CSD17501Q5A

厂商名称TI德州仪器
元件分类MOS管
中文描述采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET<br /> <div> <br /> </div>
英文描述Hot Swap Voltage Controllers 2.7-V to 5.7-V,4-A eFuse with integrated reverse polarity protection
数据手册CSD17501Q5A数据手册Datasheet PDF
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CSD17501Q5A概述

NexFET功率MOSFET专为最大限度地降低功率转换应用中的损耗而设计。

超低Qg和Qgd

低热阻

雪崩额定值

无铅端子电镀

符合RoHS规范

无卤素

SON 5 mm×6 mm塑料封装

应用

网络、电信和计算系统中的负载点同步降压器

和计算系统中的负载点同步降压

针对同步FET应用进行了优化

CSD17501Q5A中文参数

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

REACH-SVHC:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:VSONP-8

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Qg-栅极电荷:13.2 nC

最小工作温度:-55℃

最大工作温度:+150℃

Pd-功率耗散:3.2 W

CSD17501Q5A引脚图

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