NTBG015N065SC1
- 厂商名称Onsmei
- 元件分类碳化硅MOS管
- 中文描述碳化硅MOSFET，单，N通道，145 A，650 V，0.012 ohm，TO-263(D2PAK)
- 英文描述Silicon Carbide(SiC)MOSFET-EliteSiC，12 mohm，650 V，M2，D2PAK-7L
- 数据手册NTBG015N065SC1数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
NTBG015N065SC1概述
碳化硅（SiC）MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的好处包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
特性
低RDSon
高结点温度
100%通过UIL测试
符合RoHS标准
高速开关和低电容
额定电压650V
最大RDS(on)=18.4 mΩ，Vgs=18V，Id=60A时
应用
直流-直流转换器
升压变频器
终端产品
不间断电源
太阳能
终端产品
特性
低RDSon
高结点温度
100%通过UIL测试
符合RoHS标准
高速开关和低电容
额定电压650V
最大RDS(on)=18.4 mΩ，Vgs=18V，Id=60A时
应用
直流-直流转换器
升压变频器
终端产品
不间断电源
太阳能
终端产品
NTBG015N065SC1中文参数
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:D2PAK-7
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:145 A
Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-8 V，+22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V
Qg-栅极电荷:283 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:250 W
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:D2PAK-7
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:145 A
Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-8 V，+22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V
Qg-栅极电荷:283 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:250 W
NTBG015N065SC1引脚图
爆款物料推荐
型号
价格