IRFB4227PBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，65 A，0.0197 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRFB4227PBF数据手册Datasheet PDF
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IRFB4227PBF概述
IRFB4227PBF是200V单N通道HEXFET®功率MOSFET PDP开关，设计用于等离子显示面板的维持，能量回收和通过开关应用。通过采用最新技术，它可以实现较低的每硅面积导通电阻和EPULSE额定值。
175°C工作温度
低QG可快速响应
高重复峰值电流能力，可确保可靠运行
下降和上升时间短，可快速切换
重复的雪崩能力，具有鲁棒性和可靠性
应用
电源管理，工业
175°C工作温度
低QG可快速响应
高重复峰值电流能力，可确保可靠运行
下降和上升时间短，可快速切换
重复的雪崩能力，具有鲁棒性和可靠性
应用
电源管理，工业
IRFB4227PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 65 A | 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最大漏源电压 | 200 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 系列 | HEXFET |
| 安装类型 | 通孔 | 最低工作温度 | -40 °C |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ | 长度 | 10.66mm |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 5V | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 3V | 宽度 | 4.82mm |
| 最大功率耗散 | 330 W | 高度 | 9.02mm |
IRFB4227PBF引脚图
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