PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-6

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该器件由两个 128x8 位存储器块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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￥3.16
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型号：24LC512-I/P-TUDI 编号：C41410983

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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￥3.7905 ￥3.99
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.0995 ￥2.21
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￥1.9855 ￥2.09

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型号：24AA512T-I/SN-TUDI 编号：C41410999

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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￥3.8 ￥4
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型号：24AA02/SN 编号：C1350480

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该设备由一个256×8位的存储块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1 mA。还具备高达8字节数据的页写入能力。

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￥4.49
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型号：24AA64/P 编号：C613635

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX64是64-Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)。该设备被组织为一个具有两线串行接口的8Kx8位内存的单块。其低压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。

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￥5.8432 ￥6.64
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￥5.0622 ￥6.49
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型号：24AA025E48-E/SN 编号：C1353232

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该设备由两个 128x8 位内存块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下运行，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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型号：24LC64FT-I/SN 编号：C615719

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K×8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和读取电流分别仅为1μA和400μA。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多有八个设备，最多可提供512 Kbit的地址空间。有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23封装。

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型号：AT25FF161A-MAHN-T 编号：C1857753

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费和联网应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行的系统，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，支持4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除。包含四个专用的128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于存储唯一设备ID和锁定密钥。支持读、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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￥11.06
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￥8.33
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型号：25LC640A-E/SN 编号：C1349842

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A（“25XX640A”）是 64 kbit 的串行电可擦除 PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：CH424Q 编号：C2840470

封装：QFP-44(10x10)

品牌：WCH(南京沁恒)

CH424是一款容量为4000字节的FIFO存储芯片。CH424有两个8位无源并行端口：输入端口W和输出端口R。CH424通过8位数据线以及读写和片选控制线连接到DSP/MCU/MPU等控制器的系统总线

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型号：AT25XE321D-UUN-T 编号：C1852767

封装：WLCSP-12(1.8x2.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，并在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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￥17.37
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型号：S29AL008J70TFI023 编号：C2952433

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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￥17.7954 ￥31.22
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￥8.9762 ￥24.26
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型号：24LC515-I/P 编号：C613717

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA515/24LC515/24FC515（24xxx515*）是一款64K x 8（512K位）串行电可擦除PROM，能在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达64字节数据的页写入能力

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￥18.7416 ￥49.32
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型号：25AA128-I/SN 编号：C1349794

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：XT27G01ATSIGA 编号：C2759960

封装：TSOPI-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G01A 是一款单通道 3.3V、1Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 128)字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2176 字节的静态寄存器，允许以 2176 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 8 K 字节：2176 字节×64 页）

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：NT5CB128M16JR-FL 编号：C2841155

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体，或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体

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型号：24AA1026-I/P 编号：C613619

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥28.9591 ￥39.67
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￥24.4314 ￥38.78
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￥20.2407 ￥38.19
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￥19.928 ￥37.6

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型号：MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126730

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。

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￥23.99

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型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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￥25.59

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型号：24LC1026-E/SM 编号：C616084

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥34.5048 ￥52.28
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￥33.8976 ￥51.36
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￥33.495 ￥50.75
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￥33.0924 ￥50.14

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型号：NT5CC128M16JR-EKI 编号：C2904577

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

采用双倍数据速率架构实现高速运行，内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿）锁存。

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￥35.04
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￥30.01
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￥27.02

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型号：25LC1024-E/P 编号：C613787

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥42.4184 ￥62.38
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￥31.3026 ￥53.97
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￥23.448 ￥48.85
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￥21.384 ￥44.55

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型号：24LC1025-I/P 编号：C613693

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥45.43
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￥38.68
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￥34.57

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型号：24AA1025-I/SN 编号：C1348782

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和页写入功能，最多可写入128字节数据。该设备支持随机读取和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbit。该设备提供标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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￥28.566 / 个

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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￥174.94
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￥144.9

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型号：24LC256-I/P-TUDI 编号：C41410982

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.6625 ￥1.75

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型号：CAT25010VI-GT3 编号：C233777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25010 是一款 EEPROM 串行 1-Kb SPI 器件，内部组织为 128x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25010 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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￥2.1799
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￥1.5358

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型号：24LC025-I/ST 编号：C619655

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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型号：24AA16HT-I/OT 编号：C2061344

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24××16H 是一款 16 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（PROM）。该器件采用两线串行接口，将存储单元组织为 8 个 256×8 位的存储块。其低电压设计允许在低至 1 的电压下工作

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