STL6P3LLH6
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述P通道30 V，0.024 Ohm典型值，6 A STripFET H6功率MOSFET，采用PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
- 英文描述P-channel 30 V,0.024 Ohm typ.,6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
- 数据手册STL6P3LLH6数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
STL6P3LLH6概述
STL6P3LLH6是一款使用STripFET H6技术开发的具有新沟槽栅极结构的P沟道功率MOSFET。
主要特点导通电阻很低
极低的栅极电荷
高雪崩强度
低栅极驱动功率损耗
STL6P3LLH6中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | Qg-栅极电荷: | 12 nC |
| 产品种类: | MOSFET | 最小工作温度: | - 55 C |
| 技术: | Si | 最大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | Pd-功率耗散: | 2.9 W |
| 封装 / 箱体: | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | 通道模式: | Enhancement |
| 晶体管极性: | P-Channel | 配置: | Single |
| 通道数量: | 1 Channel | 下降时间: | 21 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | 产品类型: | MOSFET |
| Id-连续漏极电流: | 0.25 | 上升时间: | 15 ns |
| Rds On-漏源导通电阻: | 30 mOhms | 典型关闭延迟时间: | 24 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | 典型接通延迟时间: | 15 ns |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V | 单位重量: | 21.500 mg |
STL6P3LLH6引脚图
爆款物料推荐
型号
价格