驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：SiLM5350MDDCM-DG 编号：C22396743

封装：SOP-8W

品牌：Sillumin(数明半导体)

是单通道隔离栅极驱动器，适用于IGBT和MOSFET，具有10A源极和10A灌极峰值输出电流。提供可单独控制上升和下降时间的分离输出，有内部钳位以防止米勒电流引起的误开启。在SOP8W封装中具有5000 VRMS隔离，在SOP8封装中具有3000 VRMS隔离（符合UL1577标准）。相比基于标准光耦合器的栅极驱动器，带来显著的性能和可靠性提升，包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉冲宽度失真和更高的工作温度。适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。

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型号：HCPL-0314-500E 编号：C545691

封装：SOP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：MOC3061SM 编号：C899831

封装：SMD-6P

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：HCPL-0370-500E 编号：C692007

封装：SO-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

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型号：HCPL-073A-500E 编号：C17614719

封装：SO-8

这些是低功耗、高增益、单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容，双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可由低至40μA的输入电流驱动，典型电流传输比为3500%

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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

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型号：HTM-3083-TP1 编号：C34376193

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：OB3330XCPA 编号：C97315

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB3330X是一款采用原边反馈控制技术并实现高功率因数校正的LED恒流驱动控制器，应用于反激隔离LED照明。无需TL431和光耦等二次侧元器件。芯片工作于临界模式，最大化的减小开关损耗，提高效率。

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型号：CCi8331SWA-1DX 编号：C47817652

封装：SOP-6W

品牌：CrossChip(成都芯进)

CCi8331 是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流。33V 的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET 和SiC，具有60ns 典型传播延迟和25ns 最大脉宽失真。输入侧通过一个5.7kVRMS 增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制（CMTI）典型值为±250V/ns。

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型号：LTV-T350S-TA1 编号：C721584

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - T350光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动额定值高达1200 V/100 A的大多数IGBT

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型号：ACPL-W346-500E 编号：C691968

封装：SOP-6-6.8mm

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：NSi6801TC-DDBR 编号：C3975233

封装：DUB-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSi6801 是一款单通道隔离式栅极驱动器，与常见的光耦栅极驱动器引脚兼容。它能够提供和吸收 5A 的峰值电流。150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度（CMTI）可确保系统的稳健性

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型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：ACPL-W61L-500E 编号：C691976

封装：SO-6

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCPL-3150-500E 编号：C2926379

封装：SMD-8P

由一个与带功率输出级的集成电路光耦合的LED组成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

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型号：HCPL-063N-500E 编号：C692013

封装：SOP-8

光耦合门提供了行业标准6N37系列的所有优点，同时具有与HCMOS兼容的输入电流。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少老化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ACSL-7210-56RE 编号：C6733685

封装：SO-8

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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型号：HLTV217TP1CG 编号：C48783751

封装：SSOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

晶体管输出光耦是一种常用的光电隔离器件，适用于多种电子设备中的信号传输与电气隔离场景。该器件输入侧采用直流电压驱动，内置发光二极管在正向导通时产生光线；输出侧为光电三极管结构，能够将接收到的光信号转换为电流输出。其正向压降为1.2V，适合低功耗应用设计。电流传输比（CTR）范围为200-400%，表明其具备较高的光电转换效率和良好的信号传递线性度。此类光耦广泛应用于通信设备、消费类电子产品及各类控制电路中，以实现输入与输出之间的电气隔离，提升系统安全性与抗干扰性能。

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型号：4N25M 编号：C5241

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：SLM343CK-DG 编号：C881768

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM343是一款光兼容单通道隔离式栅极驱动器，适用于IGBT和MOSFET，源极峰值输出电流为4.0A，灌电流峰值输出电流为6.0A，具备5kVRMS增强隔离等级。SLM343可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。输入级为模拟二极管，与传统LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用拉伸型SO6封装，爬电距离和电气间隙>8.5mm。模塑料属于材料组I，相比漏电起痕指数（CTI）>600V。SLM343的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。

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型号：TIL117M 编号：C13705

封装：DIP-6

MOC8100、TIL111 和 TIL117 光耦合器在 6 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：NCL30488A2DR2G 编号：C904364

封装：SOIC-7

NCL30488 是一款针对隔离恒流LED驱动器的功率因数校正反激控制器。该控制器采用准谐振模式工作，以提供高效率。得益于一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧紧密调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置和光耦合器的需求。该器件高度集成，所需外部元件最少。内置了一整套强大的安全保护机制，简化了设计。它支持高压启动、准谐振峰值电流模式控制操作和初级侧反馈。NCL30488 提供精确的恒流/恒压控制，Vin 可达 320 Vrms，并具有典型的 ±2% 的 LED 恒流调节精度。它包括数字功率因数校正、逐周期峰值电流限制和宽范围的 VCC 工作电压。该器件还具备多种强大的保护机制，如欠压保护、VCC 过压保护、恒压/LED 开路保护、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、热关断和线路过压保护。

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型号：MOC3061SR2M 编号：C41647

封装：SOP-6-2.54mm

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP352(F) 编号：C73968

封装：DIP-8