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FDP18N50

厂商名称：Onsemi

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N通道，500 V，18 A，0.265 ohm，TO-220，通孔

英文描述：

N-Channel UniFETTM MOSFET 500V，18A，265m?

数据手册：

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FDP18N50概述

FDP18N50是一款基于平面条纹和DMOS技术的500V N沟道UniFET?MOSFET。这种MOSFET是为降低导通电阻而定制的，可提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFET®MOSFET的体二极管的反向恢复性能得到了加强。它的trr小于100ns，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通的平面MOSFET分别超过200ns和4.5V/ns。因此，在某些对MOSFET的体二极管的性能要求很高的应用中，它可以去除额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器的应用，如功率因素校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。该产品具有通用性，适用于许多不同的应用。

低栅极电荷

100%雪崩测试

应用

电源管理，照明

FDP18N50中文参数

制造商:onsemi

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:265 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-30 V，+30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:60 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:38.5 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:90 ns

正向跨导-最小值:25 S

上升时间:165 ns

典型关闭延迟时间:95 ns

典型接通延迟时间:55 ns

FDP18N50引脚图