TLC084IDR

厂商名称TI德州仪器
元件分类运算放大器
中文描述四通道、16V、10MHz、输入接近 V- 的运算放大器<br /> <div> <br /> </div>
英文描述Quad Wide Bandwidth High Output Drive Single Supply Op Amp
数据手册TLC084IDR数据手册Datasheet PDF
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TLC084IDR概述

TLC08x是德州儀器全新BiMOS通用運算放大器系列的首批成員。BiMOS系列的概念很简单：为从双电源系统转向单电源系统并要求更高的交流和直流性能的BiFET用户提供升级途径。BiMOS在商用（0°C至70°C）和扩展工业温度范围（-40°C至125°C）内的额定性能为4.5 V至16 V，适合各种音频、汽车、工业和仪器仪表应用。偏移归零引脚等熟悉的功能，以及MSOP PowerPAD™封装和关断模式等新功能，可在各种应用中实现更高水平的性能。

新型BiMOS放大器采用TI获得专利的LBC3 BiCMOS工艺开发，将极高输入阻抗、低噪声CMOS前端与高驱动双极输出级相结合，从而实现了两者的最佳性能。与前代TL08x BiFET相比，交流性能的改进包括带宽达到10 MHz（提高了300%），电压噪声为8.5 nV/√Hz（提高了60%）。直流改进包括确保包括接地在内的VICR、将输入偏移电压降低4倍至标准级的1.5 mV（最大值），以及将电源抑制提高40 dB以上，达到130 dB。除了这些令人印象深刻的特性外，TLC08x还能通过超小尺寸MSOP PowerPAD封装轻松驱动±50-mA负载，是理想的高性能通用运算放大器系列。

TLC084IDR中文参数

制造商:Texas Instruments

产品种类:运算放大器-运放

通道数量:4 Channel

GBP-增益带宽产品:10 MHz

SR-转换速率:16 V/us

Vos-输入偏置电压:1.9 mV

Ib-输入偏流:50 pA

电源电压-最大:16 V

电源电压-最小:4.5 V

工作电源电流:1.9 mA

每个通道的输出电流:57 mA

CMRR-共模抑制比:110 dB

en-输入电压噪声密度:8.5 nV/sqrt Hz

封装/箱体:SOIC-14

安装风格:SMD/SMT

关闭:No Shutdown

最小工作温度:-40℃

最大工作温度:+125℃

系列:TLC084

双重电源电压:+/-3 V,+/-5 V

高度:1.58 mm

In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz

输入类型:Rail-to-Rail

最大双重电源电压:+/-8 V

最小双重电源电压:+/-2.25 V

工作电源电压:4.5 V to 16 V,+/-2.25 V to+/-8 V

Pd-功率耗散:1.022 W

技术:BiCMOS

Vcm-共模电压:Negative Rail to Positive Rail-2 V

电压增益dB:120 dB

TLC084IDR引脚图

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