PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TFBGA-24(6x8)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥27.39
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型号：AT45DB161E-SSHD-B 编号：C22365783

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款2.3V或2.5V最低电压的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。还支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速操作的应用。其17,301,504位内存组织为4,096页，每页512字节或528字节。除主内存外，还包含两个512/528字节的SRAM缓冲区，允许在对主内存中的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统暂存内存，并且通过自包含的三步读-修改-写操作可以轻松处理E²PROM仿真（位或字节可更改性）

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型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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￥32.62
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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥36.27
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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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￥204.13
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￥194.78

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型号：93AA66AT-I/OT 编号：C145723

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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单价：
￥2.4192 / 个

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型号：CAT25160YI-GT3 编号：C233781

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥1.531689
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￥1.51789
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￥1.490292

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

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￥24.14
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￥23.6
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型号：MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061789

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口（SPI）

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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￥117.77
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型号：FEMDRW016G-88A43 编号：C2841376

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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￥133.27
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￥129.93
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￥104.06

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型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥203.02
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型号：24LC02BT-I/OT 编号：C2655410

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx02是一个2-Kbit电可擦除PROM。该设备组织为一个256x8位内存块，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

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50+
￥0.918
500+
￥0.85
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￥0.816
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￥0.782
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￥0.748

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型号：TC58BVG1S3HTA00 编号：C391252

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG1S3HTA00是一款2 GB位的NAND E2PROM，组织为(2048+64)字节×64页×2048块。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，适用于需要高密度非易失性存储的数据系统。

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￥18.75
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￥18
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￥17.25
200+
￥16.8
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￥16.5

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型号：AS4C256M16D3LC-10BCN 编号：C1012883

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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1+
￥105.46
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￥100.83
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￥92.82

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型号：DS28E04S-100+ 编号：C22414101

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E04 - 100是一款具有七个地址输入的4096位单总线EEPROM芯片。这些地址输入直接映射到单总线64位设备标识号中，便于主机系统在多设备单总线网络环境中识别DS28E04 - 100的物理位置或功能关联。4096位EEPROM阵列被配置为16页，每页32字节，并带有一个32字节的暂存器，用于执行写操作

单价：
￥40.6512 / 个

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型号：AS4C128M16D3LC-12BIN 编号：C17296106

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：Alliance Memory

2Gb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) DRAMs 是双数据速率架构，可实现高速操作。它在内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片被组织为 16Mbit x 16 I/O 8 存储体设备。

1+
￥71.3
10+
￥59.86

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型号：AS4C256M16D3LC-12BCN 编号：C1012881

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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￥74.36
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￥71.98

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型号：24LC01B-I/MS 编号：C184449

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC01B是一款1Kbit的I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，具有400kHz的时钟频率。该芯片具有低功耗特性，待机电流仅为1uA，工作电流为1mA。支持多种封装，包括PDIP、SOIC、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和SC-70。

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￥1.9433
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￥1.5526
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￥1.3851
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￥1.1762
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￥1.0831
1000+
￥1.0273

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型号：11LC160T-I/TT 编号：C2061495

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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￥4.98
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￥4.04
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￥3.57
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￥3.1
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￥2.82
1000+
￥2.68

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型号：25LC640A-I/ST 编号：C619764

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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1+
￥12.72
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￥10.71
30+
￥9.46
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￥8.16
500+
￥7.58
1000+
￥7.33

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C22407164

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

10+
￥14.244
100+
￥12.991
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￥12.7008
2000+
￥12.636

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型号：25CSM04-I/SN 编号：C1019737

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供4 Mbits的串行EEPROM，采用串行外设接口（SPI）兼容总线。设备组织为524,288个8位字节（512 Kbyte），针对需要可靠和稳定非易失性存储器存储的消费和工业应用进行了优化，能够在2.5V至5.5V的宽电压范围内工作。所需的总线信号包括时钟输入（CSK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。可通过HOLD引脚暂停与设备的通信。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断

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1+
￥35.4
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￥30.46
30+
￥27.52
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￥24.55
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￥23.17
1000+
￥22.56

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型号：24AA1025-I/SN 编号：C1348782

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和页写入功能，最多可写入128字节数据。该设备支持随机读取和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbit。该设备提供标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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单价：
￥28.566 / 个

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型号：NT5CC256M16EP-EK 编号：C2846880

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I/O x 8组。这些同步器件在一般应用中可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输

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1+
￥56.25
10+
￥49.04
30+
￥44.64
100+
￥37.21

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型号：24AA01HT-I/ST 编号：C2062707

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01H/24LC01BH 是1Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，适用于低功耗应用。支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有页写保护功能。

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1+
￥1.8106
10+
￥1.4266
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￥1.2621
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￥1.0568
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￥0.9653
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￥0.9105

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型号：24C02CT-I/ST 编号：C619942

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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￥4.72
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