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BSS84LT1G

BSS84LT1G

  • 厂商名称ON安森美
  • 元件分类MOS管
  • 中文描述功率场效应管,MOSFET,P沟道,50 V,130 mA,10 ohm,SOT-23,表面安装
  • 英文描述Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 数据手册BSS84LT1G数据手册Datasheet PDF
  • 在线购买

BSS84LT1G概述

BSS84LT1G是一款P沟道功率MOSFET,符合AEC Q101和PPAP标准.适用于DC-DC转换器与负载开关应用.

应用

通信与网络,电源管理,计算机和计算机周边

BSS84LT1G中文参数

通道类型 P 晶体管配置
最大连续漏极电流 130 mA 最大栅源电压 -20 V、+20 V
最大漏源电压 50 V 每片芯片元件数目 1
封装类型 SOT-23 最高工作温度 +150 °C
安装类型 表面贴装 宽度 1.3mm
引脚数目 3 高度 0.94mm
最大漏源电阻值 10 Ω 晶体管材料 Si
通道模式 增强 长度 2.9mm
最大栅阈值电压 2V 最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 225 mW

BSS84LT1G引脚图

BSS84LT1G引脚图和PCB焊盘图

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