PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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型号：BY25Q256FSSIG 编号：C22391877

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

特性：串行外围接口：标准SPI为SCLK、ICS、SI、SO、WP、/HOLD；双线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、WP、/HOLD；四线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；QPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；支持双倍传输速率读取；支持3或4字节寻址模式。数据读取：普通读（串行）时钟速率为55MHz；快速读（串行）在负载电容30pF情况下时钟速率为108MHz；双线I/O数据传输速率高达216Mbits/S；四线I/O和QPI数据传输速率高达432Mbits/S；双倍传输速率四线I/O数据传输速率高达432Mbits/s；允许XIP（本地执行）操作，连续读支持8/16/32/64字节回绕。数据编程：串行输入页编程一次最多支持256字节；支持编程暂停和恢复。数据擦除：支持块擦除（64/32KB）、扇区擦除（4KB）、整芯片擦除；支持擦除暂停和恢复。编程/擦除速度：页编程时间典型值为0.6ms；扇区擦除时间典型值为50ms；块擦除时间典型值为0.15/0.25s；整芯片擦除时间典型值为80s。灵活架构：4KB扇区；32/64KB块

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型号：DS2432P+T&R 编号：C6146619

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2432 在单芯片中集成了 1024 位 EEPROM、一个 64 位密钥、一个 8 字节寄存器/控制页（最多包含 5 个用户读写字节）、一个 512 位 SHA - 1 引擎以及一个功能完备的 1 - Wire 接口。每个 DS2432 都有自己的 64 位 ROM 注册号，该号码由工厂激光烧录到芯片中，以确保提供唯一标识，实现绝对可追溯性。数据通过 1 - Wire 协议进行串行传输，该协议仅需一根数据线和一根接地线

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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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型号：93LC66BT-I/SN 编号：C46698

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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型号：CAT25080VI-GT3 编号：C890368

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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型号：24LC64FT-I/OT 编号：C616247

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。

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型号：24AA256-I/SN 编号：C152169

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥5.61
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型号：CAT25320YI-GT3 编号：C890376

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25320 是一款 EEPROM 串行 32-Kb SPI 器件，内部组织为 4096x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25320 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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￥6.6432 ￥6.92
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型号：24AA512-I/P-TUDI 编号：C41410973

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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￥72.48
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型号：24LC04B-I/P-TUDI 编号：C41410976

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA04/24LC04B（24xx04*）是一款 4 K 位电可擦除 PROM。24XX04 有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、TSSOP、2x3 DFN 和 MSOP 封装可供选择，也有 5 引脚 SOT - 23 封装。

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￥2.35
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型号：24LC02B-I/SN 编号：C1348870

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2-Kbit电可擦除PROM。该设备由一个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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￥2.2003

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型号：24LC08BT-E/OT 编号：C2061755

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 8K 位电可擦除 PROM。该设备由四个 256×8 位存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 1mA。还具备高达 16 字节数据的页写入能力。

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￥3.4
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￥2.69
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型号：11AA010T-I/TT 编号：C616172

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量从1 Kbit到16 Kbit的串行电可擦除PROM。这些器件采用x8位存储块结构，并支持获得专利的单输入/输出UNI/O⊕串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为单一的串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和数值

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型号：11LC010T-E/TT 编号：C2062073

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C2951282

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥8.07

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型号：DS28E07Q+T 编号：C2062731

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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￥18.34
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￥15.63
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￥12.2

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型号：24LC256T-I/MS 编号：C613348

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备还具备高达64字节数据的页写入能力。能够在256K边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达2 Mbit的地址空间。

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￥18.58
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￥15.76
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￥12.38

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型号：24AA256UID-I/ST 编号：C619605

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256UID是一款32K×8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，预编程有EUI - 48和EUI - 64节点地址以及一个32位唯一ID，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥18.92
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￥16.1
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￥14.33
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型号：25LC1024T-E/SM 编号：C2060945

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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￥20.3
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￥16.89
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￥12.82

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型号：MX29LV640EBTI-70GTR 编号：C2802726

封装：TSOP-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。扇区组保护/芯片解锁：具有工厂锁定、可识别和客户可锁定功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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￥28.65
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￥25.83
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￥24.16

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型号：NT5CC256M16EP-EK 编号：C2846880

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3 (DDR3(L)) DRAM是一款高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八组DRAM。4Gb芯片的组织形式为64Mbit x 8 I/O x 8组和32Mbit x 16 I/O x 8组。这些同步器件在一般应用中可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输

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￥99.13
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￥88.02
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￥81.26
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￥69.8

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型号：CY7C1061G30-10BVJXI 编号：C2950207

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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￥178.52
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￥169.76

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型号：24LC024T-E/SN 编号：C2061224

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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￥2.706 ￥4.92
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￥2.169 ￥4.82
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￥1.659 ￥4.74
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￥1.6345 ￥4.67

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型号：24LC256-I/P-TUDI 编号：C41410982

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥3.34
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￥2.69
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￥2.37

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型号：24C02CT-I/MNY 编号：C2061333

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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￥3.484 ￥6.7
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￥2.3436 ￥5.58
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￥1.5904 ￥4.97
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￥1.3696 ￥4.28
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￥1.2704 ￥3.97
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￥1.2256 ￥3.83

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型号：IS25LP080D-JNLE-TR 编号：C521286

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

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￥5.5
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￥3.26
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型号：24AA256T-I/ST-TUDI 编号：C41411032

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥5.57
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￥5.04
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￥4.76
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￥4.43

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型号：25AA160B-I/SN 编号：C1350191

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA160A/B、25LC160A/B（25XX160A/B*）是16Kbit串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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