驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.98
30+
￥2.61
100+
￥2.3
500+
￥2.2
1000+
￥2.14

有货

立即购买

型号：HCPL-316J-500E 编号：C27553

封装：SO-16-300mil

具有集成去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈的2.5A栅极驱动光耦合器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足全球安全和监管要求。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定 (UVLO)、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将完整的、带故障保护和反馈的隔离式IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中。TTL输入逻辑电平允许直接与微控制器接口，光隔离功率输出级驱动功率额定值高达150A和1200V的IGBT。高速内部光链路可最大限度地减少微控制器和IGBT之间的传播延迟，同时允许两个系统在工业电机驱动器和其他功率开关应用中常见的非常大的共模电压差下运行

数据手册

1+
￥11.96
10+
￥10.39
30+
￥9.28
100+
￥8.27
500+
￥7.81
850+
￥7.62

有货

立即购买

型号：MOC3083M 编号：C23552

封装：DIP-6

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.83
50+
￥3.17
100+
￥2.72
500+
￥2.45
1000+
￥2.32

有货

立即购买

型号：ACPL-333J-500E 编号：C691931

封装：SO-16-300mil

是先进的2.5A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈、有源米勒钳位和自动故障复位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414VPEAK

数据手册

1+
￥18.45
10+
￥15.89
30+
￥14.29
100+
￥11.26
500+
￥10.52
850+
￥10.2

有货

立即购买

型号：MOC3083S-TA1 编号：C115474

封装：SMD-6P

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso: 5,000Vrms。 6引脚DIP过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压VDRM: 最小800V。应用：AC电机驱动器

数据手册

5+
￥1.9884
50+
￥1.6085
150+
￥1.4457
1000+
￥1.1803
2000+
￥1.0898
5000+
￥1.0355

有货

立即购买

型号：MOC3061M 编号：C8918

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.72
10+
￥3.99
50+
￥3.2
100+
￥2.84
500+
￥2.63
1000+
￥2.51

有货

立即购买

型号：ACPL-064L-500E 编号：C38485

封装：SOIC-8

超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低，每个通道的IDD电流在整个温度范围内最大为1.3 mA。输入电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了最低20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3 V和5 V电源电压下工作，在-40°C至+105°C的宽温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

数据手册

1+
￥9.89
10+
￥8.29
30+
￥7.41
100+
￥5.5
500+
￥5.05
1500+
￥4.85

有货

立即购买

型号：TLP5754(TP,E 编号：C331357

封装：SOIC-6-300mil

IGBT驱动光耦

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.9
30+
￥4.37
100+
￥3.84
500+
￥2.89
1500+
￥2.73

有货

立即购买

型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥6.04
10+
￥4.84
30+
￥4.24
100+
￥3.64
500+
￥3.29
1000+
￥3.1

有货

立即购买

型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

数据手册

1+
￥6.36
10+
￥5.21
30+
￥4.57
100+
￥3.86
500+
￥3.54
1000+
￥3.4

有货

立即购买

型号：MOC3083SR2M 编号：C111561

封装：SMD-6P

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.14
30+
￥3.64
100+
￥3.14
500+
￥2.77
1000+
￥2.61

有货

立即购买

型号：MPCM3063(T1)-GV 编号：C17701956

封装：SOP-4

品牌：MP(美禄科技)

光耦光耦：控制可控硅触发，电吹风发热控制，低触发电流：≤5mA，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥0.9211
50+
￥0.7028
150+
￥0.6092
500+
￥0.4924
3000+
￥0.4805
6000+
￥0.4493

有货

立即购买

型号：SLM343CK-DG 编号：C881768

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM343是一款光兼容单通道隔离式栅极驱动器，适用于IGBT和MOSFET，源极峰值输出电流为4.0A，灌电流峰值输出电流为6.0A，具备5kVRMS增强隔离等级。SLM343可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。输入级为模拟二极管，与传统LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用拉伸型SO6封装，爬电距离和电气间隙>8.5mm。模塑料属于材料组I，相比漏电起痕指数（CTI）>600V。SLM343的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。

数据手册

5+
￥2.4233
50+
￥1.9138
150+
￥1.6955
1000+
￥1.3977
2000+
￥1.2764
5000+
￥1.2036

有货

立即购买

型号：MOC3021 编号：C123202

封装：DIP-6

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小400V。应用：交流电机驱动器

数据手册

5+
￥1.0305
50+
￥0.8372
130+
￥0.706
520+
￥0.6336
2080+
￥0.5756
5200+
￥0.5466

有货

立即购买

型号：MOC3023 编号：C94019

封装：DIP-6

特性：6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高输入-输出隔离电压Viso = 5000Vrms。高重复峰值关态电压VDRM：最小400V。高关态电压临界上升率dV/dt：最小1000V/μs。双列直插式封装。宽引脚间距封装。应用：电机控制。固态继电器

数据手册

5+
￥1.1481
50+
￥0.9113
130+
￥0.7311
520+
￥0.6044
2080+
￥0.548
5200+
￥0.5141

有货

立即购买

型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.78
30+
￥2.43
100+
￥2.07
500+
￥1.86
1500+
￥1.75

有货

立即购买

型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

数据手册

1+
￥14.46
10+
￥12.32
30+
￥10.98
100+
￥9.61
500+
￥8.99
1500+
￥8.72

有货

立即购买

型号：MOC3063 编号：C78487

封装：DIP-6

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。应用：交流电机驱动器

数据手册

5+
￥1.2046
50+
￥0.9995
130+
￥0.8519
520+
￥0.764
2080+
￥0.7054
5200+
￥0.6702

有货

立即购买

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.85
10+
￥2.51
30+
￥2.35
100+
￥2.18
500+
￥2.08
1500+
￥2.02

有货

立即购买

型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3
50+
￥2.48
100+
￥2.12
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

立即购买

型号：MPCM3053(T1)-GV 编号：C17701955

封装：SOP-4

品牌：MP(美禄科技)

光耦光耦：控制可控硅触发，电吹风发热控制，低触发电流：≤5mA，可直接替代：M3052(触发电流≤10mA)，该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载。

5+
￥0.787
50+
￥0.6187
150+
￥0.5345
500+
￥0.4714
3000+
￥0.4209
6000+
￥0.3957

有货

立即购买

型号：MOC3052 编号：C115470

封装：DIP-6

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小600V。高关态电压临界上升率 (dV/dt：最小1000V/μs)。应用：AC电机驱动器。 AC电机启动器

数据手册

5+
￥1.4203
50+
￥1.1525
130+
￥0.9625
520+
￥0.8194
2080+
￥0.7556
5200+
￥0.7173

有货

立即购买

型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.21
10+
￥3.48
50+
￥2.97
100+
￥2.61
500+
￥2.39
1000+
￥2.28

有货

立即购买

型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.5
30+
￥3.95
100+
￥3.41
500+
￥2.87
1000+
￥2.7

有货

立即购买

型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.68
50+
￥4.31
100+
￥3.64
500+
￥3.34
1000+
￥3.2

有货

立即购买

型号：LTV-3063 编号：C571216

封装：SOP-4-175mil

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 600V。应用：电机控制

数据手册

5+
￥2.034
50+
￥1.6196
150+
￥1.4421
500+
￥1.2205
3000+
￥1.0808
6000+
￥1.0216

有货

立即购买

型号：LTV-155E 编号：C2916312

封装：SOP-5-4.4mm

LTV - 155E光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。1.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V/50 A的IGBT

数据手册

1+
￥3.03
10+
￥2.37
30+
￥2.09
100+
￥1.74
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

立即购买

型号：HCPL-3120-000E 编号：C14970

封装：DIP-8