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NTBG015N065SC1

厂商名称：Onsmei

元件分类：碳化硅MOS管

中文描述：

碳化硅MOSFET，单，N通道，145 A，650 V，0.012 ohm，TO-263(D2PAK)

英文描述：

Silicon Carbide(SiC)MOSFET-EliteSiC，12 mohm，650 V，M2，D2PAK-7L

数据手册：

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NTBG015N065SC1概述

碳化硅（SiC）MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的好处包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。

特性

低RDSon

高结点温度

100%通过UIL测试

符合RoHS标准

高速开关和低电容

额定电压650V

最大RDS(on)=18.4 mΩ，Vgs=18V，Id=60A时

应用

直流-直流转换器

升压变频器

终端产品

不间断电源

太阳能

终端产品

NTBG015N065SC1中文参数

制造商:onsemi

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:D2PAK-7

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:145 A

Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-8 V，+22 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V

Qg-栅极电荷:283 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+175 C

Pd-功率耗散:250 W

NTBG015N065SC1引脚图