NTH4L022N120M3S
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类碳化硅MOS
- 中文描述碳化硅MOSFET，单，N通道，68 A，1.2 kV，0.022 ohm，TO-247
- 英文描述Silicon Carbide(SiC)MOSFET–EliteSiC，22 mohm，1200 V，M3S，TO-247-4L
- 数据手册NTH4L022N120M3S数据手册Datasheet PDF
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NTH4L022N120M3S概述
新的1200V M3S平面SiC MOSFET系列为快速开关应用而优化。平面技术在负栅极电压驱动和关断栅极上的尖峰时能可靠地工作。该系列在用18V栅极驱动时具有最佳性能，但用15V栅极驱动也能很好地工作。
特性
TO-247-4L封装，采用开尔文源配置
优秀的FOM[=Rdson*Eoss]。
新的M3S技术：22欧姆RDS(ON)，低Eon和Eoff损耗
15V至18V栅极驱动
100%雪崩测试
不含卤化物，符合RoHS标准
应用
工业类
终端产品
UPS/ESS
太阳能
电动汽车充电器
特性
TO-247-4L封装，采用开尔文源配置
优秀的FOM[=Rdson*Eoss]。
新的M3S技术：22欧姆RDS(ON)，低Eon和Eoff损耗
15V至18V栅极驱动
100%雪崩测试
不含卤化物，符合RoHS标准
应用
工业类
终端产品
UPS/ESS
太阳能
电动汽车充电器
NTH4L022N120M3S中文参数
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-247-4
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:68 A
Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-10 V，+22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.4 V
Qg-栅极电荷:151 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:352 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:13 ns
正向跨导-最小值:34 S
上升时间:24 ns
典型关闭延迟时间:48 ns
典型接通延迟时间:18 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-247-4
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:68 A
Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-10 V，+22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.4 V
Qg-栅极电荷:151 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:352 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:13 ns
正向跨导-最小值:34 S
上升时间:24 ns
典型关闭延迟时间:48 ns
典型接通延迟时间:18 ns
NTH4L022N120M3S引脚图
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