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25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：25AA1024-I/P 编号：C1349235

封装：PDIP-8

25AA1024是1024 Kbit串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能，还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能对于字节或页写入操作不是必需的。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。

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型号：IS43TR16256B-125KBLI 编号：C1349408

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-125KBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：CY7C1480BV33-250BZI 编号：C914905

封装：FBGA-165

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

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型号：BY25D40ESOIG(R) 编号：C50176328

封装：TSSOP-8-173mil

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：BY25Q32ESSIG(T) 编号：C50172543

封装：SOP-8-208mil

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：BY25Q32ESTIG(T) 编号：C50172596

封装：SOP-8-150mil

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：BY25Q32ESSIG (R) 编号：C49023663

封装：SOP-8-208mil

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：AT24C02D-PUM-TUDI 编号：C22469375

封装：DIP-8

AT24C02D-PUM-TUDI是一款2K位（256x8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。该芯片具有硬件写保护功能，支持8字节页写模式，适用于低功耗和低电压应用。

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￥1.783435 ￥1.8773
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型号：24LC512T-I/SN-TUDI 编号：C41411009

封装：SOP-8

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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￥2.0425 ￥2.15
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型号：24AA04-I/P-TUDI 编号：C41410966

封装：DIP-8

24AA04/24LC04B（24xx04*）是一款 4 K 位电可擦除 PROM。24XX04 有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、TSSOP、2x3 DFN 和 MSOP 封装可供选择，也有 5 引脚 SOT - 23 封装。

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型号：24LC04B-I/P-TUDI 编号：C41410976

封装：DIP-8

24AA04/24LC04B（24xx04*）是一款 4 K 位电可擦除 PROM。24XX04 有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、TSSOP、2x3 DFN 和 MSOP 封装可供选择，也有 5 引脚 SOT - 23 封装。

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型号：CAV25160VE-GT3 编号：C463445

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 2048x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25160 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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型号：24AA16-I/SN 编号：C1349214

封装：SOIC-8

是16-Kbit电可擦除PROM，该设备由八个256×8位存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1 mA。还具备最多16字节数据的页写入能力。

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型号：M24512-DFMN6TP 编号：C222090

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：24AA256-I/P-TUDI 编号：C41410972

封装：DIP-8

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥5.8995 ￥6.21
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型号：25C320-I/P 编号：C1349676

封装：PDIP-8

是32 Kbit串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。可通过保持引脚(HOLD)暂停与设备的通信。设备暂停时，将忽略其输入上的转换（片选除外），允许主机处理更高优先级的中断。

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￥5.992 ￥14.98
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型号：IS25LP040E-JNLA3 编号：C6577425

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：25C160-I/SN 编号：C615263

封装：SOIC-8

25AA160/25LC160/25C160（25XX160*）是16 Kbit的串行电可擦除PROM。该存储器通过兼容简单串行外设接口（SPI）的串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：93LC56-I/SN 编号：C615412

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 93LC56 是一款2K低电压串行Electrically Erasable PROM (EEPROM)。该设备支持2.5V单电源编程操作，具有100uA典型读取电流和3uA典型待机电流。提供8引脚PDIP和SOIC封装。

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型号：25AA256-E/ST 编号：C1350064

封装：TSSOP-8

25AA256/25LC256（25××256）是256 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：25LC640AT-E/SN 编号：C2061877

封装：SOIC-8

25AA640A/25LC640A（25XX640A*）是64 kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：24LC1025-E/SN 编号：C1348742

封装：SOIC-8

是一款128K x 8（1024K bit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力，能够进行随机和顺序读取。读取可在地址边界0000h至FFFFh和10000h至1FFFh内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，这使得系统EEPROM总内存可达4Mbits。该设备有标准的8引脚PDIP、SOIC和SOIJ封装。

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型号：S25FL064LABMFM013 编号：C22407164

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：24AA1025-I/P 编号：C613618

封装：PDIP-8

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：24AA1026-I/SM 编号：C1349961

封装：SOIJ-8-5.28mm