EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：M24256X-FCU6T/VF 编号：C5267643

封装：WLCSP-4(0.7x1)

品牌：ST(意法半导体)

256-Kbit 串行 I2C 总线 EEPROM

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￥6.47
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￥5.38
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￥4.78

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型号：AT24CS64-SSHM-B 编号：C615478

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低工作电压：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为8,192 x 8（64K）。128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：93LC56BT/SN 编号：C615922

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC56A/B/C 是2-Kbit低电压串行EEPROM，支持Microwire兼容接口。这些器件采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。提供多种封装选项，包括PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP、SOT-23等。

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￥7.14
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型号：AT24MAC402-STUM-T 编号：C2061068

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务

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型号：24LC512-I/P 编号：C42048

封装：PDIP-8-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx512）是一款 64K×8（512 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：M95128-DRMN3TP/K 编号：C157384

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用128 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：24CS256-I/SN 编号：C5883969

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CS256提供256 Kbit的串行EEPROM，采用具备3.4 MHz高速模式能力的I²C（两线制）串行接口。该器件组织形式为32,768个8位字节（32 Kbyte），针对消费、工业和汽车应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要。24CS256允许最多8个器件共享一条通用的I²C（两线制）总线，并且能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作

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型号：24AA512T-I/SN 编号：C615629

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：24AA256T-I/ST 编号：C2061029

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256 是一款 32K×8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：M95P08-EXMNT/E 编号：C20033266

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95P08-E是一款8-Mbit（1048576 x 8位）串行SPI页EEPROM，支持双输出和四输出模式，具有高速读取和低功耗特性。

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型号：DS28E07+ 编号：C1349914

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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型号：DS2430AP+T&R 编号：C407897

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

256位1-WireEEPROM

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型号：DS28E07Q+T 编号：C2062731

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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￥13.39
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￥11.34
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￥10.06

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型号：25LC640-I/SN 编号：C511266

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC640是一款64Kbit SPI接口串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持3.3V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持高达2.5MHz的时钟频率，具有8192x8位组织结构，32字节页写保护，数据保留时间超过200年。

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￥12.41
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型号：AT24CM01-XHD-B 编号：C619855

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01是一款1,048,576位的串行EEPROM，组织为131,072个8位字。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压，具有2线串行接口，支持页写模式和随机/顺序读取模式。它还具有硬件数据保护功能和自定时写周期（最大5毫秒）。

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￥16.6
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￥14.03
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型号：BR25A1MF-3MGE2 编号：C2062523

封装：SOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

是一款具有SPI总线接口的1Mbit串行EEPROM。

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￥17.388 ￥28.98
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型号：25LC512-I/SM 编号：C185540

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥18.48
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型号：24AA256T-E/MNY 编号：C2061569

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256 是 32K x 8 (256Kbit) 的 I2C 兼容串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，支持宽电压范围 (1.7V 至 5.5V)。具有页写功能，最多可写入 64 字节数据。支持高达 8 个设备的级联。

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￥18.62
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￥14.34

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型号：M24128-DRMF3TG/K 编号：C2061728

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级128 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥20.26
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￥16.08

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型号：25AA1024-I/P 编号：C1349235

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA1024是1024 Kbit串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能，还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能对于字节或页写入操作不是必需的。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。

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1+
￥32.776 ￥48.2
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￥26.7612 ￥46.14
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￥21.0336 ￥43.82

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型号：AT24C08D-MAHM-T 编号：C616836

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至3.6V。内部组织为1,024 × 8（8K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。 I²C兼容（两线）串行接口: -100 kHz标准模式，1.7V至3.6V

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￥39.2896 ￥70.16
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￥27.922 ￥60.7
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￥19.7784 ￥54.94
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￥18.0396 ￥50.11

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型号：M95M04-DWMN3TP/V 编号：C5221757

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95M04-DWMN3TP/V是一款4Mbit串行SPI接口的汽车级EEPROM，工作温度可达145°C。符合AEC-Q100 Grade 0标准，支持10MHz的时钟频率。

1+
￥53.29
10+
￥45.38
30+
￥40.55

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型号：HK24C02HA-UTR-B 编号：C33603581

封装：TSSOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C02HA-UTR-B是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗、宽电压范围（1.8V到5.5V）、8字节页写模式、自定时写周期、高可靠性和长数据保留时间等特性。

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671

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型号：FT24C02A-KTR-T 编号：C232864

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM，支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256 x 8 (2K)。标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V) 兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

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10+
￥0.4428
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￥0.3504
300+
￥0.3041

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型号：BR24T02FVT-WSGE2 编号：C559316

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24T02-W 是一款采用 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。

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5+
￥0.4716
50+
￥0.4597
150+
￥0.4517

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型号：FT24C256A-ESR-B 编号：C417372

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

256K位低功耗串行EEPROM，支持1.8V至5.5V工作电压，最大待机电流小于1uA，64字节页写模式，自定时写周期（最大5ms），1MHz（2.5V-5V）和400kHz（1.8V）兼容，硬件数据保护，高可靠性（1,000,000次写周期寿命），100年数据保留，工业温度范围（-40℃至85℃）。

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5+
￥0.8477
50+
￥0.6701
200+
￥0.5813
500+
￥0.5147

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型号：CAT24C32YI-GT3-TUDI 编号：C36533627

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

CAT24C32提供32K位（4096 x 8位）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有双向数据传输协议，内部组织为4096个8位字。兼容400kHz时钟频率。

5+
￥1.02049 ￥1.0742
50+
￥0.99997 ￥1.0526
150+
￥0.98629 ￥1.0382
500+
￥0.97261 ￥1.0238
2500+
￥0.83011 ￥0.8738

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型号：FT24C256A-ETR-T 编号：C232880

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C256A是一款256K位（32,768 x 8）的串行EEPROM，支持2线双向串行接口。工作电压范围为1.8V至5.5V，最大待机电流小于1uA，支持64字节页写模式，部分页写操作允许。自定时写周期最大时间为5ms，具有硬件数据保护功能。工作温度范围为-40°C至85°C，数据保留时间为100年。

数据手册

5+
￥1.1053
50+
￥0.8754
150+
￥0.7769
500+
￥0.654

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型号：AT24C32D-XHM-T-TUDI 编号：C36533626

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C32提供32K位（4096 x 8位）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有双向数据传输协议，内部组织为4096个8位字。兼容400kHz时钟频率。

5+
￥1.15653 ￥1.2174
50+
￥1.133255 ￥1.1929
150+
￥1.11777 ￥1.1766
500+
￥1.102285 ￥1.1603
2500+
￥0.940785 ￥0.9903

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型号：AT24C256C-XHM-T-TUDI 编号：C36533645

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C256/CAT24C256提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备的级联特性允许多达八个设备共享一个公共两线总线。该设备适用于多种工业和消费类应用。

5+
￥1.15653 ￥1.2174
50+
￥1.133255 ￥1.1929
150+
￥1.11777 ￥1.1766
500+
￥1.102285 ￥1.1603
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