EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：93LC46B/SN 编号：C1348804

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46AX/BX 是 1Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件的存储器配置为×8（93LC46A）或×16 位（93LC46B）。先进的 CMOS 技术使这些器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用

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型号：CAV24C64YE-GT3 编号：C890485

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C64 是一款 64-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持 Fast (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAV24C64 器件。

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型号：24AA64/P 编号：C613635

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX64是64-Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)。该设备被组织为一个具有两线串行接口的8Kx8位内存的单块。其低压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。

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型号：24AA025E64T-I/OT 编号：C616268

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该器件由两个 128x8 位存储器块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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型号：93C46B/SN 编号：C1348803

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1Kbit 低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA46C、93LC46C 或 93C46C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，可使用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 设备；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用

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型号：AT24C08C-STUM-T 编号：C461561

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C/AT24C08C 是一款低电压操作的I2C兼容串行EEPROM，提供4Kbit (512 x 8) 和 8Kbit (1,024 x 8) 的存储容量。工业温度范围：-40°C 到 +85°C。

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型号：M95512-DRMN3TP/K 编号：C2929601

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：AT24C512C-SSHM-B 编号：C615466

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8 (512K)。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃

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型号：24LC64-E/SN 编号：C1348983

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用2线串行接口，组织形式为单块8K×8位存储器。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：M24256-DFMC6TG 编号：C495257

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：AT24C16D-PUM 编号：C1350940

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装

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型号：M24512-DFMN6TP 编号：C222090

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：93AA56BT-I/OT 编号：C145747

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93XX56A/B/C 设备是2Kbit低电压串行EEPROM。这些设备具有128x16位组织（B版本）或256x8位组织（A版本），支持工业温度范围。

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型号：AT24CS02-STUM-T 编号：C2060969

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128×8（1K）或256×8（2K）。 128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：24AA256-I/P-TUDI 编号：C41410972

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：24AA02E48-I/SN 编号：C81475

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48（24AAXXXE48*）是一款容量为2Kb的电可擦除式可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个128x8位存储器块构成，为2线串行接口。器件采用低电压设计技术，允许工作电压最低可至1.7V，而最高待机电流和工作电流分别仅为1μA和1mA。

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型号：BL25CM2A-PARC 编号：C2932516

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL25CM2A 是一款2M位（256K字节）的串行EEPROM，支持SPI接口，具有写保护功能和高可靠性。工作电压范围为2.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

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型号：AT24MAC402-SSHM-T 编号：C615975

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 256 × 8（2K）。工厂预编程 EUI-48 或 EUI-64 兼容地址。永久锁定，只读值存储在单独的存储区域。确保唯一的 EUI 地址。提供定制编程服务

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型号：24LC16B-I/SNG 编号：C615202

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT24CS01-STUM-T 编号：C616257

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128 × 8（1K）或256 × 8（2K）。128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：AT24C256-10PI-TUDI 编号：C36533646

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C256/CAT24C256提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备的级联特性允许多达八个设备共享一个公共两线总线。该设备适用于多种工业和消费类应用。

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型号：AT24C32E-MAHM-T 编号：C2061285

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C32E是一款32Kbit（4,096 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至3.6V低电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有多种封装选项，包括8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8垫UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23、8球VFBGA和4球WLCSP。

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