FDS4435BZ
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述MOSFET,P沟道,Si,Vds=30 V,8.8 A,8引脚SOIC封装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
- 数据手册FDS4435BZ数据手册Datasheet PDF
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FDS4435BZ概述
FDS4435BZ是一款-30V P沟道PowerTrench®MOSFET，专门针对最小化导通电阻和维持低栅极电荷而设计，具有出色的开关性能。飞兆半导体最新的中压功率MOSFET是经过优化的功率开关，结合了小栅极电荷（QG），小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速开关以实现AC/DC电源中的同步整流。它采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这项先进技术，这些设备的FOM（品质因数（QGxRDS（ON）））比上一代产品降低了66％。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或替代更高的额定电压-MOSFET需要电路，因为它可以最大程度地减少同步整流中的不良电压尖峰。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
电池应用的扩展VGSS范围（-25V）
典型的±3.8kV的HBM ESD保护等级
高性能沟槽技术，可实现极低的RDS（上）
高功率和电流处理能力
应用
电源管理,消费电子产品
电池应用的扩展VGSS范围（-25V）
典型的±3.8kV的HBM ESD保护等级
高性能沟槽技术，可实现极低的RDS（上）
高功率和电流处理能力
应用
电源管理,消费电子产品
FDS4435BZ中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 8.8 A | 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 最大漏源电压 | 30 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOIC | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 引脚数目 | 8 | 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | 宽度 | 4mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 高度 | 1.5mm |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | 最高工作温度 | +150 °C |
FDS4435BZ引脚图
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