PXN012-60QL
- 厂商名称Nexperia
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，42A，MLPAK33，表面安装
- 英文描述N-channel 60 V，logic level Trench MOSFET in MLPAK33
- 数据手册PXN012-60QL数据手册Datasheet PDF
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PXN012-60QL概述
通用型、额定电流42A、逻辑电平N沟道增强模式功率MOSFET，采用MLPAK33封装。
特性
逻辑电平兼容性
沟槽式MOSFET技术
小尺寸的热效率封装（3.3 mm x 3.3 mm尺寸）
目标应用
二次侧同步整流
DC-DC转换器
电机驱动
LED照明
负载开关
辅助控制
风扇控制
特性
逻辑电平兼容性
沟槽式MOSFET技术
小尺寸的热效率封装（3.3 mm x 3.3 mm尺寸）
目标应用
二次侧同步整流
DC-DC转换器
电机驱动
LED照明
负载开关
辅助控制
风扇控制
PXN012-60QL中文参数
制造商:Nexperia
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:MLPAK33-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:42 A
Rds On-漏源导通电阻:11.5 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Qg-栅极电荷:18.77 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:34.7 W
通道模式:Enhancement
下降时间:10.9 ns
上升时间:18.5 ns
典型关闭延迟时间:12.2 ns
典型接通延迟时间:8.8 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:MLPAK33-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:42 A
Rds On-漏源导通电阻:11.5 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Qg-栅极电荷:18.77 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:34.7 W
通道模式:Enhancement
下降时间:10.9 ns
上升时间:18.5 ns
典型关闭延迟时间:12.2 ns
典型接通延迟时间:8.8 ns
PXN012-60QL引脚图
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