ADR425ARMZ-REEL7
- 厂商名称ADI
- 元件分类电压基准芯片
- 中文描述超精密、低噪声、5.00 V XFET®基准电压源
- 英文描述Voltage References 5.0 Voltage Reference
- 数据手册ADR425ARMZ-REEL7数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
ADR425ARMZ-REEL7概述
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。
利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路
利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路
ADR425ARMZ-REEL7中文参数
制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:电压基准芯片
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:MSOP-8
参考类型:Series Precision References
输出电压:5 V
初始准确度:0.12%
温度系数:1 PPM/C
串联VREF—输入电压—最大值:18 V
分流电流—最大值:10 mA
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
系列:ADR425
准确性:70 ppm/mA
商标:Analog Devices
描述/功能:5.0 V XFET voltage reference
高度:0.85 mm
输入电压:7 V to 18 V
长度:3 mm
负载调节:70 ppm/mA
工作电源电流:500 uA
输出电流:10 mA
产品种类:电压基准芯片
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:MSOP-8
参考类型:Series Precision References
输出电压:5 V
初始准确度:0.12%
温度系数:1 PPM/C
串联VREF—输入电压—最大值:18 V
分流电流—最大值:10 mA
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
系列:ADR425
准确性:70 ppm/mA
商标:Analog Devices
描述/功能:5.0 V XFET voltage reference
高度:0.85 mm
输入电压:7 V to 18 V
长度:3 mm
负载调节:70 ppm/mA
工作电源电流:500 uA
输出电流:10 mA
ADR425ARMZ-REEL7引脚图
爆款物料推荐
型号
价格