
BSS84LT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,P沟道,50 V,130 mA,10 ohm,SOT-23,表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册BSS84LT1G数据手册Datasheet PDF
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BSS84LT1G概述
BSS84LT1G是一款P沟道功率MOSFET,符合AEC Q101和PPAP标准.适用于DC-DC转换器与负载开关应用.
应用
通信与网络,电源管理,计算机和计算机周边
应用
通信与网络,电源管理,计算机和计算机周边
BSS84LT1G中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 130 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 50 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 1.3mm |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 0.94mm |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 2.9mm |
| 最大栅阈值电压 | 2V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
BSS84LT1G引脚图

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