L6384ED013TR
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类栅极驱动芯片
- 中文描述MOSFET驱动器,半桥,11.5 V至16.6 V电源,650 mA输出,250 ns延迟,SOIC-8
- 英文描述High voltage high and low side driver with bootstrap diode
- 数据手册L6384ED013TR数据手册Datasheet PDF
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L6384ED013TR概述
L6384E是一款高压栅极驱动器，采用BCD™"离线"技术制造，能够驱动功率MOSFET或IGBT器件的半桥。高压侧（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件的输出分别为650 mA和400 mA，由于采用单输入配置，因此不能同时驱动高电平。用户可通过连接到DT/SD引脚的外部电阻器调整死区时间，从而进一步防止输出交叉导通。
L6384E器件有一个输入引脚、一个使能引脚（DT/SD）和两个输出引脚，保证了低压侧和高压侧部分之间的匹配延迟，从而简化了器件的高频操作。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，从而简化了与控制设备的接口。自举二极管集成在器件内部，使解决方案更加紧凑可靠。
L6384E具有UVLO保护和VCC电源电压箝位功能。电压箝位通常在15.6 V左右，在VCC电源电压上升过慢或出现压降的情况下，可确保器件正常工作。
该器件有DIP-8管、SO-8管和卷带式包装可供选择。
L6384E器件有一个输入引脚、一个使能引脚（DT/SD）和两个输出引脚，保证了低压侧和高压侧部分之间的匹配延迟，从而简化了器件的高频操作。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，从而简化了与控制设备的接口。自举二极管集成在器件内部，使解决方案更加紧凑可靠。
L6384E具有UVLO保护和VCC电源电压箝位功能。电压箝位通常在15.6 V左右，在VCC电源电压上升过慢或出现压降的情况下，可确保器件正常工作。
该器件有DIP-8管、SO-8管和卷带式包装可供选择。
L6384ED013TR中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 上升时间: | 50 ns |
| 产品种类: | 栅极驱动器 | 下降时间: | 30 ns |
| 产品: | Half-Bridge Drivers | 最小工作温度: | - 45 ℃ |
| 类型: | High-Side, Low-Side | 最大工作温度: | + 125 ℃ |
| 安装风格: | SMD/SMT | 系列: | L6384E |
| 激励器数量: | 2 Driver | 逻辑类型: | CMOS, TTL |
| 输出端数量: | 1 Output | 工作电源电流: | 25 mA |
| 输出电流: | 650 mA | 工作电源电压: | 15.6 V |
| 电源电压-最小: | 14.4 V | Pd-功率耗散: | 750 mW |
| 电源电压-最大: | 16.6 V |
L6384ED013TR引脚图
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