VNN1NV04PTR-E
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,45 V,1.7 A,0.25 ohm,SOT-223,表面安装
- 英文描述Gate Drivers 40V 1.7A OMNIFET
- 数据手册VNN1NV04PTR-E数据手册Datasheet PDF
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VNN1NV04PTR-E概述
VNN1NV04PTR-E是一款采用VIPower M0技术设计的45V全自动保护型功率MOSFET，用于替代直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳位
输入引脚电流低
通过输入引脚进行诊断反馈
ESD保护
直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
与标准功率MOSFET兼容
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳位
输入引脚电流低
通过输入引脚进行诊断反馈
ESD保护
直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
与标准功率MOSFET兼容
VNN1NV04PTR-E中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 下降时间: | 200 ns |
| 产品种类: | 栅极驱动器 | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
| 产品: | MOSFET Gate Drivers | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 类型: | Low-Side | 系列: | VNN1NV04P-E |
| 安装风格: | SMD/SMT | 资格: | AEC-Q100 |
| 封装 / 箱体: | SOT-223-3 | 最大关闭延迟时间: | 1000 ns |
| 激励器数量: | 1 Driver | 最大开启延迟时间: | 200 ns |
| 输出端数量: | 1 Output | 湿度敏感性: | Yes |
| 输出电流: | 1.7 A | 工作电源电流: | 100 uA |
| 电源电压-最大: | 36 V | Pd-功率耗散: | 7 W |
| 上升时间: | 170 ns |
VNN1NV04PTR-E引脚图
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