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IR2101STRPBF

IR2101STRPBF

  • 厂商名称Infineon
  • 元件分类MOS驱动器
  • 中文描述芯片,IGBT/MOSFET,高压侧和低压侧,10V-20V电源,360mA输出,150ns延迟,SOIC-8
  • 英文描述Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
  • 数据手册IR2101STRPBF数据手册Datasheet PDF
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IR2101STRPBF概述

IR2101STRPBF是一款高压高速功率MOSFET与IGBT驱动器,具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道.专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构.逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,并且兼容3.3V逻辑.输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在确保最小的驱动器交叉传导.浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,高压侧配置下,工作电压可达600V。

可承受负瞬态电压DV/DT免疫

欠压锁定

两条通道具有匹配的传播延迟

输出与输入同相

应用

工业,消费电子产品,替代能源,电源管理

IR2101STRPBF中文参数

驱动器数目 2 引脚数目 8
最小工作电源电压 10 V 输入逻辑兼容性 CMOS,LSTTL
最大工作电源电压 20 V 高压侧和低压侧相关性 独立
拓扑 高侧和低侧 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
安装类型 表面贴装 宽度 4mm
峰值输出电流 360mA 高度 1.5mm
输出数目 2 长度 5mm
极性 非反相 最高工作温度 +125 °C
封装类型 SOIC 最低工作温度 -40 °C

IR2101STRPBF引脚图

IR2101STRPBF引脚图和PCB焊盘图

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