PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24C02C-I/SN 编号：C220673

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除PROM，电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用2线串行接口，组织为一个256×8位的单块存储器。低电流设计允许其分别以仅5μA的最大待机电流和1mA的最大工作电流运行

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型号：24AA256T-I/ST 编号：C2061029

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：24LC1025-E/SM 编号：C1348763

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/ 24FC1025 (24xx1025*)是一个128K x 8 (1024K bit)串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备具有字节写入和高达128字节数据的页面写入能力。

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型号：24LC1025-E/SN 编号：C1348742

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款128K x 8（1024K bit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力，能够进行随机和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbits。该设备有标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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型号：25AA1024-I/SM 编号：C616138

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：NT5CB128M16JR-FL 编号：C2841155

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体，或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体

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型号：AT24C02D-PUM-TUDI 编号：C22469375

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C02D-PUM-TUDI是一款2K位（256x8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。该芯片具有硬件写保护功能，支持8字节页写模式，适用于低功耗和低电压应用。

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型号：24AA04-I/P-TUDI 编号：C41410966

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA04/24LC04B（24xx04*）是一款 4 K 位电可擦除 PROM。24XX04 有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、TSSOP、2x3 DFN 和 MSOP 封装可供选择，也有 5 引脚 SOT - 23 封装。

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型号：24LC256T-I/ST-TUDI 编号：C41411041

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥3.35
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型号：CAV25160VE-GT3 编号：C463445

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 2048x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25160 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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￥3.7142 ￥3.79
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型号：24LC512-I/P-TUDI 编号：C41410983

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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型号：25C320-I/P 编号：C1349676

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是32 Kbit串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。可通过保持引脚(HOLD)暂停与设备的通信。设备暂停时，将忽略其输入上的转换（片选除外），允许主机处理更高优先级的中断。

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￥4.9434 ￥14.98
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型号：24AA64/P 编号：C613635

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX64是64-Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)。该设备被组织为一个具有两线串行接口的8Kx8位内存的单块。其低压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。

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型号：IS25LP016D-JNLE 编号：C1348801

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：24AA025E64T-I/OT 编号：C616268

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该器件由两个 128x8 位存储器块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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型号：M24512-DFMN6TP 编号：C222090

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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￥4.68

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型号：24AA256-I/P-TUDI 编号：C41410972

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥6.21
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￥5
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型号：24AA512T-I/SN-TUDI 编号：C41410999

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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￥6.77
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￥4.96
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型号：25LC128T-I/SN 编号：C2061563

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥7.68
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￥6.38
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￥5.66

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型号：25C160-I/SN 编号：C615263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA160/25LC160/25C160（25XX160*）是16 Kbit的串行电可擦除PROM。该存储器通过兼容简单串行外设接口（SPI）的串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥8.18 ￥16.36
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￥5.58 ￥13.95
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￥3.732 ￥12.44
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￥2.967 ￥9.89

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型号：25LC640A-I/ST 编号：C619764

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥13.26
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￥11.26
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型号：25AA640-I/SN 编号：C615255

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit串行电可擦除PROM [EEPROM]。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，将忽略其输入上的转换，但片选除外，允许主机处理更高优先级的中断。

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￥13.38
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￥10.374 ￥11.4
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￥8.2377 ￥10.17
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￥6.5529 ￥8.09

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型号：25AA256-E/ST 编号：C1350064

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256（25××256）是256 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥19.3424 ￥25.12
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￥16.5222 ￥24.66
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￥13.8795 ￥24.35
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￥13.7028 ￥24.04

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型号：24AA256UIDT-I/SN 编号：C2061588

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256UID是一款32K×8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，具备预编程的EUI - 48和EUI - 64节点地址以及一个32位唯一标识符，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥20.05
10+
￥17.3
30+
￥15.67

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C22407164

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥22.87
10+
￥19.7
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￥17.82

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥23.77
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￥20.52
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￥18.59

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型号：NT5CC512M8EN-EK 编号：C2841152

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。