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NGTB40N120FL2WG

NGTB40N120FL2WG

  • 厂商名称ON安森美
  • 元件分类IGBT
  • 中文描述晶体管-IGBT,80 A,Vce=1200 V,±20V,3引脚,TO-247封装
  • 英文描述Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652000mW 3-Pin(3+Tab)TO-247 Tube
  • 数据手册NGTB40N120FL2WG数据手册Datasheet PDF
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NGTB40N120FL2WG概述

NGTB40N120FL2WG绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有结实且具有成本效益的Field Stop II沟道结构,并在要求苛刻的开关应用中提供了卓越的性能,同时提供了低导通电压和最小的开关损耗。IGBT非常适合UPS和太阳能应用。集成在设备中的是软,快速共封装的具有低正向电压的续流二极管。

特性

采用Field Stop技术的极高效沟槽

最高温度=175°C

软快速反向恢复二极管

针对高速开关进行了优化

10?s短路能力

应用

太阳能逆变器

不间断电源逆变器电源(UPS)

终端产品

焊接

电焊工

UPS系统

光伏逆变器

NGTB40N120FL2WG中文参数

最大连续集电极电流 80 A 开关速度 1MHz
最大集电极-发射极电压 1200 V 晶体管配置
最大栅极发射极电压 ±20V 长度 16.25mm
最大功率耗散 535 W 宽度 5.3mm
封装类型 TO-247 高度 21.4mm
安装类型 通孔 尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm
通道类型 N 最高工作温度 +175 °C
引脚数目 3 最低工作温度 -55 °C
Id-连续漏极电流: 5.3 A 正向跨导 - 最小值: 17 S
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms 下降时间: 60 ns
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V 产品类型: MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV 上升时间: 45 ns
Qg-栅极电荷: 18 nC 典型关闭延迟时间: 72 ns
最小工作温度: - 55 C 典型接通延迟时间: 25 ns
最大工作温度: + 150 C 单位重量: 8 mg
CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 86 dB 电压增益 dB: 106.02 dB
CMRR - 共模抑制比: 70 dB 单位重量: 259.200 mg
计时器分辨率 16 bit, 32 bit USART 通道数量 4
PWM分辨率 16Bit LIN 通道数量 1
  

NGTB40N120FL2WG引脚图

NGTB40N120FL2WG引脚图和PCB焊盘图

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