FDP18N50
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，500 V，18 A，0.265 ohm，TO-220，通孔
- 英文描述N-Channel UniFETTM MOSFET 500V，18A，265m?
- 数据手册FDP18N50数据手册Datasheet PDF
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FDP18N50概述
FDP18N50是一款基于平面条纹和DMOS技术的500V N沟道UniFET?MOSFET。这种MOSFET是为降低导通电阻而定制的，可提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFET®MOSFET的体二极管的反向恢复性能得到了加强。它的trr小于100ns，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通的平面MOSFET分别超过200ns和4.5V/ns。因此，在某些对MOSFET的体二极管的性能要求很高的应用中，它可以去除额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器的应用，如功率因素校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。该产品具有通用性，适用于许多不同的应用。
低栅极电荷
100%雪崩测试
应用
电源管理，照明
低栅极电荷
100%雪崩测试
应用
电源管理，照明
FDP18N50中文参数
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:500 V
Id-连续漏极电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:265 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-30 V，+30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:60 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:38.5 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:90 ns
正向跨导-最小值:25 S
上升时间:165 ns
典型关闭延迟时间:95 ns
典型接通延迟时间:55 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:500 V
Id-连续漏极电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:265 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-30 V，+30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:60 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:38.5 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:90 ns
正向跨导-最小值:25 S
上升时间:165 ns
典型关闭延迟时间:95 ns
典型接通延迟时间:55 ns
FDP18N50引脚图
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