PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC512-I/SN 编号：C127510

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：25AA640-I/SN 编号：C615255

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit串行电可擦除PROM [EEPROM]。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，将忽略其输入上的转换，但片选除外，允许主机处理更高优先级的中断。

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型号：24LC256-I/P 编号：C411624

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24XX256）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

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型号：25LC256T-I/SM 编号：C2061146

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256（25××256）是256 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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型号：PN27G01ABGITG 编号：C558834

封装：BGA-24(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

PN27G01A 是一款单 3.3V 1Gbit NAND 电可擦除可编程只读存储器 (NAND E2PROM)，组织为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 1024 块。设备具有 2176 字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在寄存器和存储单元阵列之间以 2176 字节增量传输。擦除操作以单个块单位 (128 Kbytes + 8 Kbytes: 2176 字节 × 64 页) 实现。

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型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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型号：DS1314S+T&R 编号：C2653356

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS1314 非易失性控制器带有电池监控功能，是一种CMOS电路，可以解决将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。该电路监测输入电源是否超出容许范围。当检测到这种状况时，会禁止芯片使能以实现写保护，并切换到电池供电，为RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，可以在极低的电池消耗下实现精确的电压检测。除了支持电池备份外，DS1314还执行监测锂离子电池剩余容量的重要功能，并在电池接近寿命终点前提供警告。由于锂备份电池在其大部分使用寿命中的开路电压保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量负载下的电池电压。DS1314通过周期性地比较电池在支持内部电阻负载时的电压与精心选择的参考电压来执行这种测量。如果在这种条件下电池电压低于参考电压，则表明电池即将到达寿命终点。因此，电池警告引脚会被激活，以信号提示需要更换电池。

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型号：FEMDNN008G-08A39 编号：C601079

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

替换型号是：FEMDNN008G-A3A55；应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头；

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型号：IS43TR16512BL-107MBLI 编号：C1236815

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-107MBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：XCF08PVOG48C 编号：C2976042

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

赛灵思推出了Platform Flash系列的系统内可编程配置PROM。这些PROM提供了一种易于使用、成本效益高且可重编程的方法来存储大型赛灵思FPGA配置比特流，容量从1 Mb到32 Mb不等。Platform Flash PROM系列包括3.3V的XCFXXS PROM和1.8V的XCFXXP PROM。XCFXXS版本包括4 Mb、2 Mb和1 Mb的PROM，支持主串行和从串行FPGA配置模式。XCFXXP版本包括32 Mb、16 Mb和8 Mb的PROM，支持主串行、从串行、主SelectMAP和从SelectMAP FPGA配置模式。当由稳定的外部时钟驱动时，这些PROM可以以高达33 MHz的速率输出数据。

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型号：CAT25020VI-GT3 编号：C890360

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI 器件，内部组织为 256x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25020 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：24FC02-I/ST 编号：C1353905

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一个2 Kbit电可擦除PROM。该设备组织为一个256x8位的存储块，具有一个两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7 V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

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型号：24AA014H-I/SN 编号：C1350352

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA014H/24LC014H是一款1 Kbit串行电可擦除PROM，可在低至1.7V的电压下工作。该器件采用2线串行接口，组织为一个128×8位的单块存储器。

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型号：11AA160T-I/TT 编号：C2060983

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：24C02C/SN 编号：C1349807

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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型号：25AA640A-I/SN 编号：C615254

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（25XX640A）是64 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24LC02BT-I/MS 编号：C2061225

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2-Kbit电可擦除PROM。该设备组织为一个256×8位内存块，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达8字节数据的页面写入能力。

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型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：GX2431S 编号：C2913558

封装：SFN-2(3.5x5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431S是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：24AA024T-I/MNY 编号：C2061346

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一个2 kbit的串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个256 × 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电流设计允许其典型待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。该设备具有高达16字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达16K位的连续EEPROM内存。该设备有标准的8引脚PDIP、8引脚SOIC (3.90 mm)、TSSOP、2x3 DFN、TDFN和MSOP封装。24AA025/24LC025也有6引脚SOT-23封装。

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