PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIJ-8-5.28mm

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：DS28E04S-100+ 编号：C22414101

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E04 - 100是一款具有七个地址输入的4096位单总线EEPROM芯片。这些地址输入直接映射到单总线64位设备标识号中，便于主机系统在多设备单总线网络环境中识别DS28E04 - 100的物理位置或功能关联。4096位EEPROM阵列被配置为16页，每页32字节，并带有一个32字节的暂存器，用于执行写操作

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型号：NT5CC128M16JR-EKI 编号：C2904577

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

采用双倍数据速率架构实现高速运行，内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿）锁存。

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型号：BY25D40ESTIG(T) 编号：C50172541

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：BY25D40ESMIG(R) 编号：C50176339

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：BY25Q32ESHIG(R) 编号：C50176326

封装：DFN-8(3x4)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：BY25Q32ESSIG (R) 编号：C49023663

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：CAT25010VI-GT3 编号：C233777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25010 是一款 EEPROM 串行 1-Kb SPI 器件，内部组织为 128x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25010 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：11LC160T-I/TT 编号：C2061495

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：CAT25040VI-GT3 编号：C890364

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI 器件，内部组织为 512x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 技术大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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型号：24AA025E48T-I/SN 编号：C2060925

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该设备由两个 128x8 位存储器块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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型号：24AA02/SN 编号：C1350480

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该设备由一个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1 mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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型号：93LC56-I/SN 编号：C615412

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56 是一款2K低电压串行Electrically Erasable PROM (EEPROM)。该设备支持2.5V单电源编程操作，具有100uA典型读取电流和3uA典型待机电流。提供8引脚PDIP和SOIC封装。

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型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

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型号：MB85RS128BPNF-G-JNERE1 编号：C126732

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）需要备用电池不同，MB85RS128B无需备用电池即可保留数据

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型号：24LC515-I/P 编号：C613717

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA515/24LC515/24FC515（24xxx515*）是一款64K x 8（512K位）串行电可擦除PROM，能在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达64字节数据的页写入能力

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型号：24AA1026-I/P 编号：C613619

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥26.1822 ￥39.67
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￥17.296 ￥37.6

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型号：24AA1025-I/P 编号：C613618

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥31.885 ￥45.55
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型号：25LC1024-E/P 编号：C613787

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥38.0518 ￥62.38
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型号：XT27G01ATSIGA 编号：C2759960

封装：TSOPI-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G01A 是一款单通道 3.3V、1Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 128)字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2176 字节的静态寄存器，允许以 2176 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 8 K 字节：2176 字节×64 页）

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型号：F35SQB002G-WWT 编号：C49297080

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。

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￥40.9
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型号：24LC1025-I/P 编号：C613693

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：M48Z58Y-70MH1F 编号：C2062195

封装：SOP-28-8.9mm

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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￥48.03 ￥96.06

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

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型号：M48Z08-100PC1 编号：C1348748

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z08/18 是8Kx8非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在系统断电时保持数据。该芯片与DS1225兼容，支持无限次写入。工作电压为4.75至5.5V，适用于工业温度范围。

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￥151.5934 ￥184.87
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￥133.1064 ￥184.87
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￥109.2564 ￥176.22

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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：BY25Q32ESSIG(T) 编号：C50172543

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：BY25Q32ESWIG(R) 编号：C50176343

封装：WSON-8(5x6)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：34LC02-I/SN 编号：C220024

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。该器件对数组的下半部分具有两种软件写保护功能，还有一个可用于对整个数组进行写保护的外部引脚。这使系统设计人员可以根据应用需求保护无、一半或全部数组。该器件组织为一个256×8位的存储块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为100 nA和1 mA。还具备高达16字节数据的页写能力。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、MSOP和TDFN封装，以及6引脚SOT-23封装。

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型号：24FC02-I/ST 编号：C1353905

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一个2 Kbit电可擦除PROM。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有一个两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7 V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

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