STD3NK90ZT4
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,900 V,1.5 A,4.1 ohm,TO-252(DPAK),表面安装
- 英文描述Dual Schottky barrier diode,STPS40L45CT
- 数据手册STD3NK90ZT4数据手册Datasheet PDF
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STD3NK90ZT4概述
STD3NK90ZT4是一款SuperMESH™N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护和最小栅极电荷。SuperMESH™系列是通过对意法半导体成熟的条形PowerMESH™布局进行极致优化而实现的。除了大幅降低导通电阻外，还特别注意确保为最苛刻的应用提供出色的dV/dt能力。
100%通过雪崩测试
极低的本征电容
非常好的制造重复性
极高的dV/dt能力
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极低的本征电容
非常好的制造重复性
极高的dV/dt能力
STD3NK90ZT4中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 产品种类: | MOSFET | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 技术: | Si | Pd-功率耗散: | 90 W |
| 安装风格: | SMD/SMT | 通道模式: | Enhancement |
| 封装 / 箱体: | DPAK-3 (TO-252-3) | 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel | 下降时间: | 18 ns |
| 通道数量: | 1 Channel | 正向跨导 - 最小值: | 2.7 S |
| Vds-漏源极击穿电压: | 900 V | 高度: | 2.4 mm |
| Id-连续漏极电流: | 3 A | 长度: | 6.6 mm |
| Rds On-漏源导通电阻: | 4.8 Ohms | 上升时间: | 7 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | 典型关闭延迟时间: | 45 ns |
| Qg-栅极电荷: | 22.7 nC | 典型接通延迟时间: | 18 ns |
STD3NK90ZT4引脚图
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