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NDT3055L

厂商名称：Onsemi

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，4 A，0.07 ohm，SOT-223，表面安装

英文描述：

MOSFET N-Channel 60V 4A SOT223 Fairchild NDT3055L N-channel MOSFET Transistor，4 A，60 V，3+Tab-Pin SOT-223

数据手册：

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NDT3055L概述

NDT3055L是一款采用高单元密度、DMOS技术的N沟道逻辑电平增强型模具MOSFET。这种非常高密度的工艺经过特别定制，可以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件特别适用于低电压应用，如DC/DC转换器、PWM电机控制和其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬变的电池供电电路。

高密度单元设计，可实现极低的RDS（ON）。

高功率和电流处理能力

低驱动要求，可直接从逻辑驱动器上操作

应用

电源管理，电机驱动与控制，车用

NDT3055L中文参数

通道类型	N	最大功率耗散	3 W
最大连续漏极电流	4 A	晶体管配置	单
最大漏源电压	60 V	最大栅源电压	-20 V、+20 V
封装类型	SOT-223	每片芯片元件数目	1
安装类型	表面贴装	宽度	3.56mm
引脚数目	3	最高工作温度	+150 °C
最大漏源电阻值	100 mΩ	长度	6.5mm
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最小栅阈值电压	1V	典型栅极电荷@Vgs	13 nC @ 10 V