2N6491G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类三极管
- 中文描述PNP晶体管,TO-220封装,最大直流集电极电流15 A,最大集电极-发射电压80 V,通孔安装,最大耗散功率75 W,3引脚
- 英文描述Power Bipolar Transistor,NPN,80 V,15 A,TO-220 3 LEAD STANDARD,50-TUBE
- 数据手册2N6491G数据手册Datasheet PDF
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2N6491G概述
该15A，80 V，PNP双极功率晶体管适用于通用放大器和开关应用。2N6487、2N6488(NPN)；以及2N6490、2N6491(PNP)为互补器件。
特性
直流电流增益指定为15安培-h FE=20-150 I C=5.0 Adc；h FE=5.0(Min) I C=15 Adc
集电极-发射极维持电压--V CEO(sus)=60 Vdc(Min)-2N6487,2N6490;V CEO(sus)=80 Vdc(Min)-2N6488,2N6491
高电流增益-带宽积
f T=5.0 MHz(Min) IC=1.0 Adc
TO-220AB紧凑型封装
提供无铅封装
应用
设计用于通用放大器和开关应用。
特性
直流电流增益指定为15安培-h FE=20-150 I C=5.0 Adc；h FE=5.0(Min) I C=15 Adc
集电极-发射极维持电压--V CEO(sus)=60 Vdc(Min)-2N6487,2N6490;V CEO(sus)=80 Vdc(Min)-2N6488,2N6491
高电流增益-带宽积
f T=5.0 MHz(Min) IC=1.0 Adc
TO-220AB紧凑型封装
提供无铅封装
应用
设计用于通用放大器和开关应用。
2N6491G中文参数
晶体管类型 PNP
最大直流集电极电流 15 A
最大集电极-发射极电压 80 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
最大功率耗散 75 W
晶体管配置 单
最大集电极-基极电压 90 V 直流
最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 1 MHz
引脚数目 3
每片芯片元件数目 1
最大直流集电极电流 15 A
最大集电极-发射极电压 80 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
最大功率耗散 75 W
晶体管配置 单
最大集电极-基极电压 90 V 直流
最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 1 MHz
引脚数目 3
每片芯片元件数目 1
2N6491G引脚图
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