SI2333DS-T1-E3
- 厂商名称VISHAY(威世)
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, P沟道, 12 V, 5.3 A, 0.032 ohm, TO-236, 表面安装<br /> <br />
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R<span> </span>
- 数据手册SI2333DS-T1-E3数据手册Datasheet PDF
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SI2333DS-T1-E3概述
SI2333DS-T1-E3是-12V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装的LITTLEFOOT®功率MOSFET使用集成电路和小信号封装，这些集成电路和小信号封装经过修改以提供功率器件所需的传热能力。
符合IEC 61249-2-21定义的无卤素
应用
电源管理
符合IEC 61249-2-21定义的无卤素
应用
电源管理
SI2333DS-T1-E3中文参数
| 制造商: | Vishay | Pd-功率耗散: | 1.25 W |
| 产品种类: | MOSFET | 通道模式: | Enhancement |
| 技术: | Si | 配置: | Single |
| 安装风格: | SMD/SMT | 高度: | 1.45 mm |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | 长度: | 2.9 mm |
| 晶体管极性: | P-Channel | 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel | 宽度: | 1.6 mm |
| Vds-漏源极击穿电压: | 12 V | 商标: | Vishay Semiconductors |
| Id-连续漏极电流: | 5.3 A | 正向跨导 - 最小值: | 17 S |
| Rds On-漏源导通电阻: | 32 mOhms | 下降时间: | 60 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V | 产品类型: | MOSFET |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 400 mV | 上升时间: | 45 ns |
| Qg-栅极电荷: | 18 nC | 典型关闭延迟时间: | 72 ns |
| 最小工作温度: | - 55 C | 典型接通延迟时间: | 25 ns |
| 最大工作温度: | + 150 C | 单位重量: | 8 mg |
SI2333DS-T1-E3引脚图
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