    ¥2.49
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    ¥2.05
  • 1500+

    ¥2
  • 有货
  • LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证
    数据手册
    • 1+

      ¥4.33
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      ¥2.17
  • 有货
  • NCL30188 是一款专为隔离和非隔离“智能调光”恒流LED驱动器设计的控制器。它支持反激式、升降压和SEPIC拓扑结构。其专有的电流控制算法可提供接近于1的功率因数,并从初级侧紧密调节恒定的LED电流,从而消除了对次级侧反馈电路或光耦合器的需求。NCL30188 采用SOIC8封装,适合非常紧凑、空间效率高的设计。该控制器高度集成,所需外部元件数量极少,并包含一系列强大的安全保护功能以简化设计。为了确保在高温下可靠运行,还提供了一个用户可配置的电流折返电路。主要特性包括:- 准谐振峰值电流模式控制- 带有初级侧反馈的恒流控制- 典型±2%的LED恒流精度- 功率因数校正- 线路前馈以提高调节精度- 低启动电流(典型值13 μA)- 宽Vcc范围- 300 mA / 500 mA图腾柱驱动器,带12 V栅极箝位- 强大的保护功能,如Vcc过电压保护、可编程过电压/LED开路保护、逐周期峰值电流限制、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、短路电流检测保护、用户可编程NTC热折返、热关断、Vcc欠压锁定和掉电保护NCL30188 与 NCL30088 引脚兼容,提供了相同的优点,同时提高了数字电流控制算法的分辨率,将LED电流量化纹波降低了75%。该器件适用于整体式LED灯泡和灯管、LED光源、LED驱动器/电源以及LED照明电子控制装置。它包含了全面的安全和保护功能,以确保稳健可靠的运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.93
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      ¥4.03
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  • 有货
  • 包含一个GaAsP LED,该LED通过光学方式耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值(选项060)。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.93
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      ¥4.77
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      ¥4.19
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      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.09
  • 有货
  • 适用于表面贴装组装,由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.72
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      ¥21.89
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      ¥19.31
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      ¥18.12
    • 1000+

      ¥17.59
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    • 1+

      ¥8.06
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      ¥6.68
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      ¥5.06
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      ¥4.34
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      ¥4.17
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.56835 ¥0.6315
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      ¥0.49905 ¥0.5545
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      ¥0.4644 ¥0.516
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      ¥0.43839 ¥0.4871
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      ¥0.4176 ¥0.464
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      ¥0.40725 ¥0.4525
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.89015 ¥0.937
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      ¥0.709555 ¥0.7469
    • 150+

      ¥0.59109 ¥0.6222
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      ¥0.523355 ¥0.5509
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      ¥0.469205 ¥0.4939
    • 5000+

      ¥0.442035 ¥0.4653
  • 有货
  • OR - 3120/OR - 3150由一个LED和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6
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      ¥2.74
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      ¥2.61
  • 有货
  • ISOM8610 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET,在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件,无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。与光耦合器相比,ISOM8610 光耦仿真器开关具有显著的可靠性和性能优势,例如更宽的温度范围和严格的过程控制,从而实现较小的器件间差异。由于没有要补偿的老化效应,因此仿真二极管输入级的功耗比存在 LED 老化效应并在器件使用寿命内需要更高偏置电流的光耦合器更低。ISOM8610 开关输出可在器件的使用寿命内仅通过阳极/阴极引脚的 0.8mA 电流来控制,从而实现系统节能。ISOM8610 是光耦仿真器开关,提供高达 3.75kV 的跨隔离栅隔离,是常用光继电器的引脚兼容直接替代产品。标准光耦合器使用 LED 作为输入级,而 ISOM8610 使用电流控制的仿真二极管作为输入级。输入级通过 TI 专有的基于二氧化硅 (SiO₂) 的隔离栅与驱动器级隔离,不仅能够提供可靠的隔离,而且还提供出色的性能。ISOM8610 可隔离高压信号,提供会随着时间推移而老化的传统光耦合器所不具备的性能、可靠性和灵活性优势。这些器件基于实现低功耗和高速运行的 CMOS 隔离技术,因此不受光耦合器中的磨损效应影响,这种磨损会随着温度、正向电流和器件使用年限的增加而降低性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.93
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      ¥8.25
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      ¥6.71
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      ¥6.51
  • 有货
  • 特性:输入和输出之间的隔离电压 Viso: 5,000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM: Min. 800V。 高关态电压临界上升率 (dv/dt : MIN. 800V/μs)。 双列直插式封装。 宽引脚间距封装。应用:AC 电机驱动器。 AC 电机启动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.666
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      ¥1.3376
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      ¥1.1894
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      ¥1.0138
    • 2080+

      ¥0.9357
  • 有货
  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.09
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      ¥4.16
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      ¥3.69
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      ¥3.22
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      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.31
  • 有货
  • 是单通道隔离栅极驱动器,与流行的光耦栅极驱动器引脚兼容。它可以提供和吸收 5A 峰值电流。系统鲁棒性由 150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 支持。驱动器的最大电源电压为 32V。虽然输入电路模仿了 LED 的特性,但与标准光隔离栅极驱动器相比,它具有性能优势,包括更高的可靠性和老化性能、更高的工作温度、更短的传播延迟和更小的脉冲宽度失真。因此,适合在高可靠性、功率密度和效率的开关电源系统中替代光隔离驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.42
    • 30+

      ¥3.83
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      ¥3.25
    • 500+

      ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.72
  • 有货
  • 高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化,通过减少开关死区时间提高逆变器效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.95
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.35
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      ¥3.82
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      ¥2.92
    • 1000+

      ¥2.75
  • 有货
  • 是一款DIP8封装的光耦合器,由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
    • 10+

      ¥5.46
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.2
    • 500+

      ¥3.3
    • 1500+

      ¥3.11
  • 有货
  • 超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低,在整个温度范围内,每通道IDD2电流最大为1.3mA。LED正向电流低至1.6mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的宽温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.44
    • 10+

      ¥9.74
    • 30+

      ¥8.68
    • 100+

      ¥7.26
    • 500+

      ¥6.77
    • 1500+

      ¥6.56
  • 有货
  • 是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET,由AIGaAs红外发光二极管(LED)输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启(触点闭合),在输入电压为0.4V或更低时关闭(触点断开)。提供增强绝缘和可靠性,可实现安全的信号隔离,适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.95
    • 10+

      ¥21.34
    • 30+

      ¥18.57
    • 100+

      ¥16.4
    • 500+

      ¥15.4
  • 有货
  • 小型扁平耦合器适用于表面贴装组装,由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成,适用于MOS FET栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥38.09
    • 10+

      ¥32.54
    • 30+

      ¥29.16
    • 150+

      ¥26.33
  • 有货
  • 晶体管输出光耦是一种常用的光电隔离器件,适用于多种电子设备中的信号传输与电气隔离场景。该器件输入侧采用直流电压驱动,内置发光二极管在正向导通时产生光线;输出侧为光电三极管结构,能够将接收到的光信号转换为电流输出。其正向压降为1.2V,适合低功耗应用设计。电流传输比(CTR)范围为200-400%,表明其具备较高的光电转换效率和良好的信号传递线性度。此类光耦广泛应用于通信设备、消费类电子产品及各类控制电路中,以实现输入与输出之间的电气隔离,提升系统安全性与抗干扰性能。
    • 10+

      ¥0.475
    • 100+

      ¥0.379
    • 300+

      ¥0.331
    • 3000+

      ¥0.295
    • 6000+

      ¥0.2662
    • 9000+

      ¥0.2517
  • 有货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小600V。 高关态电压临界上升率 (dV/dt:最小1000V/μs)。应用:AC电机驱动器。 AC电机启动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0761
    • 50+

      ¥0.9133
    • 150+

      ¥0.8436
    • 1000+

      ¥0.7259
    • 2000+

      ¥0.6794
  • 有货
  • 6N137S是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光 电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统 光电晶体管耦合器提高 100 倍。 广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等
    • 5+

      ¥1.619845 ¥1.7051
    • 50+

      ¥1.284685 ¥1.3523
    • 150+

      ¥1.141045 ¥1.2011
    • 1000+

      ¥0.978215 ¥1.0297
    • 2000+

      ¥0.898415 ¥0.9457
    • 5000+

      ¥0.850535 ¥0.8953
  • 有货
  • 该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.63
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.78
    • 50+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.78
    • 1000+

      ¥1.68
  • 有货
  • 由与光敏非过零三端双向可控硅网络光耦合的砷化镓红外发光二极管组成。三端双向可控硅由两个反向并联的单片可控硅组成。这三个半导体组装在一个六引脚双列直插式封装中。通过使用射极跟随器光电晶体管和级联可控硅预驱动器实现了高输入灵敏度,从而使LED触发电流小于2 mA(直流)
    数据手册
    • 1+

      ¥19.29
    • 10+

      ¥16.61
    • 30+

      ¥15.02
    • 100+

      ¥13.4
    • 500+

      ¥12.66
    • 1000+

      ¥12.32
  • 有货
  • 由红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启(触点闭合)。输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)。单通道配置相当于1 Form A机电继电器(EMR),双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接,输出电流IO增加到0.4A,导通电阻R(ON)降至2.5Ω。
    • 1+

      ¥21.13
    • 10+

      ¥18.3
    • 30+

      ¥16.62
    • 100+

      ¥14.93
    • 500+

      ¥14.14
  • 有货
  • 专为高电流应用而设计,常见于工业设备中。该继电器是单极、常开(1 Form A)机电继电器的固态替代品。 由一个铝镓砷红外发光二极管(LED)输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时,继电器导通(触点闭合);当输入电压为0.8V或更低时,继电器断开(触点打开)。 连接方式A允许继电器切换交流或直流负载;连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点,仅允许继电器切换直流负载。 电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。
    • 1+

      ¥40.89
    • 10+

      ¥35.24
    • 30+

      ¥31.79
    • 100+

      ¥28.9
  • 有货
  • 低功率数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在不同温度下,每通道最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功率光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥3.85
    • 30+

      ¥3.39
    • 100+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.67
    • 1500+

      ¥2.53
  • 有货
  • UCC53x0 是一系列单通道隔离式栅极驱动器,用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和GaN FET(UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出,可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位,以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的UVLO2 以GND2 为基准,以获取真实的UVLO 读数。UCC53x0 采用4mm SOIC-8 (D) 或8.5mm SOIC-8(DWV) 封装,可分别支持高达3kVRMS 和5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项,UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。与光耦合器相比,UCC53x0 系列的部件间偏移更低,传播延迟更小,工作温度更高,并且CMTI 更高。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.06
    • 10+

      ¥10.8
    • 30+

      ¥9.92
    • 100+

      ¥9.11
    • 500+

      ¥8.74
  • 有货
  • 该产品是双通道双向25 MBd数字光耦合器,采用CMOS IC技术和专利封装技术,在小于2mm的薄型窄体SOIC-8封装中实现3750 VRMS的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化,如现场总线(PROFIBUS)和串行外设接口(SPI)应用。每个通道的主要组成部分包括由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40 ns的快速传播延迟和最大10 ns的短脉冲宽度失真
    • 1+

      ¥33.52
    • 10+

      ¥28.56
    • 30+

      ¥25.53
    • 100+

      ¥23
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 1+

      ¥1.02068 ¥1.0744
    • 10+

      ¥0.80997 ¥0.8526
    • 30+

      ¥0.71972 ¥0.7576
    • 100+

      ¥0.60705 ¥0.639
    • 500+

      ¥0.55689 ¥0.5862
    • 1000+

      ¥0.526775 ¥0.5545
  • 有货
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