STT818B
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类三极管
- 中文描述高增益低压PNP功率晶体管
- 英文描述STT818B,PNP Bipolar Transistor,3 A 30 V HFE:100 Power,6-Pin SOT-23
- 数据手册STT818B数据手册Datasheet PDF
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STT818B概述
该器件采用低电压PNP平面技术制造，采用"基岛"布局。由此产生的晶体管具有优异的高增益性能和极低的饱和电压。
所有功能
极低的集电极至发射极饱和电压
3 A连续集电极电流(IC)
直流电流增益>100(hFE)
所有功能
极低的集电极至发射极饱和电压
3 A连续集电极电流(IC)
直流电流增益>100(hFE)
STT818B中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 集电极—基极电压 VCBO: | 30 V |
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
| 技术: | Si | 集电极—射极饱和电压: | 210 mV |
| 安装风格: | SMD/SMT | Pd-功率耗散: | 1.2 W |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-6 | 增益带宽产品fT: | - |
| 晶体管极性: | PNP | 最小工作温度: | - |
| 配置: | Single | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 最大直流电集电极电流: | 3 A | 系列: | STT818B |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 30 V | 集电极连续电流: | - 3 A |
STT818B引脚图
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