EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：93AA56BT-I/OT 编号：C145747

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93XX56A/B/C 设备是2Kbit低电压串行EEPROM。这些设备具有128x16位组织（B版本）或256x8位组织（A版本），支持工业温度范围。

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型号：CAT24C16YI-GT3 编号：C146748

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

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型号：CAV25160VE-GT3 编号：C463445

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 2048x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25160 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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型号：24FC04HT-I/OT 编号：C616221

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24XX04H是一款4K位的I2C串行EEPROM，分为两个256x8位的存储块，支持低功耗CMOS技术，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有页写功能，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率，具有超过1百万次擦写寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：AT24C02C-MAHM-T 编号：C616828

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

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型号：AT24C32E-PUM 编号：C613907

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V 至 3.6V。内部结构为 4,096 × 8（32K）。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃。I²C 兼容（两线制）串行接口:100 kHz 标准模式，1.7V 至 3.6V

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型号：24AA128T-I/ST-TUDI 编号：C41411031

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA128/24LC128/ (24xx128*) 是一款 16K×8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：AT24C08D-XHM-T 编号：C616766

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:Vcc = 1.7V 至 3.6V。内部组织为 1,024 x 8（8K）。工业温度范围 -40°C 至 +85°C。I2C 兼容（两线）串行接口

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型号：93AA46A-I/SN 编号：C1350317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是1Kbit低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备依赖外部逻辑电平驱动ORG引脚来设置字长。有专门的8位和16位通信设备。先进的CMOS技术使其适用于低功耗、非易失性存储器应用。全系列产品有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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￥3.6613 ￥7.79
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型号：24FC128-I/MS 编号：C613101

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24XX128 是一款128Kbit (16K x 8) 的I2C高速串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压范围。该设备适用于低功耗应用，如个人通信或数据采集。它具有64字节的页写缓冲区，可进行高达1百万次的擦写操作，数据保留时间超过200年。

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￥3.8012 ￥8.84
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型号：NV24C08MUW3VLTBG 编号：C894119

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV24C08LV 是一款 8-Kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 64 个词，每个词 16 位。它具有 16 字节页写缓冲区，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast?Plus (1 MHz) I2C 协议。

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型号：24AA64-I/P-TUDI 编号：C41410970

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA64/24LC64/ (24××64*) 是一款 64 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而设计。24XX64 还具备高达 32 字节数据的页写入能力。

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￥4.218 ￥4.44
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型号：24AA16-I/SN 编号：C1349214

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是16-Kbit电可擦除PROM，该设备由八个256×8位存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1 mA。还具备最多16字节数据的页写入能力。

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型号：25AA010AT-I/OT 编号：C616279

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XXX010A 是一款 1 Kbit 的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：25AA010A-I/P 编号：C1350543

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25Xx010A 是一款 1 Kbit 串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个简单的兼容串行外设接口（SPI）的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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￥4.224 ￥6.6
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型号：M95640-WMN6P 编号：C1350992

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

是电可擦可编程存储器 (EEPROM),组织为 8192×8 位。

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型号：93LC66C-I/SN 编号：C1348768

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX66A/B/C 器件是 4 Kbit 的低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA66C、93LC66C 或 93C66C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX66A 器件；而 93XX66B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：AT24C16D-PUM 编号：C1350940

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装

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￥4.7403 ￥6.87
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￥4.5333 ￥6.57

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型号：93LC66/P 编号：C1350180

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46/56/66 是 1K、2K 和 4K 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件的存储器可根据 ORG 引脚的外部逻辑电平配置为 x8 或 x16 位。先进的 CMOS 技术使这些器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用

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￥4.7541 ￥12.19
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型号：24LC64-E/SN 编号：C1348983

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为单块8K×8位存储器。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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￥4.82
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￥3.96
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￥3.53

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型号：AT24C01C-STUM-T 编号：C254768

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供1024/2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为128/256个8位字。两个设备都包括级联功能，允许最多八个设备共享一个公共两线总线。这些设备针对许多需要低功耗和低电压操作的工业和商业应用进行了优化。有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装。整个系列的工作电压为1.7V至5.5V VCC。

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￥4.08
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￥3.68

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型号：AT24C04C-MAHM-T 编号：C461560

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为512 × 8 (4K) 或1,024 × 8 (8K)。工业温度范围：-40°C至 +85°C。I²C兼容 (两线) 串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

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￥4.09
30+
￥3.61

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型号：M24128-BFMC6TG 编号：C2061073

封装：MLP-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

128 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥4.08
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￥3.59

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型号：M24512-DFMN6TP 编号：C222090

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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￥5.14
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￥3.7

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型号：25AA02E48T-I/SN 编号：C2655467

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA02EXX是一款2 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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1+
￥5.16
10+
￥5.04
30+
￥4.96
100+
￥4.89

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型号：AT24C128-10PI-TUDI 编号：C36533639

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能，支持64字节页写模式，写周期寿命为1,000,000次，数据保留时间为40年。

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￥5.2725 ￥5.55
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￥4.2465 ￥4.47
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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.2205 ￥3.39
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￥2.9165 ￥3.07
1000+
￥2.755 ￥2.9

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型号：M95256-RMC6TG 编号：C2062597

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥5.38
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￥4.36
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型号：93C46B/SN 编号：C1348803

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1Kbit 低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA46C、93LC46C 或 93C46C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，可使用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 设备；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用

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￥5.48
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￥4.38
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￥3.83

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型号：M95512-WMN6P 编号：C1349657

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：兼容串行外设接口 (SPI) 总线。 512 Kbit (64 Kbytes) 的EEPROM。页面大小：128 bytes。字节写入时间在5 ms内

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￥5.3
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型号：24LC128-E/SN 编号：C615196

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC128-E/SN 是一款128K位（16K x 8）I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，适用于低功耗应用。该设备具有页写功能，可写入多达64字节的数据。

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