STP4NK60Z
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,600 V,4 A,2 ohm,TO-220,通孔
- 英文描述STP4NK60Z,N-channel MOSFET Transistor 4 A 600 V,3-Pin TO-220
- 数据手册STP4NK60Z数据手册Datasheet PDF
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STP4NK60Z概述
STP4NK60Z是一款SuperMESH™N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能。这款功率MOSFET采用意法半导体的SuperMESH™技术开发，通过优化意法半导体成熟的条状PowerMESH™布局实现。除了大幅降低导通电阻外，该器件的设计还确保了高水平的dV/dt能力，适合要求最苛刻的应用。
100%通过雪崩测试
极低的本征电容
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STP4NK60Z中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 产品种类: | MOSFET | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 技术: | Si | Pd-功率耗散: | 70 W |
| 安装风格: | Through Hole | 通道模式: | Enhancement |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel | 下降时间: | 16.5 ns |
| 通道数量: | 1 Channel | 正向跨导 - 最小值: | 3 S |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | 上升时间: | 9.5 ns |
| Id-连续漏极电流: | 4 A | 系列: | STP4NK60Z |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2 Ohms | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V | 典型关闭延迟时间: | 29 ns |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | 典型接通延迟时间: | 12 ns |
| Qg-栅极电荷: | 26 nC |
STP4NK60Z引脚图
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