CSD17581Q3A
- 厂商名称TI德州仪器
- 元件分类MOS管
- 中文描述采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 英文描述30V,N ch NexFET MOSFET™,single SON3x3,4.7mOhm
- 数据手册CSD17581Q3A数据手册Datasheet PDF
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CSD17581Q3A概述
CSD17581Q3A采用3.3mm×3.3mm SON封装的30V、3.2mΩ、NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
CSD17581Q3A的特性
低Qg和Qgd
低RDS(on)
低热阻抗
雪崩级
无铅
符合RoHS环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线(SON)3.3mm×3.3mm塑料封装
应用范围
用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
电机控制应用
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
CSD17581Q3A的特性
低Qg和Qgd
低RDS(on)
低热阻抗
雪崩级
无铅
符合RoHS环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线(SON)3.3mm×3.3mm塑料封装
应用范围
用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
电机控制应用
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
CSD17581Q3A中文参数
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:VSONP-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:25 A
Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:54 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:63 W
通道模式:Enhancement
系列:CSD17581Q3A
下降时间:10 ns
正向跨导-最小值:78 S
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:23 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:VSONP-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:25 A
Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:54 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:63 W
通道模式:Enhancement
系列:CSD17581Q3A
下降时间:10 ns
正向跨导-最小值:78 S
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:23 ns
CSD17581Q3A引脚图
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