PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC256-I/P-TUDI 编号：C41410982

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.691 ￥1.78
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型号：24AA16HT-I/OT 编号：C2061344

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24××16H 是一款 16 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（PROM）。该器件采用两线串行接口，将存储单元组织为 8 个 256×8 位的存储块。其低电压设计允许在低至 1 的电压下工作

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￥3.47
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型号：34LC02-I/SN 编号：C220024

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。该器件对数组的下半部分具有两种软件写保护功能，还有一个可用于对整个数组进行写保护的外部引脚。这使系统设计人员可以根据应用需求保护无、一半或全部数组。该器件组织为一个256×8位的存储块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为100 nA和1 mA。还具备高达16字节数据的页写能力。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、MSOP和TDFN封装，以及6引脚SOT-23封装。

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￥3.65
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型号：24LC024T-I/SN 编号：C2061308

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一个2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个由256x8位存储器组成的单块，具有2线串行接口。低电流设计允许典型待机和活动电流分别仅为1 μA和1 mA。

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￥6.21
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￥5
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型号：24AA08T-I/SN 编号：C2060935

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一个8K位电可擦除PROM。该设备由四个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。该产品还具有高达16字节数据的页面写入能力。

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￥6.61
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￥4.73

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型号：GX2431GA 编号：C2926930

封装：SFN-2(3.5x6.5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431GA是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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￥7.01
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￥5.06
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型号：GX2431G 编号：C2926929

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。支持-40°C至+85°C的工作温度范围和2.8V至5.25V的工作电压。具有IEC1000-4-2 Level 4 ESD保护。

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￥7.12
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型号：24LC08BT-E/SN 编号：C2065836

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除PROM。该设备由四个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备最多16字节数据的页写入能力。

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￥7.31
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￥6.01
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￥5.29

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型号：25LC040T-I/SN 编号：C2061461

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA040/25LC040/25C040（25XX040*）是一款 4 Kbit 串行电可擦除 PROM。可通过与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24AA64F-I/SN 编号：C615135

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。

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型号：MB85RS128BPNF-G-JNERE1 编号：C126732

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）需要备用电池不同，MB85RS128B无需备用电池即可保留数据

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￥9.43
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型号：24AA64-E/SN 编号：C615134

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是64-Kbit电可擦除PROM（EEPROM）。该设备被组织为一个由8×8位内存组成的单块，具有两线串行接口。其低电压设计允许低至1V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达512-Kbit。

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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥15.6465 ￥27.45
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￥12.9015 ￥27.45
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型号：NT5CB128M16IP-EK 编号：C2846879

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3 SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥20.55
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￥15.97

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型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥20.6739 ￥36.27
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￥14.664 ￥31.2
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￥10.4303 ￥28.19
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￥9.3055 ￥25.15
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￥8.7838 ￥23.74
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￥8.5507 ￥23.11

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型号：DS2432P+T&R 编号：C6146619

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2432 在单芯片中集成了 1024 位 EEPROM、一个 64 位密钥、一个 8 字节寄存器/控制页（最多包含 5 个用户读写字节）、一个 512 位 SHA - 1 引擎以及一个功能完备的 1 - Wire 接口。每个 DS2432 都有自己的 64 位 ROM 注册号，该号码由工厂激光烧录到芯片中，以确保提供唯一标识，实现绝对可追溯性。数据通过 1 - Wire 协议进行串行传输，该协议仅需一根数据线和一根接地线

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￥20.91
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￥20.43
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￥17.793 ￥19.77

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型号：24LC512-I/ST 编号：C511288

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥26.59
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￥22.83
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￥20.6

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型号：24LC512-E/SN 编号：C1348990

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12*）是一款64K×8（512 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥27.03
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￥22.9
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￥20.45

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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￥30.039 ￥52.7
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￥24.769 ￥52.7
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￥19.499 ￥52.7

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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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￥30.3012 ￥53.16
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￥24.9852 ￥53.16
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￥19.6692 ￥53.16

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型号：24LC1025-I/SM 编号：C84770

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥33.6
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￥28.63
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￥25.6

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型号：THGBMJG7C1LBAIL 编号：C879825

封装：FBGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMJG7C1LBAIL是一款容量为16GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG7C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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￥142.61
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￥138

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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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￥187.55
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￥178.25

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型号：BY25D40ESMIG(R) 编号：C50176339

封装：USON-8(2x3)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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￥0.4478
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￥0.4377
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￥0.431

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型号：BY25Q32ESWIG(R) 编号：C50176343

封装：WSON-8(5x6)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

5+
￥0.8517
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￥0.8329
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￥0.8205

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型号：93AA46AE48-I/SN 编号：C615318

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1 Kbit低压串行电可擦除PROM (EEPROM)，具有8位字长。先进的CMOS技术使其非常适合低功耗、非易失性存储应用。有标准的8引脚SOIC和6引脚SOT-23封装。

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￥3.41
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￥3.34
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￥3.29

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型号：GX2431G 编号：C2979159

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431G是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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1+
￥3.95
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￥3.85
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￥3.79

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型号：24C02C-I/P 编号：C613644

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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1+
￥7.71
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￥6.49
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￥5.31

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型号：IS25WJ032F-JTLE-TR 编号：C7290368

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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