IRFP260NPBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=200 V,50 A,3引脚TO-247AC封装
- 英文描述<span class="td-description more shortened" style="color:#222222;font-family:"Helvetica Neue", Helvetica, Arial, sans-serif;font-size:13px;background-color:#FFFFFF;">Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube</span><span style="color:#222222;font-family:"Helvetica Neue", Helvetica, Arial, sans-serif;font-size:13px;background-color:#FFFFFF;"></span><span class="additional-description td-desc-rohs" style="font-size:13px;color:#222222;font-family:"Helvetica Neue", Helvetica, Arial, sans-serif;background-color:#FFFFFF;"></span> <div> <span class="td-description more shortened" style="color:#222222;font-family:"Helvetica Neue", Helvetica, Arial, sans-serif;font-size:13px;background-color:#FFFFFF;"><br /> </span> </div>
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IRFP260NPBF概述
IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及完全雪崩额定值的特性，因此众所周知，功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可以可用于多种应用。
漏极至源极电压（Vds）为200V
栅极至源极电压为±20V
Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为40mohm
25°C时300W的功耗Pd
Vgs 10V和25°C时50A的连续漏极电流Id
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
漏极至源极电压（Vds）为200V
栅极至源极电压为±20V
Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为40mohm
25°C时300W的功耗Pd
Vgs 10V和25°C时50A的连续漏极电流Id
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
IRFP260NPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 200 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-247AC | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 通孔 | 宽度 | 5.3mm |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | 长度 | 15.9mm |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 20.3mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 典型栅极电荷@Vgs | 234 nC @ 10 V |
| 最大功率耗散 | 300 W | 系列 | HEXFET |
IRFP260NPBF引脚图
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