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BSS123LT1G

BSS123LT1G

  • 厂商名称ON安森美
  • 元件分类MOS管
  • 中文描述功率场效应管,MOSFET,N沟道,100 V,170 mA,6 ohm,SOT-23,表面安装
  • 英文描述Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 数据手册BSS123LT1G数据手册Datasheet PDF
  • 在线购买

BSS123LT1G概述

BSS123LT1G是一款N沟道功率MOSFET,漏极-源极电压为100VDC,漏极电流为170mA.

AEC-Q101认证

PPAP能力

应用

车用

BSS123LT1G中文参数

通道类型 N 晶体管配置
最大连续漏极电流 170 mA 最大栅源电压 -20 V、+20 V
最大漏源电压 100 V 每片芯片元件数目 1
封装类型 SOT-23 宽度 1.3mm
安装类型 表面贴装 最低工作温度 -55 °C
引脚数目 3 高度 0.94mm
最大漏源电阻值 6 Ω 最高工作温度 +150 °C
通道模式 增强 长度 2.9mm
最大栅阈值电压 2.8V 晶体管材料 Si
最大功率耗散 225 mW

BSS123LT1G引脚图

BSS123LT1G引脚图和PCB焊盘图

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