STP19NF20
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道200V、0.11 Ohm典型值、11 A MESH OVERLAY功率MOSFET，TO-220封装
- 英文描述N-Channel MOSFET,200V,15A,STP19NF20
- 数据手册STP19NF20数据手册Datasheet PDF
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STP19NF20概述
STP19NF20功率MOSFET采用意法半导体基于MESH OVERLAY™工艺的综合条带布局设计。因此，这些产品的性能可与其他制造商的同类标准件相媲美，甚至更胜一筹。
所有功能
极高的dv/dt能力
栅极电荷最小化
极低的本征电容
所有功能
极高的dv/dt能力
栅极电荷最小化
极低的本征电容
STP19NF20中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | Qg-栅极电荷: | 24 nC |
| 产品种类: | MOSFET | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 技术: | Si | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 安装风格: | Through Hole | Pd-功率耗散: | 90 W |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | 通道模式: | Enhancement |
| 晶体管极性: | N-Channel | 配置: | Single |
| 通道数量: | 1 Channel | 下降时间: | 11 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 200 V | 上升时间: | 22 ns |
| Id-连续漏极电流: | 15 A | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Rds On-漏源导通电阻: | 160 mOhms | 典型关闭延迟时间: | 19 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 典型接通延迟时间: | 11.5 ns |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
STP19NF20引脚图
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