ZXMN6A09GTA
- 厂商名称DIODES(美台)
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,低电压,N沟道,60 V,6.9 A,0.045 ohm,SOT-223,表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R
- 数据手册ZXMN6A09GTA数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
ZXMN6A09GTA概述
ZXMN6A09GTA是60V N沟道增强模式MOSFET，具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优势，使其非常适合高效电源管理应用。
高压
低导通电阻
切换速度快
低门槛
低门驱动
符合AEC-Q101
UL94V-0阻燃等级
应用
电源管理,电机驱动与控制
高压
低导通电阻
切换速度快
低门槛
低门驱动
符合AEC-Q101
UL94V-0阻燃等级
应用
电源管理,电机驱动与控制
ZXMN6A09GTA中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-223 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 晶体管材料 | Si |
| 引脚数目 | 3 + Tab | 典型栅极电荷@Vgs | 24.2 nC @ 5 V |
| 最大漏源电阻值 | 60 mΩ | 长度 | 6.7mm |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 1.8mm |
| 最大栅阈值电压 | 3V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 3.9 W | 宽度 | 3.7mm |
ZXMN6A09GTA引脚图
爆款物料推荐
型号
价格