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24AA128/24LC128/ (24xx128*) 是一款 16K×8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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型号：AT93C46DN-SH-B 编号：C615511

封装：SOIC-8

AT93C46D 提供 1024 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 V_CC 时，其组织形式为 64 个字，每个字 16 位；当 ORG 引脚接地时，组织形式为 128 个字，每个字 8 位。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT93C46D 提供节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、8 引脚 TSSOP、8 焊盘 UDFN 和 8 球 VFBGA 封装

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型号：M93S56-WMN6P 编号：C1350521

封装：SO-8

M93S46、M93S56、M93S66器件是电可擦除可编程存储器（EEPROM），存储容量分别为64、128或256字（1字为16位），可通过MICROWIRE总线访问。M93S46、M93S56、M93S66可在2.5 V至5.5 V的电源电压下工作，环境温度范围为 -40℃至 +85℃。

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型号：M24C02-DRMN8TP/K 编号：C2061113

封装：SOP-8

M24C02-DRE是一款2Kbit的I2C串行EEPROM，最高工作温度可达105°C。该器件符合AEC-Q100 Grade 2的可靠性标准。它通过一个简单的I2C兼容接口运行，最高时钟频率为1MHz。内存阵列基于先进的真正EEPROM技术（电可擦除可编程存储器）。M24C02-DRE是一个字节可修改的存储器（256 x 8位），组织为16个页面，每个页面16字节。数据完整性通过嵌入式错误校正码逻辑显著提高。此外，还提供了一个额外的识别页（16字节），可以永久锁定在只读模式。

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型号：M24C04-FMH6TG 编号：C222175

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C64-DFDW6TP 编号：C2062133

封装：TSSOP-8

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：24LC024T-E/SN 编号：C2061224

封装：SOIC-8

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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型号：M24C32-FDW6TP 编号：C2061249

封装：TSSOP-8

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：93LC46BT-I/OT 编号：C2649426

封装：SOT-23-6

93XX46A/B/C 器件是 1Kbit 的低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA46C、93LC46C 或 93C46C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 器件；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：M24128-BFMH6TG 编号：C222091

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

M24128是一款128Kbit I2C兼容的EEPROM，组织为16K x 8位。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持高达1MHz的时钟频率，并具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：24LC08BT-E/MNY 编号：C616489

封装：TDFN-8-EP(2x3)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：M95128-RMC6TG 编号：C2061716

封装：TDFN-8-EP(2x3)

128 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：AT24C64C-PU-TUDI 编号：C36533631

封装：DIP-8

AT24C64提供64K位（8192 x 8位）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有双向数据传输协议，内部组织为8192个8位字。兼容400kHz时钟频率。

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型号：24LC256-I/P-TUDI 编号：C41410982

封装：DIP-8

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：24C02CT-I/MNY 编号：C2061333

封装：TDFN-8-EP(2x3)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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型号：24LC024T-I/MC 编号：C612277

封装：TDFN-8-EP(2x3)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个256×8位的存储块组成。其低电压设计允许在低至1的电压下工作

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型号：M24C32-DFDW6TP 编号：C2971426

封装：TSSOP-8

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：24LC02BT-I/MC 编号：C612280

封装：DFN-8-EP(2x3)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：M24C64-DRMF3TG/K 编号：C2970696

封装：WFDFN-8(2x3)

M24C64-A125是一款64Kbit的串行I2C总线EEPROM，支持高达1 MHz的时钟频率，适用于汽车级应用，最高工作温度可达125°C。该设备符合AEC-Q100 Grade 1标准，具有增强的温度和电压范围，以及内置错误校正码逻辑，确保数据完整性。

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型号：24LC64T-I/ST 编号：C2061060

封装：TSSOP-8

是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该设备组织为一个 8K x 8 位内存的单块，具有 2 线串行接口。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1μA 和 3mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具有高达 32 字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，最多可达 512 Kbits 地址空间。有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN 和 MSOP 封装。也有 5 引脚 SOT-23 和芯片级封装。

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型号：M24128-BWDW6TP 编号：C2971423

封装：TSSOP-8

128Kbit (16K x 8 bit) EEPROM，支持I2C协议，具有4百万次写周期寿命和200年数据保留时间。工作电压范围为2.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：AT24C512C-SSHD-B 编号：C615465

封装：SOIC-8

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8（512K）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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型号：AT25640B-XHL-T 编号：C2061021

封装：TSSOP-8

AT25640B提供65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字。该设备支持SPI模式0和3，具有1.8V至5.5V的工作电压，20MHz的时钟频率，32字节页模式写入，块写保护，硬件和软件数据保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性（1,000,000次写周期寿命，100年数据保留）。

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型号：11LC010T-E/TT 编号：C2062073

封装：SOT-23

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：24AA256T-I/ST-TUDI 编号：C41411032

封装：TSSOP-8

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：24CW160T-I/OT 编号：C616213

封装：SOT-23-5