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TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：ACPL-T350-500E 编号：C37389

封装：SOP-8-2.54mm

包含一个GaAsP LED，该LED通过光学方式耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：QCPL-A58JV-500E 编号：C3010671

封装：SO-16-300mil

是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET，由AIGaAs红外发光二极管（LED）输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启（触点闭合），在输入电压为0.4V或更低时关闭（触点断开）。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。

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型号：6N137S 编号：C20612601

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N137S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等

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型号：LTV-155E 编号：C2916312

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 155E光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。1.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V/50 A的IGBT

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型号：ACPL-M483-500E 编号：C691954

封装：SO-5

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：4N35M 编号：C4069

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773

封装：SOIC-5-4.6mm

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：LTV-5341-TP1 编号：C2944035

封装：SOP-5-300mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证

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型号：QCPL-341H-500E 编号：C692110

封装：SOP-8-2.54mm

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有630V峰值的最高绝缘电压。

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型号：UCC5350MCDWVR 编号：C2873361

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC53x0 是一系列单通道隔离式栅极驱动器，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和GaN FET(UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的UVLO2 以GND2 为基准，以获取真实的UVLO 读数。UCC53x0 采用4mm SOIC-8 (D) 或8.5mm SOIC-8(DWV) 封装，可分别支持高达3kVRMS 和5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列非常适合电机驱动器和工业电源。与光耦合器相比，UCC53x0 系列的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且CMTI 更高。

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型号：ISOM8610DFGR 编号：C32046157

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM8610 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET，在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。与光耦合器相比，ISOM8610 光耦仿真器开关具有显著的可靠性和性能优势，例如更宽的温度范围和严格的过程控制，从而实现较小的器件间差异。由于没有要补偿的老化效应，因此仿真二极管输入级的功耗比存在 LED 老化效应并在器件使用寿命内需要更高偏置电流的光耦合器更低。ISOM8610 开关输出可在器件的使用寿命内仅通过阳极/阴极引脚的 0.8mA 电流来控制，从而实现系统节能。ISOM8610 是光耦仿真器开关，提供高达 3.75kV 的跨隔离栅隔离，是常用光继电器的引脚兼容直接替代产品。标准光耦合器使用 LED 作为输入级，而 ISOM8610 使用电流控制的仿真二极管作为输入级。输入级通过 TI 专有的基于二氧化硅 (SiO₂) 的隔离栅与驱动器级隔离，不仅能够提供可靠的隔离，而且还提供出色的性能。ISOM8610 可隔离高压信号，提供会随着时间推移而老化的传统光耦合器所不具备的性能、可靠性和灵活性优势。这些器件基于实现低功耗和高速运行的 CMOS 隔离技术，因此不受光耦合器中的磨损效应影响，这种磨损会随着温度、正向电流和器件使用年限的增加而降低性能。

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型号：HT-3063 编号：C34376213

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：ACPL-P480-500E 编号：C74380

封装：SOP-6-6.8mm

高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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￥2.63

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型号：HT-3053 编号：C34376217

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：S2S5A00F 编号：C3015396

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

Phototriac Coupler 包含一个红外发射二极管 (IRED)，光耦合到一个输出光电双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流双向可控硅的理想隔离驱动器。SOP 封装提供 3.75kV 的输入到输出隔离，具有出色的换向抗噪性。

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型号：MOC3041SM 编号：C899805

封装：SMD-6P

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：HCPL-070A-500E 编号：C692015

封装：SOIC-8

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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型号：ASSR-1218-503E 编号：C6747780

封装：SO-4

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：ACPL-M61L-500E 编号：C44908

封装：SO-5-4.4mm

低功率数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在不同温度下，每通道最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功率光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：FOD3150ASD 编号：C411200

封装：SOP-8-2.54mm

能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

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型号：UCC23514MDWVR 编号：C2864808

封装：SOIC-8-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC23514是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，源极峰值输出电流为4.5 A，漏极峰值输出电流为5.3 A，具备5.0 kV RMS的增强隔离等级。33 V的高电源电压范围允许使用双极性电源，以有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23514可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦的栅极驱动器相比，其关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制使器件间的偏差极小。输入级采用仿真二极管（e-二极管），与传统LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用8引脚表面贴装7.5 mm×5.85 mm（典型值）SOIC封装，爬电距离和电气间隙≥8.5 mm，模塑料属于材料组I，相比漏电起痕指数（CTI）> 600 V。UCC23514的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。更高的工作温度为传统光耦以前无法支持的应用开辟了新机会。UCC23514V选项在单个端子上提供栅极驱动输出。对于需要分开的栅极驱动输出的应用，UCC23514S版本提供两个独立的输出引脚OUTH和OUTL。UCC23514E版本适用于需要以独立COM引脚为参考的欠压锁定（UVLO）的应用，这有助于双极性栅极驱动电源应用。UCC23514M选项将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流导致的误开启。

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型号：TLP190B(TPR,U,C,F) 编号：C141614

封装：SOP-4-2.54mm

适用于表面贴装组装，由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成，适用于MOSFET栅极驱动器。

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型号：NCL30188BDR2G 编号：C603428

封装：SOIC-8

NCL30188 是一款专为隔离和非隔离“智能调光”恒流LED驱动器设计的控制器。它支持反激式、升降压和SEPIC拓扑结构。其专有的电流控制算法可提供接近于1的功率因数，并从初级侧紧密调节恒定的LED电流，从而消除了对次级侧反馈电路或光耦合器的需求。NCL30188 采用SOIC8封装，适合非常紧凑、空间效率高的设计。该控制器高度集成，所需外部元件数量极少，并包含一系列强大的安全保护功能以简化设计。为了确保在高温下可靠运行，还提供了一个用户可配置的电流折返电路。主要特性包括：- 准谐振峰值电流模式控制- 带有初级侧反馈的恒流控制- 典型±2%的LED恒流精度- 功率因数校正- 线路前馈以提高调节精度- 低启动电流（典型值13 μA）- 宽Vcc范围- 300 mA / 500 mA图腾柱驱动器，带12 V栅极箝位- 强大的保护功能，如Vcc过电压保护、可编程过电压/LED开路保护、逐周期峰值电流限制、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、短路电流检测保护、用户可编程NTC热折返、热关断、Vcc欠压锁定和掉电保护NCL30188 与 NCL30088 引脚兼容，提供了相同的优点，同时提高了数字电流控制算法的分辨率，将LED电流量化纹波降低了75%。该器件适用于整体式LED灯泡和灯管、LED光源、LED驱动器/电源以及LED照明电子控制装置。它包含了全面的安全和保护功能，以确保稳健可靠的运行。

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型号：MOC3082SR2M 编号：C899862

封装：SMD-6P

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：ACSL-7210-50RE 编号：C7066706

封装：SO-8